Translation of "Dangling bonds" in German
Hydrogen
can
cover
dangling
bonds
and
can
heal
defects.
Wasserstoff
kann
freie
Bindungen
absättigen
und
Defekte
ausheilen.
ParaCrawl v7.1
Hydrogen
serves
to
saturate
the
so
called
dangling
bonds
and
reduces
the
number
of
traps
in
the
mobility
gap.
Dieser
dient
zur
Absättigung
von
»dangling
bonds«
und
führt
so
zu
einer
Verringerung
der
lokalisierten
Zustände
in
der
Beweglichkeitslücke.
EuroPat v2
Prior
to
depositing
an
approximately
1
micron
thick
a-Si
layer
12,
112,
it
has
proved
advantageous
to
expose
the
polycrystalline
Si
layer,
at
a
medium
temperature
of
about
between
150°
C.
and
450°
C.,
to
a
hydrogen
plasma,
to
saturate
remaining
dangling
bonds.
Bevor
weiter
die
a-Si-Schicht
12,
112
der
Dicke
von
etwa
1
11m
aufgebracht
wird,
erweist
es
sich
im
allgemeinen
als
vorteilhaft,
die
polykristalline
Silizium-Schicht
bei
einer
mittlerem
Temperatur
von
ca,
150°C Bindungen
abzusättigen.
EuroPat v2
These
favorable
characteristics
are
due
to
the
hydrogen
present
in
the
insulator
layers,
which
saturates
the
dangling
bonds
of
the
silicon.
Dieses
günstige
Verhalten
ist
auf
den
in
den
Isolatorschichten
vorhandenen
Wasserstoff
zurückzuführen,
der
die
freien
Bindungen
des
Siliziums
absättigt.
EuroPat v2
The
effective
charge
carrier
life
of
crystalline
silicon
is
limited
by
crystal
defects
(offsets
or
flaws),
by
crystal
impurities
(including
metal
atoms),
and
by
the
quality
of
the
crystal
surface
(e.g.
dangling
bonds).
Die
effektive
Ladungsträger-Lebensdauer
von
kristallinem
Silicium
wird
durch
Kristallfehler
(Versetzungen
oder
Fehlstellen),
durch
Kristallverunreinigungen
(u.a.
Metallatome)
und
durch
die
Beschaffenheit
der
Kristalloberfläche
(z.B.
freie
Bindungen)
begrenzt.
EuroPat v2
Firstly,
the
hydrogen
contained
in
the
layer
collects
at
the
silicon
surface
and
passivates
dangling
silicon
bonds,
such
that
these
become
electronically
ineffective.
Erstens
lagert
sich
der
in
der
Schicht
enthaltene
Wasserstoff
an
die
Siliciumoberfläche
an
und
passiviert
freie
Siliciumbindungen,
so
dass
diese
elektronisch
unwirksam
werden.
EuroPat v2
In
this
hydrogen
treatment
of
the
silicon
wafers,
Si--Hx
-bonds
can
occur
which
passivate
the
"dangling
bonds"
at
grain
boundaries
and
at
internal
grain
defects.
Bei
dieser
Wasserstoff-Behandlung
der
Siliciumscheiben
können
Si-H
x
-Bindungen
entstehen,
welche
die
"dangling
bonds"
an
Korngrenzen
und
an
Innerkorndefekten
passivieren.
EuroPat v2
While
in
the
former
mechanism
recombination
centres
such
as,
for
example,
free
bonds
(so-called
dangling
bonds)
are
removed
on
account
of
the
passivation
layer,
the
recombination
activity
in
the
case
of
field
effect
passivation
is
reduced
by
free
charge
carriers
being
forced
away
from
the
semiconductor
surface.
Während
beim
ersteren
Mechanismus
Rekombinationszentren,
wie
beispielsweise
freie
Bindungsstellen
(sogenannten
Dangling
Bonds),
aufgrund
der
Passivierschicht
entfernt
werden,
wird
die
Rekombinationsaktivität
bei
der
Feldeffektpassivierung
dadurch
vermindert,
dass
freie
Ladungsträger
von
der
Halbleiteroberfläche
weggedrückt
werden.
