Translation of "Cmos structure" in German
The
sensor
element
can
be
installed
with
a
CCD
with
a
CMOS
structure
on
a
common
semiconductor
substrate.
Das
Sensorelement
kann
mit
einer
CCD
mit
CMOS-Struktur
auf
einem
gemeinsamen
Halbleitersubstrat
aufgebaut
sein.
EuroPat v2
A
CMOS
semiconductor
structure
and
a
process
for
producing
the
structure
permit
particularly
simple,
self-aligned
contact-hole
etching.
Mit
der
Erfindung
wird
eine
CMOS-Halbleiterstruktur
und
ein
Verfahren
zur
Herstellung
dieser
Struktur
geschaffen,
mit
dem
eine
besonders
einfache
selbstjustierte
Kontaktlochätzung
möglich
ist.
EuroPat v2
Further
developments
of
the
invention,
in
particular
processes
for
the
formation
of
the
MOS
or
CMOS-structure
in
integrated
circuits,
are
described
below.
Weitere
Ausgestaltungen
der
Erfindung,
insbesondere
Verfahren
zur
Realisierung
der
MOS-
bzw.
CMOS-Struktur
in
integrierten
Schaltungen
ergeben
sich
aus
den
Unteransprüchen.
EuroPat v2
An
optical
distance
measuring
device
operated
in
that
manner
contributes
to
a
significant
improvement
of
the
signal/noise
ratio,
and
can
be
realized
with
a
standard
CMOS
structure.
Ein
solchermaßen
betriebener
optischer
Abstandsmesser
trägt
zu
einer
signifikanten
Verbesserung
des
Signal-zu-Rausch-Verhältnisses
bei,
und
kann
mit
einer
Standard-CMOS-Struktur
realisiert
werden.
EuroPat v2
A
corresponding
CMOS
structure
207
having
likewise
a
shielding,
p-doped
layer
207
?
situated
underneath
is
likewise
present.
Eine
entsprechende
CMOS-Struktur
207
mit
einer
darunter
befindlichen,
ebenfalls
abschirmenden,
p-dotierten
Schicht
207'
ist
ebenso
vorhanden.
EuroPat v2
In
this
case,
the
CMOS
structure
of
the
second
amplifier
stage
B
is
equipped
with
PMOS
and
NMOS
transistor
structures,
which
are
designed
in
this
manner
with
a
1/f
noise
level
that
is
sufficiently
low
for
audio
application
so
that
additional
undesirable
phase
oscillations
occur
in
frequency
ranges
which
can
have
undesirable
influences
on
the
stability
of
the
entire
circuit.
Dabei
weist
die
CMOS-Struktur
der
zweiten
Verstärkerstufe
B
PMOS-
und
NMOS-Transistorstrukturen
auf,
die,
um
für
Audioanwendungen
ausreichend
geringes
1/f-Rauschen
zu
erzielen,
so
ausgeführt
sind,
dass
dadurch
zusätzliche
unerwünschte
Phasendrehungen
in
Frequenzbereichen
entstehen,
die
unerwünschte
Einflüsse
auf
die
Stabilität
der
Gesamtschaltung
haben
kann.
EuroPat v2
The
biochip
as
claimed
in
claim
5,
wherein
the
metal
electrode
is
electrically
conductively
connected
to
the
gate
contact
via
an
arrangement
of
metal
and
intermetal
layers
of
the
CMOS
semiconductor
structure.
Biochip
nach
Anspruch
5
und
6,
wobei
die
Metallelektrode
über
eine
Anordnung
von
Metall-
und
Intermetallschichten
der
CMOS-Halbleiterstruktur
elektrisch
leitfähig
mit
dem
Gatekontakt
verbunden
ist.
EuroPat v2
At
the
same
time,
the
difference
amplifier
of
the
second
amplifier
stage
B,
which
is
formed
by
the
first
p-channel
CMOS
transistor
structure
P
1
and
the
second
p-channel
CMOS
transistor
structure
P
2,
has
a
first
output
formed
of
the
drain
terminal
of
the
first
p-channel
CMOS
transistor
structure
P
1,
which
is
further
connected
to
the
gate
terminal
of
the
eighth
p-channel
CMOS
transistor
structure
P
8,
and
has
a
second
output
formed
by
the
drain
terminal
of
the
second
p-channel
CMOS
transistor
structure
P
2,
which
is
further
connected
to
the
gate
terminal
of
the
seventh
p-channel
CMOS
transistor
structure
P
7,
wherein
the
connections
known
from
FIG.
1
are
formed
between
the
outputs
of
the
second
amplifier
stage
B
and
the
inputs
of
the
second
input
stage
4
of
the
first
amplifier
stage
A.
