Translation of "Enhancement mode" in German

BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to binary MOS carry-look-ahead parallel adders which are integrated using enhancement-mode insulated-gate field-effect transistors of the same conductivity type (N- or P-channel) and with which two numbers represented in the n-digit binary code can be added, the carry signal of each digit position being formed by carry look-ahead.
Die Erfindung betrifft binäre MOS-Carry-Look-Ahead-Paralleladdierer, die mittels Isolierschicht-Feldeffekttransistoren gleicher Leitungsart (N- oder P-Kanal) vom Anreicherungstyp integriert sind und mit denen zwei im natürlichen n-stelligen Binärcode dargestellte Zahlen addiert werden können, wobei das Übertragsignal jeder Stelle durch Vorausbestimmung, im Englischen "carry look ahead", gebildet wird.
EuroPat v2
The enhancement-mode field-effect transistors, that is to say the selection transistors, which are also connected to the word line WL 3, have already been turned off by the standby potential of 0 V and are merely given an even higher impedance by the negative potential.
Die Feldeffekttransistoren vom Anreicherungstyp, also die Auswahltransistoren, die ebenfalls mit der Wortleitung WL3 verbunden sind, waren bereits durch das Bereitschaftspotential von 0 V abgeschaltet und werden durch das negative Potential nur noch hochohmiger gemacht.
EuroPat v2
For the sake of simplicity, it will be assumed that enhancement-mode FETs are used for the semiconductor regions, these being normally off and having an n-channel.
Der Einfachheit halber sei angenommen, daß FETs des Anreicherungstyps (Enhancement) für die Halbleiterbereiche eingesetzt werden, die selbstsperrend sind und einen n-Kanal aufweisen.
EuroPat v2
Since the threshold voltage of enhancement mode device T7 is in the range of +1 volt, T7 is rapidly turned on at approximately the point in time at which T6 turns off.
Da die Schwellenspannung des Transistors T7 des Anreicherungstyps etwa bei +1 V liegt, wird dieser Transistor schnell leitend, und zwar etwa zu dem Zeitpunkt, in dem der Transistor T6 gesperrt wird.
EuroPat v2
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to binary MOS ripple-carry parallel adders/subtracters which are integrated using enhancement-mode insulated-gate field-effect transistors and with which a plurality of numbers each represented in an n-digit binary code can be added or subtracted from each other by successive summation forming partial sums.
Die Erfindung betrifft binäre MOS-Ripple-Carry-Parallel-Addier/Subtrahierwerke, die mittels Isolierschicht-Feldeffekttransistoren vom Anreicherungstyp integriert sind und mit.denen mehrere im natürlichen n-stelligen Binärcode dargestellte Zahlen durch nacheinander erfolgendes Aufsummieren unter Bildung von Teilsummen .aufaddiert bzw. voneinander subtrahiert werden können.
EuroPat v2
Furthermore, it is advantageous when the one control input is connected to the control unit via an enhancement mode field effect transistor.
Als weiter vorteilhaft erweist es sich, wenn der eine Steuereingang mit der Steuereinheit über einen selbstsperrenden Feldeffekttransistor verbunden ist.
EuroPat v2
Advantageously, all control inputs, particularly two control inputs, are each connected to the control unit via one enhancement mode field effect transistor, particularly an enhancement-mode n-channel MOSFET.
Vorteilhaft sind alle, insbesondere zwei, Steuereingänge mit der Steuereinheit über jeweils einen selbstsperrenden Feldeffekttransistor, insbesondere selbstsperrenden n-Kanal MOSFET, verbunden.
EuroPat v2
The use of the enhancement mode field effect transistors makes it possible to achieve the desired blocking and enabling of the at least one further control input when a control signal is present at the other control input.
Durch die Verwendung der selbstsperrenden Feldeffekttransistoren kann somit die gewünschte Sperrwirkung und Freigabe des zumindest einen weiteren Steuereingangs bei Vorliegen eines Steuersignals an dem anderen Steuereingang bewirkt werden.
EuroPat v2
Instead of a galvanic connection between the control input and the control unit via such an enhancement mode field effect transistor, an optical connection may alternatively be provided between the one further control input and the control unit.
Anstelle einer galvanischen Verbindung zwischen dem Steuereingang und der Steuereinheit über einen solchen selbstsperrenden Feldeffekttransistor kann alternativ eine optische Verbindung zwischen dem einen weiteren Steuereingang und der Steuereinheit vorgesehen werden.
EuroPat v2
Second control input 14 is connected via resistors 140, 141 to the gate of an enhancement mode field effect transistor (n-channel MOSFET) 142 .
Der zweite Steuereingang 14 ist über Widerstände 140, 141 gateseitig an einen selbstsperrenden Feldeffekttransistor (n-Kanal-MOSFET) 142 angeschlossen.
EuroPat v2

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