Translation of "Forward voltage drop" in German

The driving countervoltage is thereby limited to the value of the forward voltage drop of the diode.
Die treibende Gegen­spannung ist damit auf die Höhe ihrer Durchlaßspannung begrenzt.
EuroPat v2
However, the forward voltage drop remains, in any case, below that of bipolar pn-diodes.
Der Durchlaßspannungsabfall bleibt jedoch in jedem Fall unter dem bipolarer pn-Dioden.
EuroPat v2
The value of the test current depends on the measured forward voltage drop of the diode.
Der Wert des Teststroms hängt von der gemessenen Vorwärtsspannung der Diode ab.
ParaCrawl v7.1
A low forward voltage drop down to 0.7V reduces power losses and improves the efficiency.
Ein geringer Spannungsabfall bis auf 0,7V reduziert Leistungsverluste und verbessert den Wirkungsgrad.
ParaCrawl v7.1
The IGBTs come with a significantly lower forward voltage drop and deliver optimised switching performance.
Die IGBTs zeichnen sich durch eine deutlich geringere Durchlassspannung und eine optimierte Schaltperformance aus.
ParaCrawl v7.1
A current generator in the measuring circuit 32 for the photodiode 30 delivers a constant forward current into the photodiode 30 and, in dependence on the thermal coupling of the photodiode with the element to be protected, the forward voltage drop across the photodiode is detected.
Einmal wird durch einen Stromgenerator im Meßkreis 32 der Photodiode 30 ein konstanter Durchlaßstrom der letzteren eingeprägt, und in Abhängigkeit von der thermischen Kopplung der Photodiode an das zu schützende Bauelement wird der Durchlaßspannungsabfall der Photodiode festgestellt.
EuroPat v2
It has been found, however, that these steps for the improvement of the soft recovery behavior are obtained at the expense of the forward voltage drop.
Dabei zeigt sich jedoch, daß diese Maßnahmen zur Verbesserung des weichen Recovery-Verhaltens auf Kosten des Durchlaßspannungsabfalls gehen.
EuroPat v2
In accordance with the invention, there results a combination of the advantage of a low forward voltage drop with the advantage of a soft recovery behavior based on the parallel switching connection of the two diodes while simultaneously reducing the switching losses.
Erfindungsgemäß ergibt sich eine Kombination des Vorteils eines niedrigen Durchlaßspannungsabfalls mit dem Vorteil eines weichen Recovery-Verhaltens durch die Parallelschaltung der beiden Dioden bei gleichzeitiger Reduzierung der Schaltverluste.
EuroPat v2
This is a significant advantage over diode connections which always have a forward voltage drop.
Diese Tatsache stellt gegenüber Diodenverbindungen, die immer einen Spannungsabfall in Durchlaßrichtung aufweisen, einen wesentlichen Vorteil dar.
EuroPat v2
The freewheeling diode device according to claim 13, wherein the first diode (12) is optimized for a soft recovery behavior and supports only a relatively small part of the forward current, and wherein the second diode (14) is optimized to a low forward voltage drop and a fast switching, and wherein the second diode (14) supports a large part of the forward current in comparison to the part carried by the first diode (12).
Freilaufdiodeneinrichtung nach Anspruch 1., dadurch gekennzeichnet, daß die erste Diode (12) auf weiches Schaltverhalten optimiert ist und nur einen relativ geringen Anteil des Vorwärtsstromes trägt, und die zweite Diode (14) auf einen niedrigen Durchlaßspannungsabfall und schnelles Schalten optimiert ist und einen im Vergleich zum Anteil der ersten Diode (12) großen Anteil des Vorwärtsstromes trägt.
EuroPat v2
When the forward voltage drop varies, so does the current flowing through the LED which changes the light output level even though the applied voltage remains constant.
Wenn der Durchlaßvorspannungsabfall schwankt, so trifft dies auch auf den durch die LED fließenden Strom zu, was das Lichtabgabeniveau verändert, selbst wenn die angelegte Spannung konstant bleibt.
EuroPat v2
However, such a diode requires a certain minimum voltage in order for it to conduct at all and has, in the forward mode, a voltage drop having a disruptive effect if a low supply voltage is desired.
Eine solche Diode benötigt jedoch einerseits eine gewisse Mindestspannung, damit sie überhaupt leitet und weist andererseits im Durchlaßbetrieb einen Spannungsabfall auf, der störend wirkt, wenn eine niedrige Versorgungsspannung angestrebt wird.
EuroPat v2
The bombardment with electrons leads to the increase in the reverse current being less than that for pure ion bombardment for a comparable forward voltage drop, so that the reverse losses also remain low.
Die Bestrahlung mit Elektronen führt zu einer geringeren Erhöhung des Sperrstroms als die reine lonenbestrahlung auf einen vergleichbaren Vorwärtsspannungsabfall, so dass auch die Sperrverluste niedrig bleiben.
EuroPat v2
The bombardment with electrons leads to less increase in the reverse current than pure ion bombardment for a comparable forward voltage drop, so that the reverse losses also remain low.
Die Bestrahlung mit Elektronen führt zu einer geringeren Erhöhung des Sperrstroms als die reine lonenbestrahlung auf einen vergleichbaren Vorwärtsspannungsabfall, so dass auch die Sperrverluste niedrig bleiben.
EuroPat v2
Thus, the negative voltage peak occuring upon disconnection is limited to the forward voltage drop of the diode, but the energy stored in load L is reduce only very slowly due to the low value of the driving countervoltage.
Damit wird zwar die beim Abschalten auftretende negative Spannungsspitze auf die Durchlaßspannung der Diode begrenzt, die in der Last L gespeicherte Energie wird jedoch aufgrund der geringen Höhe der treibenden Gegenspannung nur sehr langsam abge­baut.
EuroPat v2
Furthermore, TRENCHSTOP™ 5 features a temperature stable forward voltage drop (VF) of the fast recovery free-wheeling diode and reverse recovery time (Trr) of less than 50ns.
Darüber hinaus bietet TRENCHSTOP™ 5 einen temperaturstabilen Durchlassspannungsabfall (Vf) der schnellen Freilaufdioden und eine Sperrverzögerungszeit (Trr) von weniger als 50ns.
ParaCrawl v7.1
German Published Patent Application No. 196 04 043 purportedly refers to influencing the field distribution in an MOS transistor or a V-IGBT with the aid of n-doped and p-doped regions embedded in the drift zone, in order to reduce the forward current voltage drop at a given blocking capability.
In der DE 196 04 043 A1 sind Möglichkeiten vorgeschlagen worden, mittels in das Driftgebiet eingelassener n-dotierter und p-dotierter Bereiche die Feldverteilung in einem MOS-Transistor oder V-IGBT günstig zu beeinflussen, um bei einer gegebenen Sperrfähigkeit den Durchlassspannungsabfall zu reduzieren.
EuroPat v2

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