Translation of "Cmos structure" in German

The sensor element can be installed with a CCD with a CMOS structure on a common semiconductor substrate.
Das Sensorelement kann mit einer CCD mit CMOS-Struktur auf einem gemeinsamen Halbleitersubstrat aufgebaut sein.
EuroPat v2
A CMOS semiconductor structure and a process for producing the structure permit particularly simple, self-aligned contact-hole etching.
Mit der Erfindung wird eine CMOS-Halbleiterstruktur und ein Verfahren zur Herstellung dieser Struktur geschaffen, mit dem eine besonders einfache selbstjustierte Kontaktlochätzung möglich ist.
EuroPat v2
Further developments of the invention, in particular processes for the formation of the MOS or CMOS-structure in integrated circuits, are described below.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung, insbesondere Verfahren zur Realisierung der MOS- bzw. CMOS-Struktur in integrierten Schaltungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
EuroPat v2
An optical distance measuring device operated in that manner contributes to a significant improvement of the signal/noise ratio, and can be realized with a standard CMOS structure.
Ein solchermaßen betriebener optischer Abstandsmesser trägt zu einer signifikanten Verbesserung des Signal-zu-Rausch-Verhältnisses bei, und kann mit einer Standard-CMOS-Struktur realisiert werden.
EuroPat v2
A corresponding CMOS structure 207 having likewise a shielding, p-doped layer 207 ? situated underneath is likewise present.
Eine entsprechende CMOS-Struktur 207 mit einer darunter befindlichen, ebenfalls abschirmenden, p-dotierten Schicht 207' ist ebenso vorhanden.
EuroPat v2
In this case, the CMOS structure of the second amplifier stage B is equipped with PMOS and NMOS transistor structures, which are designed in this manner with a 1/f noise level that is sufficiently low for audio application so that additional undesirable phase oscillations occur in frequency ranges which can have undesirable influences on the stability of the entire circuit.
Dabei weist die CMOS-Struktur der zweiten Verstärkerstufe B PMOS- und NMOS-Transistorstrukturen auf, die, um für Audioanwendungen ausreichend geringes 1/f-Rauschen zu erzielen, so ausgeführt sind, dass dadurch zusätzliche unerwünschte Phasendrehungen in Frequenzbereichen entstehen, die unerwünschte Einflüsse auf die Stabilität der Gesamtschaltung haben kann.
EuroPat v2
The biochip as claimed in claim 5, wherein the metal electrode is electrically conductively connected to the gate contact via an arrangement of metal and intermetal layers of the CMOS semiconductor structure.
Biochip nach Anspruch 5 und 6, wobei die Metallelektrode über eine Anordnung von Metall- und Intermetallschichten der CMOS-Halbleiterstruktur elektrisch leitfähig mit dem Gatekontakt verbunden ist.
EuroPat v2
At the same time, the difference amplifier of the second amplifier stage B, which is formed by the first p-channel CMOS transistor structure P 1 and the second p-channel CMOS transistor structure P 2, has a first output formed of the drain terminal of the first p-channel CMOS transistor structure P 1, which is further connected to the gate terminal of the eighth p-channel CMOS transistor structure P 8, and has a second output formed by the drain terminal of the second p-channel CMOS transistor structure P 2, which is further connected to the gate terminal of the seventh p-channel CMOS transistor structure P 7, wherein the connections known from FIG. 1 are formed between the outputs of the second amplifier stage B and the inputs of the second input stage 4 of the first amplifier stage A.
Dabei ist der ersten Ausgang des aus der ersten p-Kanal CMOS-Transistorstruktur P1 und der zweiten p-Kanal CMOS-Transistorstruktur P2 gebildeten Differenzverstärkers der zweiten Verstärkerstufe B, der aus dem Drain-Anschluss der ersten p-Kanal CMOS-Transistorstruktur P1 gebildet wird, weiterhin verbunden mit dem Gate-Anschluss der achten p-Kanal CMOS-Transistorstruktur P8 und der zweite Ausgang des aus der ersten p-Kanal CMOS-Transistorstruktur P1 und der zweiten p-Kanal CMOS-Transistorstruktur P2 gebildeten Differenzverstärkers der zweiten Verstärkerstufe B, der aus dem Drain-Anschluss der zweiten p-Kanal CMOS-Transistorstruktur P2 gebildet wird ist weiterhin verbunden mit dem Gate-Anschluss der siebten p-Kanal CMOS-Transistorstruktur P7, wodurch die aus Fig.1 bekannten Verbindungen zwischen den Ausgängen der zweiten Verstärkerstufe B und den Eingängen der zweiten Eingangsstufe 4 der ersten Verstärkerstufe A gebildet werden.
EuroPat v2
Electrical structures, preferably a CMOS circuit, can then be formed on the front side in the processing, said CMOS circuit structure representing one or more sensors and/or electrically controllable elements. (3).
So können bei der Prozessierung dann auf der Vorderseite elektrische Strukturen, bevorzugt eine CMOS-Schaltungsstruktur ausgebildet werden, die einen oder mehrere Sensoren und/oder elektrisch ansteuerbare Elemente(3) darstellt.
EuroPat v2
With the heavily improved image quality thanks to low noise, low dark current characteristics and a high dynamic range combined with Global Shutter, high quantum efficiency, much higher frames rates, no blooming or smearing effects and at least a better cost structure CMOS is cutting-edge technology.
Mit der deutlich verbesserten Bildqualität durch niedriges Rauschen, geringem Dunkelstrom und hohem Dynamikbereich in Kombination mit Global Shutter, einer hohen Quanteneffizienz, höheren Bildfrequenzen, keine Blooming oder Smear-Effekte sowie einer verbesserten Kostenstruktur ist CMOS eine zukunftsweisende Technologie.
