Translation of "Gap voltage" in German

In order to strike the useful spark gap, an increasing voltage is applied to the entire arrangement.
Zum Zünden der Nutz-Funkenstrecke wird an die gesamte Anordnung eine steigende Spannung angelegt.
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The band gap voltage is very constant, and can thus be used as a comparison quantity and/or reference quantity.
Die Bandgap-Spannung ist sehr konstant und kann daher als Vergleichs- und/oder Referenzgröße verwendet werden.
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The changes of the gap voltage Us can be picked up for readjustment by a measuring device 100 and alternately or simultaneously a gap current change Is is picked up by a measuring device 102, and control circuit 40 can be set to do the evaluation.
Zum Nachregeln können die Anderungen der Spaltspannung Us über eine Meßvorrichtung 100 und alternativ oder gleichzeitig eine Spaltstromänderung Is über eine Meßvorrichtung 102 abgegriffen und der Steuerschaltung 40 zur Auswertung zugeleitet werden.
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The FIGURE of the drawing is a schematic circuit diagram of an embodiment of the invention for generating a trimmable band gap voltage reference.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines in der Figur der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert, die ein Schaltbild einer trimmbaren Bandgap-Spannungsreferenz zeigt.
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In particular, the gap voltage can simply be increased continuously or in fine steps in such a way that the gap current remains constant.
Insbesondere kann sehr einfach die Spaltspannung kontinuierlich oder feinstufig so erhöht werden, daß der Spaltstrom konstant bleibt.
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Referring now to the FIGURE of the drawing in detail, there are seen elements T1, T2, M1, M2, R1 to R3 and OP which illustrate a band gap voltage reference having metal oxide semiconductors according to the prior art.
Die Elemente T1, T2, M1, M2, R1 bis R3 und OP zeigen eine Bandgap-Spannungsreferenz mit Metalloxid-Halbleitern nach dem Stand der Technik.
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The invention relates to a method for regulating the electrical current in an electrochemical working process in which between tool and workpiece a working gap is formed through which flows an electrolyte solution and the workpiece is connected as anode and the tool as cathode to a variable dc current source thereby that the gap voltage is increasingly raised as a function of the size of the working gap which increases during the working.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Regelung des elektrischen Stromes bei einem elektrochemischen Bearbeitungsprozeß, bei dem zwischen Werkzeug und Werkstück ein Arbeitsspalt gebildet wird, durch den eine Elektrolytlösung fließt und das Werkstück als Anode und das Werkzeug als Kathode an einer regelbaren Gleichstromquelle angeschlossen sind, indem die Spaltspannung in Abhängigkeit des sich während der Bearbeitung vergrößerten Arbeitsspaltes laufend vergrößert wird.
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Since with constant current regulation the gap voltage between workpiece and tool increases approximately linearly with increasing gap width, the power accordingly also increases linearly, which the electrolyte solution must carry off.
Da bei einer Konstantstromregelung die Spaltspannung zwischen Werkstück und Werkzeug mit wachsender Spaltbreite etwa linear zunimmt, wächst entsprechend auch die Leistung linear, die die Elektrolytlösung abführen muß.
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Since according to the method according to the invention with increasing working gap the voltage as well as also the current increase, the power transferred to the electrolyte solution increases progressively, which actually should have lead to a gradually increasing outflow temperature of the electrolyte solution.
Da nach dem erfindungsgemäßen Verfahren mit zunehmendem Arbeitsspalt sowohl die Spannung als auch der Strom steigt, nimmt die auf die Elektrolytlösung übertragene Leistung progressiv zu, was eigentlich zu einer allmählich steigenden Austrittstemperatur der Elektrolytlösung hätte führen müssen.
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The junction point of the resistors R14 and R15 is connected to the common bases of the transistors T12 and T13 of the band gap circuit BG and carries the band gap voltage UBG.
Der Verbindungspunkt der Widerstände R14 und R15 ist mit den gemeinsamen Basen der Transistoren T12 und T13 der Bandgap-Schaltung BG verbunden und besitzt die Bandgap-Spannung U BG .
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The temperature coefficient of the voltage UBG then becomes equal to zero in a first approximation, if the ratio of the emitter areas of the transistors T12 and T13 and the resistances of the resistors R11 and R12 are chosen in such a manner that the band gap voltage which may be 1.16 volts in this case, is obtained.
Der Temperaturkoeffizient der Spannung U BG wird dann in erster Näherung gleich Null, wenn man das Verhältnis der Emitterflächen der Transistoren T12 und T13 und die Widerstände R11 und R12 so wählt, daß sich die Bandgap-Spannung, in diesem Fall beispielsweise 1.16 Volt ergibt.
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For generating a reference voltage different from the band gap voltage, conventional band gap circuit layouts require an extensive network, especially if a defined temperature drift is specified.
Bekannte Bandgap-Schaltungsanordnungen erfordern zur Erzeugung einer von der Bandgap-Spannung unterschiedlichen Referenzspannung ein umfangreiches Netzwerk, insbesondere bei der Vorgabe einer bestimmten Temperaturdrift.
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This is particularly applicable to the voltage drop UBE across the base-to-emitter junction of the transistor T1, to which the voltage drop across the resistor R1 is added, so that the unvaried band gap voltage UBG, with respect to the reference potential, can be picked up at the connection of the two resistors R1 and R2.
Dies gilt insbesondere auch für den Spannungsabfall U BE über der Basis-Emitter-Strecke des Transistors T1, dem sich der Spannungsabfall über den Widerstand R1 addiert, so daß sich am Verbindungspunkt der beiden Widerstände R1 und R2 bezogen auf das Bezugspotential die unveränderte Bandgap-Spannung U BG abgreifen läßt.
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The resultant temperature coefficient of the band gap voltage UBE can be varied substantially by means of the ratio of the current densities through the transistor T1 and T2, or their emitter area ratio, and by means of the resistor ratio R2/R1 and the resistor ratio R2/R3.
Der resultierende Temperaturkoeffizient der Bandgap-Spannung U BG läßt sich im wesentlichen durch das Verhältnis der Stromdichten durch die Transistoren T1 und T2 bzw. deren Emitterflächenverhältnis sowie das Widerstandsverhältnis R2/R1 und durch das Widerstandsverhältnis R2/R3 beeinflussen.
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The reference voltage UREF to be generated according to the invention is derived by the addition of the band gap voltage UBG and the voltage dropping across the network NW.
Die erfindungsgemäß zu erzeugende Referenzspannung U REF ergibt sich aus der Addition der Bandgap-Spannung U BG und der über dem Netzwerk NW abfallenden Spannung.
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The output voltage, that is the reference voltage UREF, is additively composed of the band gap voltage UBG, a voltage U2 dropping across the resistor R4, and a voltage U3 dropping across the collector-to-emitter junction of the transistor T4 or across the voltage divider formed of the resistors R5 and R6.
Die Ausgangsspannung, d.h. die Referenzspannung U REF, setzt sich additiv aus der Bandgap-Spannung U BG, der über dem Widerstand R4 abfallenden Spannung U? und der über der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors T4 bzw. über dem Spannungsteiler aus den Widerständen R5 und R6 abfallenden Spannung U? zusammen.
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