Translation of "Discrete semiconductor" in German

Discrete semiconductor components enable the optimization of individual performance features for specific circuit applications.
Diskrete Halbleiterbauelemente ermöglichen die Optimierung einzelner Leistungsmerkmale für spezifische Schaltungsanwendungen.
EuroPat v2
Alternatively, so-called discrete power semiconductor components are for example used in suitable built-on accessories.
Alternativ kommen in entsprechenden Aufbauten beispielsweise sogenannte diskrete Leistungshalbleiterbauteile zum Einsatz.
EuroPat v2
Finally, power modules are known which included discrete, disk-shaped semiconductor devices based on a substantially more costly construction.
Schließlich sind Leistungsmodule bekannt, welche diskrete scheibenförmige Halbleiterbauelemente mit einem erheblich kostenintensiven Aufbau aufweisen.
EuroPat v2
Certain machines and appliances for the manufacture of monolithic integrated circuits or of discrete semiconductor components (by the production, machining and dicing of wafers), for example crystal pullers for the synthetic production of silicon rods.
C. bestimmte Maschinen und Apparate zum Herstellen von monolithischen integrierten Schaltungen oder von diskreten Halbleiterbauelementen (durch Herstellen, Bearbeiten und Zerteilen von Wafern), wie z.B. Kristall ziehanlagen zum synthetischen Herstellen von Siliciumstaben.
EUbookshop v2
However, many machines and appliances for the manufacture of printed circuit boards, hybrid or monolithic integrated circuits or discrete semiconductor components are covered more precisely by other headings and are therefore excluded from this subheading.
Viele Maschinen und Apparate zum Herstellen von gedruckten Schaltungen, von hybriden oder monolithischen integrierten Schaltungen oder von diskreten Halbleiterbauelementen werden von anderen Positionen genauer erfaßt und sind deshalb von dieser Unterposition ausgenommen.
EUbookshop v2
The present invention relates to a radiation-sensitive coating composition containing a polyimide dissolved in an organic solvent and an organic chromophoric polyazide, to a photographic recording material for relief images and to the use of the coating composition for preparing insulating and protective finishes, in particular for producing printed circuits, discrete semiconductor devices and integrated circuits.
Die vorliegende Erfindung betrifft ein strahlungsempfindliches Beschichtungsmittel enthaltend ein in einem organischen Lösungsmittel gelöstes Polyimid und ein organisches chromophores Polyazid, ein photographisches Aufzeichnungsmaterial für Reliefabbildungen und die Verwendung des Beschichtungsmittels zum Aufbringen von Isolier- und Schutzlacken, insbesondere Zur Herstellung von gedruckten Schaltungen, diskreten Halbleiterbauelementen und von integrierten Schaltkreisen.
EuroPat v2
Preferred uses are the applying of insulating and protective finishes and especially the production of printed circuits, discrete semiconductor devices and integrated circuits.
Bevorzugte Anwendungen sind das Aufbringen von Isolier- und Schutzlacken und vor allem die Herstellung von gedruckten Schaltungen, diskreten Halbleiterbauelementen und von integrierten Schaltkreisen.
EuroPat v2
Discrete and integrated semiconductor components, particularly those used in MOS-technologies, require electroactive passivation layers due to their sensitivity to static charges.
Diskrete und integrierte Halbleiterbauelemente, insbesondere solche in MOS-Technologien, benötigen - aufgrund ihrer Empfindlichkeit gegen oberflächliche Aufladungen - elektroaktive Passivierschichten.
EuroPat v2
Discrete and integrated semiconductor components, particularly those used in MOS [metal oxide semiconductor] technology, are sensitive to disturbances caused by surface charges and therefore require, especially at the locations where p-n junctions appear at the surface, semiconductive electroactive passivation and protective layers.
Diskrete und integrierte Halbleiterbauelemente, insbesondere solche in MOS-Technologien, sind empfindlich gegen Störungen durch Oberflächenladungen und benötigen deshalb, vor allem an den Stellen, an denen pn-Übergänge an die Oberfläche treten, halbleitende elektroaktive Passivier- und Schutzschichten.