Dabei
ist
der
ersten
Ausgang
des
aus
der
ersten
p-Kanal
CMOS-Transistorstruktur
P1
und
der
zweiten
p-Kanal
CMOS-Transistorstruktur
P2
gebildeten
Differenzverstärkers
der
zweiten
Verstärkerstufe
B,
der
aus
dem
Drain-Anschluss
der
ersten
p-Kanal
CMOS-Transistorstruktur
P1
gebildet
wird,
weiterhin
verbunden
mit
dem
Gate-Anschluss
der
achten
p-Kanal
CMOS-Transistorstruktur
P8
und
der
zweite
Ausgang
des
aus
der
ersten
p-Kanal
CMOS-Transistorstruktur
P1
und
der
zweiten
p-Kanal
CMOS-Transistorstruktur
P2
gebildeten
Differenzverstärkers
der
zweiten
Verstärkerstufe
B,
der
aus
dem
Drain-Anschluss
der
zweiten
p-Kanal
CMOS-Transistorstruktur
P2
gebildet
wird
ist
weiterhin
verbunden
mit
dem
Gate-Anschluss
der
siebten
p-Kanal
CMOS-Transistorstruktur
P7,
wodurch
die
aus
Fig.1
bekannten
Verbindungen
zwischen
den
Ausgängen
der
zweiten
Verstärkerstufe
B
und
den
Eingängen
der
zweiten
Eingangsstufe
4
der
ersten
Verstärkerstufe
A
gebildet
werden.
EuroPat v2
Electrical
structures,
preferably
a
CMOS
circuit,
can
then
be
formed
on
the
front
side
in
the
processing,
said
CMOS
circuit
structure
representing
one
or
more
sensors
and/or
electrically
controllable
elements.
(3).
So
können
bei
der
Prozessierung
dann
auf
der
Vorderseite
elektrische
Strukturen,
bevorzugt
eine
CMOS-Schaltungsstruktur
ausgebildet
werden,
die
einen
oder
mehrere
Sensoren
und/oder
elektrisch
ansteuerbare
Elemente(3)
darstellt.
EuroPat v2
With
the
heavily
improved
image
quality
thanks
to
low
noise,
low
dark
current
characteristics
and
a
high
dynamic
range
combined
with
Global
Shutter,
high
quantum
efficiency,
much
higher
frames
rates,
no
blooming
or
smearing
effects
and
at
least
a
better
cost
structure
CMOS
is
cutting-edge
technology.
Mit
der
deutlich
verbesserten
Bildqualität
durch
niedriges
Rauschen,
geringem
Dunkelstrom
und
hohem
Dynamikbereich
in
Kombination
mit
Global
Shutter,
einer
hohen
Quanteneffizienz,
höheren
Bildfrequenzen,
keine
Blooming
oder
Smear-Effekte
sowie
einer
verbesserten
Kostenstruktur
ist
CMOS
eine
zukunftsweisende
Technologie.
ParaCrawl v7.1
This
can
involve
typical
CMOS
structures.
Hierbei
kann
es
sich
um
typische
CMOS-Strukturen
handeln.
EuroPat v2
CMOS
structural
components
can
thus
be
integrated
in
a
simple
way
into
the
substrate
of
the
electrode.
In
das
Substrat
der
Elektrode
können
somit
auf
einfache
Weise
CMOS-Bauelemente
integriert
werden.
EuroPat v2
Generally,
by
way
of
example,
as
described
above,
CMOS
structures
can
be
used
as
image
sensors
156
.
Allgemein
lassen
sich
als
Bildsensoren
156
beispielsweise,
wie
oben
beschrieben,
CMOS-Strukturen
einsetzen.
EuroPat v2
Of
particular
interest
for
developers
of
integrated
circuits
is
testing
of
CMOS
structures
with
respect
to
a
behavior
known
as
the
latch-up
effect.
Von
besonderem
Interesse
für
den
Entwickler
von
integrierten
Schaltungen
ist
die
Untersuchung
von
CMOS-Strukturen
auf
ihr
Verhalten
gegenüber
dem
sog.
Latch-up-Effekt.
EuroPat v2
The
compatibility
criteria
primarily
includes
purity
of
certain
chemical
elements
(primarily
the
CMOS
structures)
and
mechanical
loading
capacity,
especially
for
loads
arising
from
thermal
stresses.
Zu
den
Kompatibilitätskriterien
zählen
vor
allem
die
Reinheit
an
gewissen
chemischen
Elementen
(vor
allem
bei
CMOS
Strukturen),
mechanische
Belastbarkeit,
vor
allem
durch
Thermospannungen.
EuroPat v2
Compatibility
criteria
include
mainly
the
purity
of
certain
chemical
elements
(mainly
in
CMOS
structures)
and
mechanical
loadability,
mainly
by
thermal
stresses.
Zu
den
Kompatibilitätskriterien
zählen
vor
allem
die
Reinheit
an
gewissen
chemischen
Elementen
(vor
allem
bei
CMOS
Strukturen),
mechanische
Belastbarkeit,
vor
allem
durch
Thermospannungen.
EuroPat v2
In
order
to
eliminate
the
influence
of
the
(vertical)
cavity
wall
11
which
is
difficult
to
adjust
with
respect
to
the
CMOS
structures,
it
is
important
to
observe
a
distance
between
the
outer
edge,
i.e.
the
outer
edge
closest
to
the
cavity
wall
11,
of
the
race
track
system
14
formed
in
the
(upper)
surface
is
of
the
membrane
2
and
the
cavity
wall
11
.