ParaCrawl v7.1
This can involve typical CMOS structures.
Hierbei kann es sich um typische CMOS-Strukturen handeln.
EuroPat v2
CMOS structural components can thus be integrated in a simple way into the substrate of the electrode.
In das Substrat der Elektrode können somit auf einfache Weise CMOS-Bauelemente integriert werden.
EuroPat v2
Generally, by way of example, as described above, CMOS structures can be used as image sensors 156 .
Allgemein lassen sich als Bildsensoren 156 beispielsweise, wie oben beschrieben, CMOS-Strukturen einsetzen.
EuroPat v2
Of particular interest for developers of integrated circuits is testing of CMOS structures with respect to a behavior known as the latch-up effect.
Von besonderem Interesse für den Entwickler von inte­grierten Schaltungen ist die Untersuchung von CMOS-­Strukturen auf ihr Verhalten gegenüber dem sog. Latch-­up-Effekt.
EuroPat v2
The compatibility criteria primarily includes purity of certain chemical elements (primarily the CMOS structures) and mechanical loading capacity, especially for loads arising from thermal stresses.
Zu den Kompatibilitätskriterien zählen vor allem die Reinheit an gewissen chemischen Elementen (vor allem bei CMOS Strukturen), mechanische Belastbarkeit, vor allem durch Thermospannungen.
EuroPat v2
Compatibility criteria include mainly the purity of certain chemical elements (mainly in CMOS structures) and mechanical loadability, mainly by thermal stresses.
Zu den Kompatibilitätskriterien zählen vor allem die Reinheit an gewissen chemischen Elementen (vor allem bei CMOS Strukturen), mechanische Belastbarkeit, vor allem durch Thermospannungen.
EuroPat v2
In order to eliminate the influence of the (vertical) cavity wall 11 which is difficult to adjust with respect to the CMOS structures, it is important to observe a distance between the outer edge, i.e. the outer edge closest to the cavity wall 11, of the race track system 14 formed in the (upper) surface is of the membrane 2 and the cavity wall 11 .
Um den Einfluss der (vertikalen) Kavitätswand 11, die schlecht gegenüber den CMOS-Strukturen justiert werden kann, zu eliminieren, ist es wichtig, dass zwischen der zur Kavitätswand 11 nächstbenachbart angeordneten Außenkante des in der einen (Ober-)Seite 1a der Membran 2 ausgebildeten Grabensystems 14 und der Kavitätswand 11 ein Abstand eingehalten wird.
EuroPat v2
Compatibility criteria include mainly the purity of the chemical elements (mainly in CMOS structures) and mechanical loadability, mainly by thermal stresses.
Zu den Kompatibilitätskriterien zählen vor allem die Reinheit an gewissen chemischen Elementen (vor allem bei CMOS Strukturen), mechanische Belastbarkeit, vor allem durch Thermospannungen.
EuroPat v2
In the case of the semiconductor structure according to the invention, the guard ring makes it possible for depletion to take place laterally with respect to the guard ring, that is to say that a depletion zone can be formed, such that the contact region is shielded from other regions such as, if appropriate, CMOS structures or sensor structures.
Bei der erfindungsgemäßen Halbleiterstrurktur ermöglicht der Guardring, dass seitlich des Guardrings eine Verarmung erfolgt, d.h. es kann eine Verarmungszone gebildet werden, sodass der Kontaktbereich von übrigen Bereichen wie gegebenenfalls CMOS-Strukturen bzw. Sensorstrukturen abgeschirmt ist.
EuroPat v2
The corresponding shielding also brings about a shielding from noise or from additional effects as a result of the contact-connection of the contact region with regard to possible contact-connections of the further regions, for example of the CMOS structures.
Die entsprechende Abschirmung bewirkt auch eine Abschirmung von Rauschen oder von zusätzlichen Effekten durch die Kontaktierung des Kontaktbereiches in Bezug auf etwaige Kontaktierungen der weiteren Bereiche, beispielsweise der CMOS-Strukturen.
EuroPat v2
Since the manufacturing facilities required for mask technology are costly and expensive, these same manufacturing facilities are used customarily for the manufacturing of the lower layers containing CMOS structural components, as they are for the layers near the surface.
Da die für die Maskentechnik benötigten Fertigungsanlagen aufwendig und teuer sind, werden nämlich üblicherweise zum Herstellen der unteren, die CMOS-Bauelemente enthaltenden Schichten dieselben Fertigungsanlagen verwendet, wie für die oberflächennahen Schichten.
EuroPat v2
However, the increasing miniaturization of integrated amplifier circuits in CMOS technology, combined with complex integrated solutions in the arrangement of individual circuits, lead to a further reduction of the spatial dimension of the CMOS structures which are realized in this manner, typically on the order of 0.35 ?m and less.
Die zunehmende Miniaturisierung integrierter Verstärkerschaltungen in CMOS-Technologie, auch in Verbindung mit komplexeren Gesamtlösungen in einer einzelnen integrierten Schaltungsanordnung, führt jedoch zu einer weiteren Verringerung der räumlichen Ausdehnung der dabei realisierten CMOS-Strukturen, typischerweise im Bereich von 0,35 µm und darunter.
EuroPat v2
The contact hole is subsequently provided with an insulating contact hole filling KF, and the remaining surface of the semiconductor body is provided with a second passivation layer PS 2 in order to protect the CMOS structures.
Anschließend kann das Kontaktloch mit einer isolierenden Kontaktlochfüllung KF versehen werden und die übrige Oberfläche des Halbleiterkörpers mit einer zweiten Passivierungsschicht PS2 zum Schutz der CMOS-Strukturen versehen werden.
EuroPat v2

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