Translation of "Enhancement type" in German
In
some
cases
of
application,
it
can
be
desirable
to
employ
MIS
structures
of
the
enhancement
type.
In
einigen
Anwendungsfällen
kann
es
erwünscht
sein,
MIS-Strukturen
des
Anreicherungstyps
zu
verwenden.
EuroPat v2
It
is
advantageous
if
the
transistors
are
field-effect
transistors
of
the
n-MOS
enhancement
type.
Dabei
ist
es
vorteilhaft,
wenn
die
Transistoren
Feldeffekttransistoren
vom
n-MOS-Anreicherungstyp
sind.
EuroPat v2
Once
again,
a
field-effect
transistor
of
the
enhancement
type
or
of
the
depletion
type
may
be
used
for
the
short-circuit
transistor
SG.
Für
diesen
Kurzschlußtransistor
SG
kann
wiederum
ein
Feldeffekttransistor
vom
Anreicherungstyp
oder
vom
Verarmungstyp
verwendet
werden.
EuroPat v2
The
invention
is
realizable
with
transistors
of
the
depletion
type
as
well
as
with
transistors
of
the
enhancement
type
as
mentioned
above.
Die
Erfindung
läßt
sich
sowohl
mit
Transistoren
vom
Verarmungstyp
als
auch
mit
Transistoren
vom
Anreicherungstyp
realisieren.
EuroPat v2
Thereby,
the
two
field
effect
transistors
12
and
13
of
the
enhancement
type
are
connected
in
series
with
their
source-drain
segments,
whereby
the
drain
connection
of
12
is
connected
with
a
connection
14
carrying
the
supy
voltage
VDD,
whereas
the
source
connection
of
13
is
switched
with
the
grounded
potential.
Dabei
sind
zwei
Feldeffekttransistoren
12
und
13
vom
Anreicherungstyp
mit
ihren
Source-Drain-Strecken
in
Serie
geschaltet,
wobei
der
Drainanschluß
von
12
mit
einem
die
Versorgungsspannung
V
DD
führenden
Anschluß
14'
verbunden
ist,
während
der
Sourceanschluß
von
13
mit
Massepotential
beschaltet
ist.
EuroPat v2
It
is
a
matter
of
MIS
structures
of
the
enhancement
type,
then
a
positive
bias
voltage
is
to
be
supplied
to
the
terminal
G,
the
positive
bias
voltage
then
being
briefly
compensated
by
means
of
a
negative
pulse
P1.
Handelt
es
sich
um
MIS-Strukturen
des
Anreicherungstyps,
so
ist
G
eine
positive
Vorspannung
zuzuführen,
die
durch
einen
negativen
Impuls
P1
kurzzeitig
kompensiert
wird.
EuroPat v2
The
invention
relates
to
a
monolithically
integrated
semiconductor
memory
with
a
matrix
of
identical
memory
cells
arranged
in
rows
of
a
set
of
row
members
and
in
columns
or
a
set
of
column
members,
each
in
the
form
of
an
MOS-field
effect
transistor
of
the
enhancement
type
and
a
storage
capacity
represented
by
an
MOS-capacitor,
wherein
one
comparator
each
and
a
comparison
cell
which
is
likewise
represented
by
a
memory
cell
of
the
above-mentioned
type,
is
assigned
to
either
each
matrix
column
or
each
matrix
row.
Die
Erfindung
betrifft
einen
monolithisch
integrierten
Halbleiterspeicher
mit
einer
Matrix
aus
zeilen-
und
spaltenweise
angeordneten
und
einander
gleichen
Speicherzellen
in
Gestalt
jeweils
eines
MOS-Feldeffekttransistors
vom
Anreicherungstyp
und
einer
z.B.
durch
einen
MOS-Kondensator
gegebenen
Speicherkapazität,
bei
dem
entweder
jeder
Matrixspalte
oder
jeder
Matrixzeile
je
ein
Komparator
und
eine
-
ebenfalls
durch
eine
Speicherzelle
der
genannten
Art
gegebene
-
Vergleichszelle
zugeordnet
ist.
EuroPat v2
The
gate
connection
of
the
transistor
13
representing
a
load
element
is
connected
with
its
drain
connection,
insofar
as
the
transistor
13
is
of
the
enhancement
type.
Der
Gateanschluß
des
ein
Lastelement
darstellenden
Transistors
13
ist
mit
seinem
Drainanschluß
verbunden,
sofern
der
Transistor
13
vom
Anreicherungstyp
ist.
EuroPat v2
One
can
however
proceed
from
this,
that
there,
constant
potentials,
for
example,
earth
(ground
potential)
or
other
constant
operating
voltages
apply,
which
control
the
IG-FETs
F1,
F2
in
their
conducting
state,
so
that
because
of
the
difference
of
their
channel
area
types,
namely,
depletion
type
and
enhancement
type,
at
the
taps,
or
respectively,
at
the
inputs
of
the
differential
amplifier
DV,
a
differential
voltage
RS
which
corresponds
to
the
desired
reference
voltage
U3
or
respectively,
the
desired
reference
current
J3
appears.
Man
kann
aber
davon
ausgehen,
daß
dort
konstante
Potentiale,
z.B.
Erde
oder
konstante
sonstige
Betriebsspannungen
anliegen,
die
die
IG-FETs
F1,
F2
in
ihren
leitenden
Zustand
steuern,
so
daß
aufgrund
der
Verschiedenartigkeit
ihrer
Kanalbereichtypen,
nämlich
Verarmungstyp
und
Anreicherungstyp,
an
den
Abgriffen
bzw.
an
den
Eingängen
des
Differenzverstärkers
DV
eine
der
gewünschten
Referenzspannung
U3
bzw.
dem
gewünschten
Referenzstrom
J3
entsprechende
Differenzspannung
RS
auftritt.
EuroPat v2
If
this
concerns
MIS
structures
of
the
enhancement
type,
then
a
positive
bias
voltage
is
to
be
supplied
to
G,
which
voltage
is
eliminated
for
a
short
period
of
time
by
means
of
a
negative
pulse
P1,
or
it
is
overcompensated.
Handelt
es
sich
um
MIS-Strukturen
des
Anreicherungstyps,
so
ist
G
eine
positive
Vorspannung
zuzuführen,
die
durch
einen
negativen
Impuls
P1
kurzzeitig
beseitigt
oder
überkompensiert
wird.
EuroPat v2
T1
and
t3
are
transistors
of
the
enhancement
type
while
T2
and
T4
are
transistors
of
the
depletion
type.
T1
und
T3
sind
dabei
Transistoren
des
Anreicherungstyps,
während
T2
und
T4
Transistoren
des
Verarmungstyps
sind.
EuroPat v2
Realization
in
MOS
technology
is
also
possible,
especially
since
suitable
possibilities
for
realizing
resistors
and
capacitors
are
then
available,
and
differential
amplifiers
with
source-coupled
MOS
transistors,
especially
of
the
enhancement
type,
are
likewise
within
the
state
of
the
art.
Auch
eine
Realisierung
in
MOS-Technik
ist
möglich,
zumal
man
auch
dann
geeignete
Möglichkeiten
zur
Realisierung
von
Widerständen
und
Kondensatoren
zur
Verfügung
hat
und
Differenzverstärker
mit
source-gekoppelten
MOS-Transistoren,
insbesondere
vom
Anreicherungstyp,
ebenfalls
zum
Stande
der
Technik
gehören.
EuroPat v2