Translation of "Gate electrode" in German
																						Advantageously,
																											the
																											gate
																											electrode
																											11
																											is
																											shared
																											by
																											the
																											transistors
																											T2
																											and
																											T4a.
																		
			
				
																						Zweckmäßigerweise
																											ist
																											die
																											Gateelektrode
																											11
																											den
																											Transistoren
																											T2
																											und
																											T4a
																											gemeinsam.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						For
																											blocking,
																											the
																											gate
																											electrode
																											4
																											is
																											reverse
																											biased
																											with
																											respect
																											to
																											the
																											emitter
																											electrode
																											5.
																		
			
				
																						Zum
																											Sperren
																											wird
																											die
																											Gateelektrode
																											4
																											negativ
																											gegen
																											die
																											Emitterelektrode
																											5
																											vorgespannt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						This
																											supply
																											voltage
																											UV
																											is
																											simultaneously
																											applied
																											to
																											the
																											gate
																											electrode
																											of
																											fifth
																											transistor
																											74.
																		
			
				
																						Diese
																											Versorgungsspannung
																											V
																											wird
																											gleichzeitig
																											auf
																											die
																											Gate-Elektrode
																											des
																											Transistors
																											74
																											gelegt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											gate
																											electrode
																											of
																											the
																											control
																											FET
																											S
																											serves
																											as
																											a
																											converter
																											input
																											E
																											for
																											CMOS
																											signal
																											levels.
																		
			
				
																						Die
																											Gateelektrode
																											des
																											Steuerungs-Fets
																											S
																											dient
																											als
																											Wandlereingang
																											E
																											für
																											CMOS-Signalpegel.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											method
																											can
																											be
																											advantageously
																											used
																											for
																											manufacturing
																											a
																											gate
																											electrode
																											of
																											polysilicon.
																		
			
				
																						Das
																											Verfahren
																											ist
																											vorteilhaft
																											einsetzbar
																											zur
																											Herstellung
																											einer
																											Gateelektrode
																											aus
																											Polysilizium.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											gate
																											electrode
																											9
																											is
																											connected
																											to
																											the
																											copper/gold
																											layer
																											5
																											electrically.
																		
			
				
																						Die
																											Gate-Elektrode
																											9
																											ist
																											mit
																											der
																											Kupfer/Gold-Schicht
																											5
																											elektrisch
																											verbunden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											accordance
																											with
																											a
																											modified
																											embodiment,
																											this
																											gate
																											electrode
																											8
																											is
																											embedded
																											in
																											the
																											material
																											of
																											an
																											insulator
																											layer.
																		
			
				
																						Gemäß
																											einer
																											Ausführungsvariante
																											ist
																											diese
																											Gate-Elektrode
																											8
																											in
																											das
																											Material
																											einer
																											Isolatorschicht
																											eingebettet.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											field
																											plate
																											5
																											is
																											electrically
																											connected
																											to
																											a
																											gate
																											electrode
																											6
																											lying
																											there
																											below.
																		
			
				
																						Die
																											Feldplatte
																											5
																											ist
																											mit
																											einer
																											darunterliegenden
																											Gateelektrode
																											6
																											elektrisch
																											verbunden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						This
																											eliminates
																											the
																											need
																											for
																											a
																											gate
																											electrode
																											and
																											gate
																											oxide.
																		
			
				
																						Dadurch
																											kann
																											das
																											Erfordernis
																											einer
																											Gate-Elektrode
																											und
																											des
																											Gateoxids
																											beseitigt
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											the
																											MIS-FET
																											described,
																											the
																											injector
																											zone
																											is
																											connected
																											to
																											the
																											gate
																											electrode
																											of
																											the
																											MIS-FET.
																		