EuroPat v2
At the required frequency band width of approximately 20 MHz, the photoamplifiers, as well as the sample-and-hold circuits, can be advantageously constructed with discrete microwave semiconductor components.
Die Fotoverstärker sowie die Abtast- und Halteschaltungen können bei der erforderlichen Frequenzbandbreite von etwa 20 MHz vorteilhaft mit diskreten Mikrowellenhalbleiterkomponenten aufgebaut werden.
EuroPat v2
Of course, changeover switches 21 through 23 must not necessarily be discrete switches or semiconductor switches, but can also be constituted as switchovers effected by software.
Selbstverständlich müssen die Umschalter 21 bis 23 nicht als diskrete Schalter bzw. Halbleiterschalter realisiert sein, sondern es kann sich hierbei selbstverständlich auch um über die Software bewirkte Umschaltungen handeln.
EuroPat v2
The identifying device 6 is preferably at least one high-resolution sensor, which may be a discrete semiconductor sensor or CCD linear sensor, which may be contained in one or more cameras, in order to detect visible light which is reflected as reflection light by the surface of the fragments.
Bei der Erkennungsvorrichtung 6 handelt es sich vorzugsweise um zumindest einen hochauflösenden Sensor, der ein diskreter Halbleitersensor oder CCD Zeilensensor sein kann, die in einer oder mehreren Kameras sich befinden können, zur Erfassung von sichtbaren Licht, das als Reflexionslicht von der Oberfläche der Bruchstücke reflektiert wird.
EuroPat v2
It is understood that the control logic 28 constitutes a module which is comprised of discrete semiconductor devices and, accordingly, processes the signals for the valve and the one from the pressure sensor.
Es versteht sich, dass die Steuerlogik 28 ein Modul darstellt, das aus diskreten Halbleiterbauelementen besteht und die Signale für das Ventil und vom Drucksensor entsprechend verarbeitet.
EuroPat v2
Semiconductor components are manufactured in that first discrete semiconductor elements such as, for example, transistors and systems of transistors with other elements such as, for example, digital transistors, diodes, sensors, resistors, or small capacitors, are manufactured.
Zur Herstellung von Halbleiterbauteile werden zunächst diskrete Halbleiterbauelemente wie beispielsweise Transistoren und Systeme von Transistoren mit anderen Bauelementen, wie zum Beispiel digitale Transistoren, Dioden, Sensoren, Widerstände oder kleine Kapazitäten, hergestellt.
EuroPat v2
Discrete semiconductor components, for example transistors and systems of transistors combined with other components, for example digital transistors, diodes, sensors, resistors, or small capacitances are manufactured as a first step in the manufacture of semiconductor devices.
Zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen werden zunächst diskrete Halbleiterbauelemente z.B. Transistoren und Systeme von Transistoren mit anderen Bauelementen, z.B. digitale Transistoren, Dioden, Sensoren, Widerstände oder kleine Kapazitäten hergestellt.
EuroPat v2
It is important for a satisfactory operation of a discrete semiconductor component or IC that a good electrical and thermal contact obtains between the component body, the electrodes, the carrier, the package, and the connection lines.
Für die Funktionstüchtigkeit eines diskreten Halbleiterbauelementes oder eines ICs ist es wichtig, daß ein guter elektrischer und thermischer Kontakt zwischen dem Bauelementkörper, den Elektroden, dem Träger, dem Gehäuse und den Zuleitungen besteht.
EuroPat v2
These images can be used as protective, insulating or passivating layers, as dielectrics, as soldering masks or as interlayers in discrete or integrated semiconductor components, hybrid circuits, circuit boards or multilayers.
Diese Abbildungen lassen sich als Schutz-, Isolier- oder Passivierschichten, als Dielektrika, als Lötstopmasken oder als Zwischenlagen (interlayers) in Halbleiterbausteinen (diskret oder integriert), Hybridschaltungen, Leiterplatten oder Multilayers verwenden.
EuroPat v2
The measuring preamplifier 106 is embodied by a push-pull bridge amplifier, constructed of discrete semiconductor components, and together with the potentiometrically wired calibration divider constructed as a current divider it raises the level of the input signals.
