Translation of "Carrier diffusion" in German

On the carrier body, diffusion and alloy formation take place at an elevated temperature.
Auf dem Trägerkörper findet eine Diffusion und Legierungsbildung bei erhöhter Temperatur statt.
EuroPat v2
It is preferable to configure the flushing chamber from a housing wherein the inlet and the outlet as well as the diffusion section all open into the flushing chamber with the ports of inlet and outlet being closeable by means of an inlet seal and an outlet seal mounted on a common seal carrier which, in turn, is mounted on a rod projecting into the flushing chamber. The rod is displaceable in the axial direction by a positioning member. The seal carrier includes a diffusion-length closure means mounted thereon so that the diffusion length is closed when the inlet and outlet ports are open and so that this diffusion length is open when the inlet and outlet ports are closed.
Die Spülkammer besteht aus einem Gehäuse, in welches sowohl der Einlaß als auch der Auslaß sowie die Diffusionsstrecke münden, wobei die beiden ersten Mündungen durch eine Einlaßdichtung und Auslaßdichtung auf einem gemeinsamen Dichtungsträger verschließbar sind, welcher von einem in die Spülkammer hineinragenden, von einem Stellglied axial verschiebbaren Stößel aufgenommen ist und welcher weiterhin einen Diffusionsstreckenverschluß derart angeordnet aufweist, daß die Diffusionsstrecke bei geöffnetem Einlaß und Auslaß geschlossen, und bei geschlossenem Einlaß und Auslaß geöffnet ist.
EuroPat v2
Iron would remain at the surface of the silicon, or at an interface between the silicon and a surface layer, where it would not significantly reduce the minority carrier diffusion length of the silicon bulk.
Das Eisen würde an der Oberfläche des Siliciums oder an einer Grenzschicht zwischen dem Silicium und einer Oberflächenschicht bleiben, wo es die Minoritätsladungsträger-Diffusionslänge des Silicium-Inneren nicht erheblich reduzieren würde.
EuroPat v2
Furthermore, significant quantities of the diffused iron would not be expected to diffuse back to regions in the silicon where it would be detrimental to minority carrier diffusion length because the cell would not thereafter be subjected to temperatures high enough to cause such diffusion.
Des weiteren würde nicht erwartet werden, daß erhebliche Mengen des diffundierten Eisens in Bereiche im Silicium zurückdiffundieren, in denen es sich für die Minoritätsladungsträger-Diffusionslänge nachteilig auswirken würde, da die Zelle danach nicht genügend hohen Temperaturen ausgesetzt werden würde, um eine solche Diffusion zu bewirken.
EuroPat v2
Because the minority carrier diffusion length of the silicon in such devices is a major factor affecting efficiency, they could be significantly improved by this process.
Da die Minoritätsladungsträger-Diffusionslänge des Siliciums in solchen Bauelementen ein Hauptfaktor für die Beeinflussung der Effizienz ist, könnten sie durch ein derartiges Verfahren erheblich verbessert werden.
EuroPat v2
Various techniques may be used to measure the minority carrier recombination lifetime (or minority carrier diffusion length) of a silicon wafer and typically involve injecting carriers into a wafer sample by means of a flash of light or voltage pulses and observing their decay.
Verschiedene Verfahren können zur Messung der Minoritätsladungsträger-Rekombinationslebensdauer (oder der Minoritätsladungsträger-Diffusionslänge) eines Silicium-Wafers angewendet werden und schliefen in der Regel die Injektion von Ladungsträgern in eine Wafer-Probe mittels eines Lichtblitzes oder durch Spannungsimpulse und die Beobachtung ihres Abfalls ein.
EuroPat v2
In particular, through the application of the storage times and temperatures described above, a reduction of bulk contamination and improvement of minority carrier diffusion length and minority carrier recombination lifetime in the silicon substrate on which electronic devices are manufactured can be achieved.
Insbesondere läßt sich durch die Anwendung der obengenannten Lagerungszeiten und Temperaturen eine Reduzierung der Verunreinigungen im Inneren und eine Verbesserung der Minoritätsladungsträger-Rekombinationslebensdauer sowie eine Verbesserung der Minoritätsladungsträger-Diffusionslänge und der Minoritätsladungsträger-Rekombinationslebensdauer im Silicium-Substrat, aus dem elektronische Bauelemente hergestellt werden, erzielen.
EuroPat v2
It has been shown that this operation, namely the introduction of minority charge carriers into the semiconductor regions from the floating zones during switch-on and the removal of the minority charge carriers from the semiconductor regions into the floating zones during switch-off, can take place much more quickly than the build up and the reduction of the minority charge carrier density by diffusion.
Es hat sich gezeigt, dass dieser Vorgang, nämlich das Einbringen von Minoritätsladungsträgern in die Halbleitergebiete aus den floatenden Zonen beim Einschalten und das Abführen der Minoritätsladungsträger aus den Halbleitergebieten in die floatenden Zonen beim Abschalten, sehr viel rascher als der Aufbau bzw. der Abbau der Minoritätsladungsträger durch Diffusion erfolgen kann.
EuroPat v2
The biocides may have a polar interaction with the carrier material, with diffusion from the carrier material being possible.
Die Biozide können mit dem Trägermaterial polare Wechselwirkung haben, wobei eine Diffusion aus dem Trägermaterial möglich sein muss.
