Translation of "Depletion region" in German

It is not possible to reduce the size of the depletion region further in the case of these diodes.
Eine weitere Verkleinerung des Verarmungsgebiets ist bei diesen Dioden nicht möglich.
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Again for the sake of clarity only the further extending boundry 26 of this depletion region is shown.
Auch hier ist aus Gründen der Klarheit der Darstellung nur die Grenze 26 dieser Verarmungszone eingezeichnet.
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The lateral extent of the depletion region can be chosen independently of the size of the electrode.
Die laterale Ausdehnung des Verarmungsgebiets kann unabhängig von der Größe der Elektrode gewählt werden.
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In a pin structure, the thickness of the depletion region/layer can vary, given a radio-frequency alternating voltage having a large amplitude.
In einer pin Struktur könnte die Dicke der Verarmungszone bei hochfrequenter Wechselspannung großer Amplitude variieren.
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When the device is biased, say for example, with eight volts between terminals 20 and 21, a depletion region is created around the junction 15 which, as indicated by dotted line 25, extends a distance of about 1 micron into the N- type material 11a.
Wenn die Anordnung beispielsweise mit 8 V zwischen den Anschlüssen 20 und 21 vorgespannt wird, bildet sich um den Übergang 15 eine Verarmungszone aus, die sich, wie durch die gestrichelte Linie 25 angedeutet, bis zu einem Abstand von ungefähr 1,um in das N-leitende Material 11 a a erstreckt.
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If however, the IG-FET has a channel region doping, which already in itself corresponds to a depletion type, then one can also by means of the subsequent loading of its memory gate with the majority charge carriers, attain the first displacement of the characteristic, as if now the IG-FET had for example an enhancement type or inhibiting type channel region; or, by subsequent loading with the minority charge carriers, also can achieve the opposing displacement of the characteristic, as if it had an even more strongly doped depletion type channel region.
Hat der IG-FET aber eine Kanalbereich-Dotierung, die bereits für sich einem Verarmungstyp entspricht, dann kann man ebenfalls durch die nachträgliche Aufladung seines Speichergate mit den Majoritäladungsträgern die erste Verschiebung der Kennlinie erreichen, als ob nun der IG-FET z. B. einen Anreicherungstyp-oder Sperrtyp-Kanalbereich hätte; oder durch nachträgliche Aufladung mit den Minoritäts - Ladungsträgern auch die entgegengesetzte Verschiebung der Kennlinie erreichen, als ob er einen noch stärker dotierten Verarmungstyp-Kanalbereich hätte.
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For the described bias this depletion region will extend about 10 microns into the body 31 so that the lower edge of this depletion in the body is about 18 microns from the surface of the body as indicated by dotted line 49.
Bei der beschriebenen Vorspannung dehnt sich diese Verarmungszone ungefähr 10µm in das Substrat 31 hinein aus, so daß die Unterkante dieser Verarmungszone ungefähr 18,um von der Oberfläche der Anordnung entfernt ist, wie durch die gestrichelte Linie 49 angedeutet.
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Because of the concentration of ring 34 and region 34a, the depletion region does not extend very far in them.
Wegen der Konzentration des Isolationsringes 34 und des Bereichs 34a dehnt sich die Verarmungszone nicht weit in diesen Gebieten aus.
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Examples of other possible implementations include the use of a P diffusion within an N epi bed and the epi bed is used to form a resistor whose change with temperature is compensated by changes in the depletion region formed by the reverse biased P region.
Beispiele anderer möglicher Realisierungen der Kompensation des Temperaturganges können darin gesehen werden, daß eine P-Zone innerhalb einer N-Epitaxieschicht und die Epitaxieschicht verwendet wird, um einen Widerstand zu bilden, dessen Temperaturänderung durch Änderungen der Verarmungszone kompensiert wird, die durch die umgekehrt vorgespannte P-Zone gebildet wird.
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If on the other hand the memory gate is loaded with minority charge carriers of the source or of the drain, thus with electrons in the case of p-channel, or respectively, with holes in the case of n-channel, then already because of this memory gate charging alone, an opposing displacememt of the characteristic takes place, as if it now had a depletion type channel region, although it has an enhancement type channel region.
Ist hingegen das Speichergate mit Minoritäts-Ladungsträgern der Source bzw. des Drain aufgeladen, also mit Elektronen bei p-Kanal bzw. mit Löchern bei n-Kanal, dann findet alleine schon wegen dieser Speichergateaufladung eine entgegengesetze Verschiebung der Kennlinie statt, als ob er nun einen Verarmungstyp-Kanalbereich hätte, obwohl er einen Anreicherungstyp-Kanalbereich hat.
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The depletion region forms in the intrinsic region 5, if the PIN diode is operated in the reverse direction.
In dem intrinsischen Gebiet 5 bildet sich das Verarmungsgebiet aus, wenn die PIN-Diode in Sperrichtung betrieben wird.
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The trench 20 limits the lateral extent of the depletion region, if the PIN diode 50 is operated in the reverse direction.
Der Graben 20 begrenzt die laterale Ausdehnung des Verarmungsgebiets, wenn die PIN-Diode in Sperrichtung betrieben wird.
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This construction makes it possible, for example, to produce a round diode whose depletion region has a radius of about 60 ?m, in which the electrode required for bonding has a radius of 110 ?m.
Mit diesem Aufbau gelingt es, beispielsweise eine runde Diode herzustellen, deren Verarmungsgebiet einen Radius von etwa 60 µ m aufweist, wobei die zum Bonden benötigte Elektrode einen Radius von 110 µ m aufweist.
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The diode has the advantage that the extent of the depletion region, and thus the area capacitance of the diode, and the size of the electrode are decoupled from one another.
Die erfindungsgemäße Diode besitzt den Vorteil, daß die Ausdehnung des Verarmungsgebiets, und damit die Flächenkapazität der Diode, und die Größe der Elektrode voneinander entkoppelt sind.
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