Translation of "Dc bias" in German

A DC bias voltage of 500 V is applied only to the substrate retainer.
Lediglich an den Substrathalter wird eine DC-Biasspannung von 500 V angelegt.
EuroPat v2
The TruPlasma Bias Series 4000 is a state-of-the-art product family of pulsed DC bias generators.
Die TruPlasma Bias Serie 4000 ist eine Produktfamilie modernster gepulster DC-Bias-Generatoren.
ParaCrawl v7.1
The DC bias voltage and the match requirements are the same.
Die DC-Vorspannung und die Anpassungs-Anforderungen sind die gleichen.
EuroPat v2
The DC bias of the relevant transducer element is frequency-dependent in an advantageous variation.
Die DC-Vorspannung des jeweiligen Wandlerelements ist in einer vorteilhaften Variante frequenzabhängig.
EuroPat v2
Compared to MLCCÂ ?s, H-Chips do not have a DC-Bias behavior.
Im Vergleich zu Keramikkondensatoren besitzen H-Chips kein DC-Bias Verhalten.
ParaCrawl v7.1
The TruPlasma Bias Series 3000 is a diverse group of state-of-the-art DC bias generators.
Die TruPlasma Bias Serie 3000 ist eine vielseitige Gruppe modernster DC-Bias-Generatoren.
ParaCrawl v7.1
The TruPlasma Bias Series 4000 is a state-of-the-art family of pulsed DC bias generators.
Die TruPlasma Bias Serie 4000 ist eine Produktfamilie modernster gepulster DC-Bias-Generatoren.
ParaCrawl v7.1
In the state without DC bias, the remaining input is connected to the antenna input of the television receiver.
Im Zustand ohne Gleichvorspannung wird der verbliebene Eingang an den Antenneneingang des Fernsehempfängers angeschlossen.
EuroPat v2
The result is a reduction of the DC self bias and therefore of the ion striking energies.
Die Folge hiervon ist eine Reduktion der DC Self Bias und damit der Ionenauftreffenergien.
EuroPat v2
A DC substrate bias of ?40 V is applied to the substrates during this step.
An die Substrate wird ein DC Substratbias von -40 V während dieses Schrittes anlegt.
EuroPat v2
The propagation speed will determine the center frequency of the transmission/template spectrum and can be calibrated by DC bias voltage.
Die Ausbreitungsgeschwindigkeit bestimmt die Mittenfrequenz des Sende-/Vorgaben-Spektrums und kann mittels einer DC-Vorspannung kalibriert werden.
EuroPat v2
The noise generator 61 can be implemented, for example, with a zener diode whose cathode is connected through a resistor to a positive DC bias and whose anode is grounded, as is known from DE-C2 28 20 426.
Der Rauschgenerator 61 kann beispielsweise durch eine Zenerdiode realisiert sein, deren Kathode über einen Widerstand an einer positiven Gleich-Vorspannung liegt und deren Anode auf Masse liegt, wie aus DE-C2 28 20 426 bekannt.
EuroPat v2
The noise generator 61, for example, can also be implemented with two zener diodes whose respective cathodes are connected through a resistor to a positive DC bias and whose anodes are grounded.
Beispielsweise kann der Rauschgenerator 61 auch durch zwei Zenerdioden realisiert sein, deren Kathoden jeweils über einen Widerstand an einer positiven Gleich-Vorspannung liegen und deren Anoden auf Masse liegen.
EuroPat v2
This arrangement comprises an antenna switch which has semiconductor switching elements connecting one of two input terminals to an output terminal when a DC bias voltage is supplied so as to apply a signal to the television receiver.
Diese Anordnung umfaßt einen Antennenschalter, der Halbleiter-Schaltelemente aufweist, die beim Zuführen einer Gleichvorspannung einen von zwei Eingangsanschlüssen mit einem Ausgangsanschluß verbinden, um ein Signal an den Fernsehempfänger zu liefern.
EuroPat v2
Finally, the substrate can work with a switched bias (DC, 10 kHz to 100 MHz) and be heated or cooled.
Schliesslich kann das Substrat mit einem eingeschalteten Bias (DC, 10 kHz bis 100 MHz) arbeiten sowie erwärmt oder gekühlt werden.
EuroPat v2
The ion bombardment and the resulting layer densification during the sputtering process can additionally be aided by a parallel-operated low-voltage arc and/or a magnetic field applied for stabilizing and intensifying the plasma, and/or by applying a DC bias voltage to the substrate or by applying a medium frequency bias between the substrate and the process chamber in the range of from 1 to 10,000, particularly between 20 and 250 kHz.
Der Ionenbeschuss und die damit bewirkte Schichtverdichtung während des Sputterprozesses kann zusätzlich durch einen parallel betriebenen Niedervoltbogen und/oder ein zur Stabilisierung bzw. Intensivierung des Plasmas angelegtes Magnetfeld, und/oder durch das Anlegen einer DC-Biasspannung am Substrat oder durch das Anlegen eines Mittelfrequenzbias zwischen Substrat und Prozesskammer im Bereich von 1 bis 10.000, insbesondere zwischen 20 bis 250 kHz unterstützt werden.
EuroPat v2
Preferably, if a DC bias was used for applying the adhesive layer, when the transition layer is applied, a medium frequency generator is first connected to the holding device, which medium frequency generator emits its voltage pulses (a regulating by controlling the fed power is also possible, but not preferred) in the form of a sinusoidal or of another bipolar or unipolar signal course.
Vorzugsweise wird, falls für das Aufbringen der Haftschicht ein DC-Bias verwendet wurde, beim Aufbringen der Uebergangsschicht, zunächst an die Halterungsvorrichtung ein Mittelfrequenzgenerator angeschlossen, der seine Sapnnungsimpulse (Regelung über Steuerung der eingebrachten Leistung ist ebenfalls möglich, aber nicht bevorzugt) in Form eines sinus-, oder eines anderen bi- bzw. auch unipolaren Signalverlaufs abgibt.
EuroPat v2
The sputtering process is aided by the connection of the low-voltage arc and the application of a negative DC bias voltage of 75 V to the substrate.
Der Sputterprozess wird durch die Zuschaltung des Niedervoltbogens und das Anlegen einer negativen DC-Biasspannung von 75 V am Substrat unterstützt.
EuroPat v2
In this case, the substrate retainer can be operated with both an RF bias and a DC bias.
In diesem Fall kann der Substrathalter sowohl mit einer HF-Bias, als auch mit einer DC-Bias betrieben werden.
EuroPat v2

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