EuroPat v2
According to the invention, a change in the ambient conditions is an increase in concentration of the carrier material in the carrier phase, a precipitation of the carrier material, a diffusion of the solvent out of the carrier phase, a contact of the carrier phase with ambient components, a temperature change, a change in pH-value, a change in ionic strength, the placement of the composition at the site of administration or a combination of 2 or more of the mentioned ambient conditions.
Erfindungsgemäß ist es, daß die Veränderung der Umgebungsbedingungen eine Konzentrierung des Trägermaterials in der Trägerphase, eine Ausfällung des Trägermaterials, eine Wegdiffusion des Lösungsmittels aus der Trägerphase, ein Kontakt der Trägerphase mit Umgebungsbestandteilen, eine Temperaturänderung, eine Änderung des pH-Wertes, eine Änderung der Ionenstärke, das Einbringen der Zubereitung am Applikationsort oder eine Kombination von zwei oder mehrerer der genannten Umgebungsbedingungen ist.
EuroPat v2
With this charge carrier concentration, a zinc oxide having good insulating properties is obtained that still exhibits sufficient conductivity to enable the cited charge carrier diffusion in the zinc oxide layer.
Mit dieser Ladungsträgerkonzentration wird ein gut isolierendes Zinkoxid erhalten, welches jedoch noch ausreichend Leitfähigkeit zeigt, um die genannte Ladungsträgerdiffusion in der Zinkoxidschicht zu ermöglichen.
EuroPat v2
Through the application of a voltage to terminals T 1 and T 2, diffusion voltage V D that has arisen due to the charge carrier diffusion can now be amplified or attenuated, where the thickness of the space charge regions is reduced or increased according to the polarity of the applied voltage.
Durch Anlegen einer Spannung an die Anschlüsse T1 und T2 kann nun die aufgrund der Ladungsträgerdiffusion entstandene Diffusionsspannung V D verstärkt oder abgeschwächt werden, wobei sich die Dicke der Raumladungszonen je nach Polarität der angelegten Spannung verringert oder erhöht.
EuroPat v2
The coating system at least regionally covers the surface of the stent, a release of the pharmacological agent into the human or animal body occurring through gradual degradation of the carrier and/or diffusion into the surrounding tissue.
Das Beschichtungssystem bedeckt zumindest bereichsweise die Oberfläche des Stents, wobei eine Freisetzung der pharmakologischen Wirkstoffe im menschlichen bzw. tierischen Körper durch allmähliche Degradation des Trägers und/oder Diffusion in das umgebende Gewebe erfolgt.
EuroPat v2
However, having regard to the measured hole mobility ?=186 cm 2 /Vs, a minority charge carrier diffusion length L>11 ?m is calculated as the lower limit for the electron mobility and this is greater than the film thickness W f =5.8 ?m.
Jedoch wurde in Anbetracht der gemessenen Lochbeweglichkeit µ = 186 cm 2 /Vs als untere Grenze für die Elektronen-Beweglichkeit eine Minoritätsladungsträger-Diffusionslänge L > 11 µm berechnet, die größer ist als die Filmdikke W f = 5,8 µm.
EuroPat v2
Although this effect occurs mainly in semiconductor materials with a direct band junction (radiating recombination of the charge carriers), it could also be determined that, in materials with an indirect band junction, a (significantly weaker) electroluminescence occurs, whose intensity is proportional to the minority carrier diffusion length.
Dieser Effekt tritt zwar vor allem bei der Verwendung von Halbleitermaterialien mit direktem Bandübergang auf (strahlende Rekombination der Ladungsträger), jedoch konnte auch festgestellt werden, dass in Materialien mit indirektem Bandübergang eine (wesentlich schwächere) Elektrolumineszenz auftritt, deren Intensität proportional zur Minoritätsträgerdiffusionslänge ist.
EuroPat v2
The materno-fetal and feto-maternal exchange processes, such as diffusion, carrier transport, active and vesicular transport are influenced by the thickness of the separating tissue layers.
Die materno-fetalen bzw. feto-maternalen Austauschvorgänge wie Diffusion, Carrier-Transport, aktiver und vesikulärer Transport werden durch die Dicke der trennenden Gewebslagen beeinflusst.
ParaCrawl v7.1
Lower threshold current densities, broader gain profiles, reduced filamentation and carrier diffusion to mirrors surface together with a reduced temperature sensitivity of emission wavelength make semiconductor quantum dots lasers more suitable for high power applications compared to their quantum well lasers counterpart.
Niedrigere Schwellenstromdichten, breitere Verstärkungskurven, verringerte Filamentierung und Ladungsträgerdiffusion zu den Spiegelflächen hin zusammen mit einer reduzierten Temperaturabhängigkeit der Emissionswellenlänge machen Quantenpunkt-Laser zu überlegenen Kandidaten für Hochleistungsanwendungen im Vergleich zu Quantenfilm-Lasern.
ParaCrawl v7.1
The efficiency of the cell depends on the minority charge carrier diffusion length L and the surface recombination velocity (SRV) S. It is very important to optimize the cell thickness W f in order to correctly estimate the possible efficiency for fixed L and S. Accordingly, the simulation varies the film thickness W for an ideal cell efficiency.
Die Effizienz der Zelle hängt von der Minoritätsladungsträger-Diffusionslänge L und der Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit (surface recombination velocity, SRV) S ab. Es ist sehr wichtig, die Zelldicke W f zu optimieren, um die mögliche Effizienz für feste L und S richtig einzuschätzen [14]. Daher variiert die Simulation die Filmdicke W für eine optimale Zelleneffizienz.
EuroPat v2

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