Der Meßvorverstärker 106 wird durch einen aus diskreten Halbleiterbauelementen aufgebauten Gegentaktbrückenverstärker gebildet und setzt zusammen mit dem als Stromteiler aufgebauten Eichteiler in potentiometrischer Beschaltung die Eingangssignale herauf.
EuroPat v2
With more than 22,000 employees and sales of almost US$ 2.5 billion, this international electronics group based in Malvern, Pennsylvania, USA, is one of the world’s largest manufacturers of discrete semiconductor elements (diodes, rectifiers, transistors, optoelectronic components, integrated circuits) and passive electronics components (resistors, capacitors, inductors, sensors, transformers).
Der international tätige Elektronik-Konzern aus Malvern, Pennsylvania, USA gehört mit mehr als 22.000 Mitarbeitern und einem Umsatz von knapp USD 2,5 Mrd. zu den größten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, Gleichrichter, Transistoren, opto-elektronische Bauteile, integrierte Schaltkreise) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten, Sensoren, Wandler) weltweit.
ParaCrawl v7.1
Diodes Incorporated, a leading global manufacturer and supplier of application specific standard products within the broad discrete and analog semiconductor markets, has announced the completion of its acquisition of Zetex Semiconductors.
Diodes Inc., ein führender internationaler Hersteller und Lieferant von anwendungsspezifischen Standardprodukten im weiten Bereich der diskreten und analogen Halbleiter, hat die Übernahme von Zetex Semiconductors bekannt gegeben.
ParaCrawl v7.1
The first implementations made use of discrete semiconductor components to generate high frequency at 77 GHz and convert it into analyzable signals.
Die ersten Implementierungen bedienten sich diskreter Halbleiter-Bauelemente, um die Hochfrequenz bei 77 GHz zu erzeugen bzw. in auswertbare Signale umzuwandeln.
EuroPat v2
The exclusive contact of the drain terminals D of the discrete power semiconductor switching elements of the half bridge submodules SM enables the series circuit of the half bridge submodules to be constructed in a very compact manner.
Durch die ausschließliche Kontaktierung der Drain-Anschlüsse D der diskreten Leistungshalbleiterschaltelemente der Halbbrücken-Submodule SM kann die Serienschaltung der Halbbrücken-Submodule sehr kompakt aufgebaut werden.
EuroPat v2
For this reason, rugged, discrete semiconductor components such as transistors or diodes may be used to take into account accelerated degeneration of the electrical parameters in the circuit, especially as predominantly radiation-hardened, older integrated semiconductor components, such as ICs, logic gates, etc., which have a pattern size of more than 1 ?m and due to the advances in miniaturization are in short supply in the semiconductor market.
Aus diesem Grund werden vorzugsweise robuste diskrete Halbleiterbauelemente wie Transistoren oder Dioden eingesetzt, um eine beschleunigte Degenerierung der elektrischen Parameter in der Schaltung zu berücksichtigen, zumal überwiegend strahlungsfeste, ältere integrierte Halbleiterbauteile, wie z.B. ICs, Logikgatter etc., die eine Strukturgrössen von mehr 1 µm aufweisen, aufgrund der weit fortgeschrittenen Miniaturisierung kaum mehr auf dem Halbleitermarkt erhältlich sind.
EuroPat v2
Due to the use of discrete semiconductor components, a minimum service life, for example 3 years, which meets the relevant requirements, such as those of a nuclear power station, for example, can therefore be realized.
Durch die Verwendung diskreter Halbleiterbauelement kann somit eine minimale Lebensdauer, wie z.B. von 3 Jahren, entsprechend den einschlägigen Anforderungen, wie z.B. denen bei einem Kernkraftwerk, realisiert werden.
EuroPat v2
The semiconductor bodies are preferably implemented as discrete semiconductor bodies, arranged spaced apart from each other on the common carrier layer.
Die Halbleiterkörper sind vorzugsweise als diskrete Halbleiterkörper, die voneinander beabstandet auf der gemeinsamen Trägerschicht angeordnet sind, ausgeführt.
EuroPat v2

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at its own discretion at the discretion of semiconductor discrete semiconductor
on semiconductor discrete semiconductors your discretion its own discretion
discretionally have discretion over