Translation of "Enhancement mode" in German
BACKGROUND
OF
THE
INVENTION
The
present
invention
relates
to
binary
MOS
carry-look-ahead
parallel
adders
which
are
integrated
using
enhancement-mode
insulated-gate
field-effect
transistors
of
the
same
conductivity
type
(N-
or
P-channel)
and
with
which
two
numbers
represented
in
the
n-digit
binary
code
can
be
added,
the
carry
signal
of
each
digit
position
being
formed
by
carry
look-ahead.
Die
Erfindung
betrifft
binäre
MOS-Carry-Look-Ahead-Paralleladdierer,
die
mittels
Isolierschicht-Feldeffekttransistoren
gleicher
Leitungsart
(N-
oder
P-Kanal)
vom
Anreicherungstyp
integriert
sind
und
mit
denen
zwei
im
natürlichen
n-stelligen
Binärcode
dargestellte
Zahlen
addiert
werden
können,
wobei
das
Übertragsignal
jeder
Stelle
durch
Vorausbestimmung,
im
Englischen
"carry
look
ahead",
gebildet
wird.
EuroPat v2
The
enhancement-mode
field-effect
transistors,
that
is
to
say
the
selection
transistors,
which
are
also
connected
to
the
word
line
WL
3,
have
already
been
turned
off
by
the
standby
potential
of
0
V
and
are
merely
given
an
even
higher
impedance
by
the
negative
potential.
Die
Feldeffekttransistoren
vom
Anreicherungstyp,
also
die
Auswahltransistoren,
die
ebenfalls
mit
der
Wortleitung
WL3
verbunden
sind,
waren
bereits
durch
das
Bereitschaftspotential
von
0
V
abgeschaltet
und
werden
durch
das
negative
Potential
nur
noch
hochohmiger
gemacht.
EuroPat v2
For
the
sake
of
simplicity,
it
will
be
assumed
that
enhancement-mode
FETs
are
used
for
the
semiconductor
regions,
these
being
normally
off
and
having
an
n-channel.
Der
Einfachheit
halber
sei
angenommen,
daß
FETs
des
Anreicherungstyps
(Enhancement)
für
die
Halbleiterbereiche
eingesetzt
werden,
die
selbstsperrend
sind
und
einen
n-Kanal
aufweisen.
EuroPat v2
Since
the
threshold
voltage
of
enhancement
mode
device
T7
is
in
the
range
of
+1
volt,
T7
is
rapidly
turned
on
at
approximately
the
point
in
time
at
which
T6
turns
off.
Da
die
Schwellenspannung
des
Transistors
T7
des
Anreicherungstyps
etwa
bei
+1
V
liegt,
wird
dieser
Transistor
schnell
leitend,
und
zwar
etwa
zu
dem
Zeitpunkt,
in
dem
der
Transistor
T6
gesperrt
wird.
EuroPat v2
BACKGROUND
OF
THE
INVENTION
The
present
invention
relates
to
binary
MOS
ripple-carry
parallel
adders/subtracters
which
are
integrated
using
enhancement-mode
insulated-gate
field-effect
transistors
and
with
which
a
plurality
of
numbers
each
represented
in
an
n-digit
binary
code
can
be
added
or
subtracted
from
each
other
by
successive
summation
forming
partial
sums.
Die
Erfindung
betrifft
binäre
MOS-Ripple-Carry-Parallel-Addier/Subtrahierwerke,
die
mittels
Isolierschicht-Feldeffekttransistoren
vom
Anreicherungstyp
integriert
sind
und
mit.denen
mehrere
im
natürlichen
n-stelligen
Binärcode
dargestellte
Zahlen
durch
nacheinander
erfolgendes
Aufsummieren
unter
Bildung
von
Teilsummen
.aufaddiert
bzw.
voneinander
subtrahiert
werden
können.
EuroPat v2
Furthermore,
it
is
advantageous
when
the
one
control
input
is
connected
to
the
control
unit
via
an
enhancement
mode
field
effect
transistor.
Als
weiter
vorteilhaft
erweist
es
sich,
wenn
der
eine
Steuereingang
mit
der
Steuereinheit
über
einen
selbstsperrenden
Feldeffekttransistor
verbunden
ist.
EuroPat v2
Advantageously,
all
control
inputs,
particularly
two
control
inputs,
are
each
connected
to
the
control
unit
via
one
enhancement
mode
field
effect
transistor,
particularly
an
enhancement-mode
n-channel
MOSFET.
Vorteilhaft
sind
alle,
insbesondere
zwei,
Steuereingänge
mit
der
Steuereinheit
über
jeweils
einen
selbstsperrenden
Feldeffekttransistor,
insbesondere
selbstsperrenden
n-Kanal
MOSFET,
verbunden.
EuroPat v2
The
use
of
the
enhancement
mode
field
effect
transistors
makes
it
possible
to
achieve
the
desired
blocking
and
enabling
of
the
at
least
one
further
control
input
when
a
control
signal
is
present
at
the
other
control
input.
Durch
die
Verwendung
der
selbstsperrenden
Feldeffekttransistoren
kann
somit
die
gewünschte
Sperrwirkung
und
Freigabe
des
zumindest
einen
weiteren
Steuereingangs
bei
Vorliegen
eines
Steuersignals
an
dem
anderen
Steuereingang
bewirkt
werden.
EuroPat v2
Instead
of
a
galvanic
connection
between
the
control
input
and
the
control
unit
via
such
an
enhancement
mode
field
effect
transistor,
an
optical
connection
may
alternatively
be
provided
between
the
one
further
control
input
and
the
control
unit.
Anstelle
einer
galvanischen
Verbindung
zwischen
dem
Steuereingang
und
der
Steuereinheit
über
einen
solchen
selbstsperrenden
Feldeffekttransistor
kann
alternativ
eine
optische
Verbindung
zwischen
dem
einen
weiteren
Steuereingang
und
der
Steuereinheit
vorgesehen
werden.
EuroPat v2
Second
control
input
14
is
connected
via
resistors
140,
141
to
the
gate
of
an
enhancement
mode
field
effect
transistor
(n-channel
MOSFET)
142
.
Der
zweite
Steuereingang
14
ist
über
Widerstände
140,
141
gateseitig
an
einen
selbstsperrenden
Feldeffekttransistor
(n-Kanal-MOSFET)
142
angeschlossen.
EuroPat v2