EuroPat v2
On
the
other
hand,
it
is
not
possible
to
dispense
with
the
hydrogen
content
in
the
forming
gas,
since
free
bonds
(“dangling
bonds”)
in
the
semiconductor,
in
particular
at
the
interfaces
with
the
electrodes,
and
in
the
gate
oxide
are
to
be
saturated
by
the
hydrogen.
Auf
den
Wasserstoffanteil
im
Formiergas
kann
andererseits
nicht
verzichtet
werden,
da
durch
den
Wasserstoff
freie
Bindungen
("dangling
bonds")
im
Halbleiter,
insbesondere
an
den
Grenzflächen
zu
Elektroden,
und
im
Gate-Oxid
abgesättigt
werden
sollen.
EuroPat v2
As
a
result
of
longer
conversion
times,
the
layers
which
form
lose
more
hydrogen,
which
saturates
defects
sites,
called
dangling
bonds.
Durch
längere
Konvertierungszeiten
verlieren
die
entstehenden
Schichten
mehr
Wasserstoff,
welcher
Fehlstellen,
sogenannte
dangling
bonds,
absättigt.
EuroPat v2
On
the
contrary,
edge
disorder
due
to
random
saturation
of
the
dangling
bonds
along
the
edges
of
the
graphene
sheet
does
not
broaden
the
bound
states
of
the
quantum
dot,
making
such
systems
well
suited
for
experimental
spectroscopic
studies.
Im
Gegensatz
dazu
verbreitert
Randunordnung,
z.
B.
infolge
einer
zufälligen
Sättigung
der
offenen
Bindungen
entlang
der
Kanten
der
Graphenschicht,
die
gebundenen
Zustände
des
Quantenpunkts
nicht,
sodass
sich
solche
Systeme
gut
für
experimentelle
spektroskopische
Studien
eignen.
ParaCrawl v7.1
This
makes
the
plasma
silicon
nitride
structures
particularly
suitable
for
surface
passivation
(low
surface
recombination
velocity)
of
solar
cells
thanks
to
their
extremely
low
surface
state
densities
at
deposition/annealing
temperatures
between
400°
C.
and
500°
C.
These
favorable
characteristics
are
due
to
the
hydrogen
present
in
the
insulator
layers,
which
saturates
the
dangling
bonds
of
the
silicon.
Somit
sind
die
Plasma-Siliziumnitridstrukturen
wegen
ihrer
extrem
niedrigen
Oberflächenzustandsdichten
bei
Abscheide-
bzw.
Tempertemperaturen
zwischen
400°C
und
500°C
für
die
Oberflächenpassivierung
(niedrige
Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit)
von
Solarzellen
besonders
gut
geeignet.
Dieses
günstige
Verhalten
ist
auf
den
in
den
Isolatorschichten
vorhandenen
Wasserstoff
zurückzuführen,
der
die
freien
Bindungen
des
Siliziums
absättigt.
EuroPat v2
The
above
mentioned
condition
can
be
selectively
fulfilled
through
a
specific
chemical
structure
of
the
a-C:H
layers,
in
particular
through
a
specific
ratio
of
sp2
--to
sp3
--bond
portions
of
the
C-atoms
with
the
saturation
of
free
C-valencies
("dangling
bonds")
through
H-atoms.
Die
vorstehend
genannte
Bedingung
kann
durch
eine
bestimmte
chemische
Struktur
der
a-C:H-Schichten
gezielt
erfüllt
werden,
insbesondere
durch
ein
bestimmtes
Verhältnis
von
sp²
-
zu
sp³-Bindungsanteilen
der
C-Atome
unter
Absättigung
freier
C-Valenzen
("dangling
bonds")
durch
H-Atome.
EuroPat v2
Attempts
are
made
in
the
following
ways
to
reduce
the
level
of
dangling
bonds
(unsatisfied
silicon
bonds)
or
improve
the
surface
properties:
(1)
(Atomic)
hydrogen
is
introduced
to
satisfy
these
free
bonds.
Auf
folgenden
Wegen
versucht
man
dort,
die
Dangling
Bonds
(nicht
abgesättigte
Silizium-Bindungen)
zu
reduzieren
bzw.
die
Oberflächeneigenschaften
zu
verbessern:
(1)
Es
wird
(atomarer)
Wasserstoff
eingetrieben,
um
diese
freien
Bindungen
abzusättigen.
EuroPat v2