Translation of "Compound material" in German

The semiconductor arrangements according to the invention preferably consist of III/V compound semiconductor material.
Die Halbleiteranordnungen nach der Erfindung bestehen vorzugsweise aus III/V-Verbindungshalbleitermaterial.
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Compound semiconductor material is often used in the manufacture of electronic components.
Bei der Herstellung elektronischer Bauelemente wird vielfach Verbindungshalbleitermaterial verwendet.
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Compound semiconductor material, in particular, is of interest for the invention.
Insbesondere Verbindungshalbleitermaterial ist für die Erfindung von Interesse.
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In one embodiment of the invention, the compound material is at least substantially impermeable to fluids such as a liquid.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist das Verbundmaterial zumindest im wesentlichen fluidundurchlässig.
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The compound material preferably possesses a closed, non-porous structure.
Der Verbundwerkstoff besitzt vorzugsweise eine geschlossene, porenfreie Struktur.
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The surface of the test body formed by the compound material is extremely difficult to grind.
Die von dem Verbundwerkstoff gebildete Oberfläche des Probekörpers ließ sich extrem schwierig schleifen.
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After the materials have been bonded together the compound material can be removed and processed further.
Nach dem jeweiligen Verbinden der Materialien kann das Verbundmaterial entnommen und weiterverarbeitet werden.
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The compound material permits the use of a particularly favorable combination of mechanical supporting behavior and electrical conducting behavior.
Der Verbundwerkstoff ermöglicht eine besonders günstige Kombination von mechanischem Trag- und elektrischem Leit-Verhalten.
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At least one of the active regions may contain a III-V compound semiconductor material.
Zumindest einer der aktiven Bereiche kann ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial enthalten.
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The tunnel region and optionally further tunnel regions may be based on an arsenide compound semiconductor material.
Der Tunnelbereich und gegebenenfalls weitere Tunnelbereiche können auf einem Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial basieren.
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The layers of the semiconductor component are preferably based on a III-V compound semiconductor material.
Die Schichten des Halbleiterbauelements basieren bevorzugt auf einem III/V-Verbindungshalbleitermaterial.
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In one further preferred further development the field-shaping layers each contain a compound semiconductor material.
In einer weiteren bevorzugten Weiterbildung enthalten die Feldformungsschichten jeweils ein Verbindungshalbleitermaterial.
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This light-emitting diode chip 2 is then preferably based on an arsenide compound semiconductor material.
Dieser Leuchtdiodenchip 2 basiert dann vorzugsweise auf einem Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial.
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