Translation of "Depletion region" in German
It
is
not
possible
to
reduce
the
size
of
the
depletion
region
further
in
the
case
of
these
diodes.
Eine
weitere
Verkleinerung
des
Verarmungsgebiets
ist
bei
diesen
Dioden
nicht
möglich.
EuroPat v2
Again
for
the
sake
of
clarity
only
the
further
extending
boundry
26
of
this
depletion
region
is
shown.
Auch
hier
ist
aus
Gründen
der
Klarheit
der
Darstellung
nur
die
Grenze
26
dieser
Verarmungszone
eingezeichnet.
EuroPat v2
The
lateral
extent
of
the
depletion
region
can
be
chosen
independently
of
the
size
of
the
electrode.
Die
laterale
Ausdehnung
des
Verarmungsgebiets
kann
unabhängig
von
der
Größe
der
Elektrode
gewählt
werden.
EuroPat v2
In
a
pin
structure,
the
thickness
of
the
depletion
region/layer
can
vary,
given
a
radio-frequency
alternating
voltage
having
a
large
amplitude.
In
einer
pin
Struktur
könnte
die
Dicke
der
Verarmungszone
bei
hochfrequenter
Wechselspannung
großer
Amplitude
variieren.
EuroPat v2
When
the
device
is
biased,
say
for
example,
with
eight
volts
between
terminals
20
and
21,
a
depletion
region
is
created
around
the
junction
15
which,
as
indicated
by
dotted
line
25,
extends
a
distance
of
about
1
micron
into
the
N-
type
material
11a.
Wenn
die
Anordnung
beispielsweise
mit
8
V
zwischen
den
Anschlüssen
20
und
21
vorgespannt
wird,
bildet
sich
um
den
Übergang
15
eine
Verarmungszone
aus,
die
sich,
wie
durch
die
gestrichelte
Linie
25
angedeutet,
bis
zu
einem
Abstand
von
ungefähr
1,um
in
das
N-leitende
Material
11
a
a
erstreckt.
EuroPat v2
If
however,
the
IG-FET
has
a
channel
region
doping,
which
already
in
itself
corresponds
to
a
depletion
type,
then
one
can
also
by
means
of
the
subsequent
loading
of
its
memory
gate
with
the
majority
charge
carriers,
attain
the
first
displacement
of
the
characteristic,
as
if
now
the
IG-FET
had
for
example
an
enhancement
type
or
inhibiting
type
channel
region;
or,
by
subsequent
loading
with
the
minority
charge
carriers,
also
can
achieve
the
opposing
displacement
of
the
characteristic,
as
if
it
had
an
even
more
strongly
doped
depletion
type
channel
region.
Hat
der
IG-FET
aber
eine
Kanalbereich-Dotierung,
die
bereits
für
sich
einem
Verarmungstyp
entspricht,
dann
kann
man
ebenfalls
durch
die
nachträgliche
Aufladung
seines
Speichergate
mit
den
Majoritäladungsträgern
die
erste
Verschiebung
der
Kennlinie
erreichen,
als
ob
nun
der
IG-FET
z.
B.
einen
Anreicherungstyp-oder
Sperrtyp-Kanalbereich
hätte;
oder
durch
nachträgliche
Aufladung
mit
den
Minoritäts
-
Ladungsträgern
auch
die
entgegengesetzte
Verschiebung
der
Kennlinie
erreichen,
als
ob
er
einen
noch
stärker
dotierten
Verarmungstyp-Kanalbereich
hätte.
EuroPat v2
For
the
described
bias
this
depletion
region
will
extend
about
10
microns
into
the
body
31
so
that
the
lower
edge
of
this
depletion
in
the
body
is
about
18
microns
from
the
surface
of
the
body
as
indicated
by
dotted
line
49.
Bei
der
beschriebenen
Vorspannung
dehnt
sich
diese
Verarmungszone
ungefähr
10µm
in
das
Substrat
31
hinein
aus,
so
daß
die
Unterkante
dieser
Verarmungszone
ungefähr
18,um
von
der
Oberfläche
der
Anordnung
entfernt
ist,
wie
durch
die
gestrichelte
Linie
49
angedeutet.