Um
den
Einfluss
der
(vertikalen)
Kavitätswand
11,
die
schlecht
gegenüber
den
CMOS-Strukturen
justiert
werden
kann,
zu
eliminieren,
ist
es
wichtig,
dass
zwischen
der
zur
Kavitätswand
11
nächstbenachbart
angeordneten
Außenkante
des
in
der
einen
(Ober-)Seite
1a
der
Membran
2
ausgebildeten
Grabensystems
14
und
der
Kavitätswand
11
ein
Abstand
eingehalten
wird.
EuroPat v2
Compatibility
criteria
include
mainly
the
purity
of
the
chemical
elements
(mainly
in
CMOS
structures)
and
mechanical
loadability,
mainly
by
thermal
stresses.
Zu
den
Kompatibilitätskriterien
zählen
vor
allem
die
Reinheit
an
gewissen
chemischen
Elementen
(vor
allem
bei
CMOS
Strukturen),
mechanische
Belastbarkeit,
vor
allem
durch
Thermospannungen.
EuroPat v2
In
the
case
of
the
semiconductor
structure
according
to
the
invention,
the
guard
ring
makes
it
possible
for
depletion
to
take
place
laterally
with
respect
to
the
guard
ring,
that
is
to
say
that
a
depletion
zone
can
be
formed,
such
that
the
contact
region
is
shielded
from
other
regions
such
as,
if
appropriate,
CMOS
structures
or
sensor
structures.
Bei
der
erfindungsgemäßen
Halbleiterstrurktur
ermöglicht
der
Guardring,
dass
seitlich
des
Guardrings
eine
Verarmung
erfolgt,
d.h.
es
kann
eine
Verarmungszone
gebildet
werden,
sodass
der
Kontaktbereich
von
übrigen
Bereichen
wie
gegebenenfalls
CMOS-Strukturen
bzw.
Sensorstrukturen
abgeschirmt
ist.
EuroPat v2
The
corresponding
shielding
also
brings
about
a
shielding
from
noise
or
from
additional
effects
as
a
result
of
the
contact-connection
of
the
contact
region
with
regard
to
possible
contact-connections
of
the
further
regions,
for
example
of
the
CMOS
structures.
Die
entsprechende
Abschirmung
bewirkt
auch
eine
Abschirmung
von
Rauschen
oder
von
zusätzlichen
Effekten
durch
die
Kontaktierung
des
Kontaktbereiches
in
Bezug
auf
etwaige
Kontaktierungen
der
weiteren
Bereiche,
beispielsweise
der
CMOS-Strukturen.
EuroPat v2
Since
the
manufacturing
facilities
required
for
mask
technology
are
costly
and
expensive,
these
same
manufacturing
facilities
are
used
customarily
for
the
manufacturing
of
the
lower
layers
containing
CMOS
structural
components,
as
they
are
for
the
layers
near
the
surface.
Da
die
für
die
Maskentechnik
benötigten
Fertigungsanlagen
aufwendig
und
teuer
sind,
werden
nämlich
üblicherweise
zum
Herstellen
der
unteren,
die
CMOS-Bauelemente
enthaltenden
Schichten
dieselben
Fertigungsanlagen
verwendet,
wie
für
die
oberflächennahen
Schichten.
EuroPat v2
However,
the
increasing
miniaturization
of
integrated
amplifier
circuits
in
CMOS
technology,
combined
with
complex
integrated
solutions
in
the
arrangement
of
individual
circuits,
lead
to
a
further
reduction
of
the
spatial
dimension
of
the
CMOS
structures
which
are
realized
in
this
manner,
typically
on
the
order
of
0.35
?m
and
less.
Die
zunehmende
Miniaturisierung
integrierter
Verstärkerschaltungen
in
CMOS-Technologie,
auch
in
Verbindung
mit
komplexeren
Gesamtlösungen
in
einer
einzelnen
integrierten
Schaltungsanordnung,
führt
jedoch
zu
einer
weiteren
Verringerung
der
räumlichen
Ausdehnung
der
dabei
realisierten
CMOS-Strukturen,
typischerweise
im
Bereich
von
0,35
µm
und
darunter.
EuroPat v2
The
contact
hole
is
subsequently
provided
with
an
insulating
contact
hole
filling
KF,
and
the
remaining
surface
of
the
semiconductor
body
is
provided
with
a
second
passivation
layer
PS
2
in
order
to
protect
the
CMOS
structures.
Anschließend
kann
das
Kontaktloch
mit
einer
isolierenden
Kontaktlochfüllung
KF
versehen
werden
und
die
übrige
Oberfläche
des
Halbleiterkörpers
mit
einer
zweiten
Passivierungsschicht
PS2
zum
Schutz
der
CMOS-Strukturen
versehen
werden.
EuroPat v2