Translation of "Bias circuit" in German

In detail, the interconnection of the reference bias circuit is as follows.
Im einzelnen ist die Verschaltung der Referenzvorspannungsschaltung wie folgt vorzunehmen.
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Moreover, a bias circuit for the gate electrode of the first operating transistor AT 1 is provided.
Weiterhin ist eine Biasingschaltung für die Gate-Elektrode des ersten Arbeitstransistors AT1 vorgesehen.
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In order to link the driver stage TR to a reference node BK in potential terms, a bias circuit BS is provided.
Um die Treiberstufe TR potentialmäßig an den Bezugsknoten BK anzubinden, ist eine Bias-Schaltung BS vorgesehen.
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Furthermore, it is preferred for a bias circuit for the gate electrode of the first operating transistor to be provided.
Weiterhin ist es bevorzugt, wenn eine Biasingschaltung für die Gate-Elektrode des ersten Arbeitstransistors vorgesehen ist.
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A second terminal of the fifth p-channel field effect transistor P5 is connected to a first terminal of the fourth p-channel field effect transistor P4 and a second terminal of the fourth p-channel field effect transistor P4, a second terminal and a gate terminal of the fourth n-channel field effect transistor N4 are connected to the gate terminal of the third n-channel field effect transistor N3 and in common form the output of the reference bias circuit.
Ein zweiter Anschluß des fünften p-Kanal-Feldeffektransistors P5 ist mit einem ersten Anschluß des vierten p-Kanal-Feldeffekttransistors P4 verschaltet und ein zweiter Anschluß des vierten p-Kanal-Feldeffekttransistors P4, ein zweiter Anschluß und ein Gateanschluß des vierten n-Kanal-Feldeffekttransistors N4 ist mit dem Gateanschluß des dritten n-Kanal-Feldeffekttransistors N3 verbunden und bilden gemeinsam den Ausgang der Referenzvorspannungsschaltung.
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The bias circuit comprises a capacitance C33 which keeps the bias voltage on the gate of the FET T31 substantially constant relative to the terminal connected to the input 21 and which is periodically charged via the FET T34 as follows.
Die Vorspannungsschaltung umfaßt eine Kapazität C33, die die Vorspannung am Gate des FET T31 weitgehend konstant gegenüber dem mit dem Eingang 21 verbundenen Anschluß hält und die über den FET T34 periodisch auf folgende Weise nachgeladen wird.
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Via the FET T33, also comprising a bias circuit of the described construction, this voltage is applied to the lead 15 for the positive supply voltage which, therefore, is also substantially equal to three times the switching voltage between the inputs 21 and 23.
Diese Spannung wird über den FET T33, der ebenfalls eine Vorspannungsschaltung mit dem beschriebenen Aufbau aufweist, der Leitung 15 für die positive Versorgungsspannung zugeführt, die somit ebenfalls weitgehend gleich dem Dreifachen der Schaltspannung zwischen den Eingängen 21 und 23 ist.
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This can be assumed since the compression amplifier and the reference bias circuit are situated on the same chip and, thus, the scatter of the resistance coatings and transistor constants is slight.
Dies kann angenommen werden, da sich der Kompressionsverstärker und die Referenzvorspannungsschaltung auf demselben Chip befinden und so die Streuung der Widerstandsbeläge und Transistorskonstanten gering ist.
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In accordance with a first embodiment of a bias-voltage generating circuit, there is provided a voltage divider which is connected to the supply voltage, advantageously to the controlled supply voltage.
Eine erste Ausführungsform für eine Vorspannungserzeugungsschaltung wird mit einem Spannungsteiler, der mit der Versorgungsspannung, vorteilhafterweise mit der geregelten Versorgungsspannung, verbunden ist, realisiert.
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The gate potentials Vbn and Vbp can be picked up directly at the gates of the corresponding p-channel and n-channel current mirror of this bias circuit.
Die Gatepotentiale Vbn und Vbp können direkt an den Gates der entsprechenden p-Kanal und n-Kanal-Stromspiegel dieser Biasschaltung abgenommen werden.
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If the direct voltage level at the base lead of the oscillator transistor T1 is kept at a fixed potential by a bias circuit, then it suffices if the reference potential UREF is likewise fixed.
Wenn der Gleichspannungspegel am Basisanschluß des Oszillatortransistors T1 durch eine Bias-Schaltung auf einem festen Potential gehalten wird, genügt es, wenn das Referenzpotential UREF ebenfalls fest ist.
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In a further preferred embodiment of the invention, the drain terminals of the switching means are connected to a bias voltage generating circuit.
In einer weiteren, bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die Drain-Anschlüsse der Schaltmittel an eine Vorspannungserzeugungsschaltung angeschlossen.
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The bias voltage generating circuit 9, using the signals delivered to it, generates four bias voltages U 1, U 2, U 3 and U 4 for the four electrodes disposed beneath the seismic mass of the rotation rate sensor.
Die Vorspannungserzeugungsschaltung 9 erzeugt unter Verwendung der ihr zugeführten Signale vier Vorspannungen U 1, U 2, U 3 und U 4 für die unterhalb der seismischen Masse des Drehratensensors angeordneten vier Elektroden.
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In this case, it is in particular preferred for the bias circuit to have at least two cascaded field effect transistors, whose gate electrodes are connected to the gate electrodes of the first and second operating transistors, respectively.
Dabei ist es insbesondere bevorzugt, wenn die Biasingschaltung zumindest zwei kaskadierte Feldeffekttransistoren aufweist, deren Gate-Elektroden mit den Gate-Elektroden der ersten bzw. zweiten Arbeitstransistoren verbunden sind.
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Since the operating transistor AT 1 has a generally higher threshold, because of the bias circuit, this implementation is expediently also used for the control transistor ST 2 .
Da der Betriebstransistors AT1 wegen der Biasingschaltung eine allgemein höhere Schwelle hat, wird auch für den Steuertransistors ST2 zweckmäßigerweise diese Implantation verwendet.
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