EuroPat v2
Because
of
the
concentration
of
ring
34
and
region
34a,
the
depletion
region
does
not
extend
very
far
in
them.
Wegen
der
Konzentration
des
Isolationsringes
34
und
des
Bereichs
34a
dehnt
sich
die
Verarmungszone
nicht
weit
in
diesen
Gebieten
aus.
EuroPat v2
Examples
of
other
possible
implementations
include
the
use
of
a
P
diffusion
within
an
N
epi
bed
and
the
epi
bed
is
used
to
form
a
resistor
whose
change
with
temperature
is
compensated
by
changes
in
the
depletion
region
formed
by
the
reverse
biased
P
region.
Beispiele
anderer
möglicher
Realisierungen
der
Kompensation
des
Temperaturganges
können
darin
gesehen
werden,
daß
eine
P-Zone
innerhalb
einer
N-Epitaxieschicht
und
die
Epitaxieschicht
verwendet
wird,
um
einen
Widerstand
zu
bilden,
dessen
Temperaturänderung
durch
Änderungen
der
Verarmungszone
kompensiert
wird,
die
durch
die
umgekehrt
vorgespannte
P-Zone
gebildet
wird.
EuroPat v2
If
on
the
other
hand
the
memory
gate
is
loaded
with
minority
charge
carriers
of
the
source
or
of
the
drain,
thus
with
electrons
in
the
case
of
p-channel,
or
respectively,
with
holes
in
the
case
of
n-channel,
then
already
because
of
this
memory
gate
charging
alone,
an
opposing
displacememt
of
the
characteristic
takes
place,
as
if
it
now
had
a
depletion
type
channel
region,
although
it
has
an
enhancement
type
channel
region.
Ist
hingegen
das
Speichergate
mit
Minoritäts-Ladungsträgern
der
Source
bzw.
des
Drain
aufgeladen,
also
mit
Elektronen
bei
p-Kanal
bzw.
mit
Löchern
bei
n-Kanal,
dann
findet
alleine
schon
wegen
dieser
Speichergateaufladung
eine
entgegengesetze
Verschiebung
der
Kennlinie
statt,
als
ob
er
nun
einen
Verarmungstyp-Kanalbereich
hätte,
obwohl
er
einen
Anreicherungstyp-Kanalbereich
hat.
EuroPat v2
The
depletion
region
forms
in
the
intrinsic
region
5,
if
the
PIN
diode
is
operated
in
the
reverse
direction.
In
dem
intrinsischen
Gebiet
5
bildet
sich
das
Verarmungsgebiet
aus,
wenn
die
PIN-Diode
in
Sperrichtung
betrieben
wird.
EuroPat v2
The
trench
20
limits
the
lateral
extent
of
the
depletion
region,
if
the
PIN
diode
50
is
operated
in
the
reverse
direction.
Der
Graben
20
begrenzt
die
laterale
Ausdehnung
des
Verarmungsgebiets,
wenn
die
PIN-Diode
in
Sperrichtung
betrieben
wird.
EuroPat v2
This
construction
makes
it
possible,
for
example,
to
produce
a
round
diode
whose
depletion
region
has
a
radius
of
about
60
?m,
in
which
the
electrode
required
for
bonding
has
a
radius
of
110
?m.
Mit
diesem
Aufbau
gelingt
es,
beispielsweise
eine
runde
Diode
herzustellen,
deren
Verarmungsgebiet
einen
Radius
von
etwa
60
µ
m
aufweist,
wobei
die
zum
Bonden
benötigte
Elektrode
einen
Radius
von
110
µ
m
aufweist.
EuroPat v2
The
diode
has
the
advantage
that
the
extent
of
the
depletion
region,
and
thus
the
area
capacitance
of
the
diode,
and
the
size
of
the
electrode
are
decoupled
from
one
another.
Die
erfindungsgemäße
Diode
besitzt
den
Vorteil,
daß
die
Ausdehnung
des
Verarmungsgebiets,
und
damit
die
Flächenkapazität
der
Diode,
und
die
Größe
der
Elektrode
voneinander
entkoppelt
sind.
EuroPat v2