			
				
																						Beim
																											beschriebenen
																											MIS-FET
																											ist
																											die
																											Injektorzone
																											mit
																											der
																											Gateelektrode
																											des
																											MIS-FET
																											verbunden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											gate
																											electrode
																											of
																											the
																											injector
																											selection
																											transistor
																											is
																											preferably
																											likewise
																											connected
																											to
																											the
																											word
																											line
																											of
																											the
																											semiconductor
																											floating
																											gate
																											memory
																											cell.
																		
			
				
																						Die
																											Gate-Elektrode
																											des
																											Injektor-Auswahltransistors
																											wird
																											vorzugsweise
																											ebenfalls
																											mit
																											der
																											Wortleitung
																											der
																											Halbleiterspeicherzelle
																											verbunden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											gate
																											electrode
																											of
																											the
																											chip
																											carrier
																											is
																											advantageously
																											widened.
																		
			
				
																						Die
																											Gate-Elektrode
																											des
																											Chipträgers
																											ist
																											vorteilhaft
																											verbreitert.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											first
																											photoresist
																											mask
																											29
																											and
																											the
																											first
																											gate
																											electrode
																											26a
																											thereby
																											serve
																											as
																											an
																											implantation
																											mask.
																		
			
				
																						Dabei
																											dient
																											die
																											erste
																											Photolackmaske
																											29
																											und
																											die
																											erste
																											Gateelektrode
																											26a
																											als
																											Implantationsmaske.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						This
																											electron
																											current
																											can
																											be
																											controlled
																											by
																											applying
																											a
																											voltage
																											to
																											the
																											gate
																											electrode.
																		
			
				
																						Durch
																											Anlegen
																											einer
																											Spannung
																											an
																											die
																											Gateelektrode
																											kann
																											dieser
																											Elektronenstrom
																											gesteuert
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											dopant
																											concentration
																											in
																											the
																											gate
																											electrode
																											is
																											changed
																											as
																											a
																											result
																											of
																											this
																											measure.
																		
			
				
																						Durch
																											diese
																											Maßnahme
																											ändert
																											sich
																											die
																											Dotierstoffkonzentration
																											in
																											der
																											Gateelektrode.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											dopant
																											concentration
																											in
																											the
																											gate
																											electrode
																											6b
																											is
																											simultaneously
																											increased.
																		
			
				
																						Gleichzeitig
																											wird
																											die
																											Dotierstoffkonzentration
																											in
																											der
																											Gateelektrode
																											6b
																											vergrößert.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											contrast,
																											the
																											gate
																											electrode
																											of
																											the
																											p-channel
																											MOS
																											transistor
																											is
																											doped
																											more
																											heavily
																											by
																											means
																											of
																											additional
																											implantation.
																		
			
				
																						Die
																											Gateelektrode
																											des
																											p-Kanal-MOS-Transistors
																											wird
																											dagegen
																											durch
																											eine
																											zusätzliche
																											Implantation
																											höher
																											dotiert.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											first
																											gate
																											electrode
																											preferably
																											surrounds
																											the
																											semiconductor
																											structure.
																		
			
				
																						Vorzugsweise
																											umgibt
																											die
																											erste
																											Gateelektrode
																											die
																											Halbleiterstruktur.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											shape
																											of
																											the
																											gate
																											electrode
																											8
																											can
																											be
																											of
																											differing
																											configuration
																											in
																											the
																											trenches
																											20
																											.
																		
			
				
																						Die
																											Form
																											der
																											Gateelektrode
																											8
																											in
																											den
																											Gräben
																											20
																											kann
																											unterschiedlich
																											ausgestaltet
																											sein.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											gate
																											electrode
																											26
																											is
																											arranged
																											on
																											the
																											principal
																											face
																											21.
																		
			
				
																						Auf
																											der
																											Hauptfläche
																											21
																											ist
																											die
																											Gateelektrode
																											26
																											angeordnet.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						A
																											gate
																											dielectric
																											25
																											is
																											arranged
																											on
																											the
																											surface
																											of
																											the
																											gate
																											electrode
																											26.
																		
			
				
																						Auf
																											der
																											Oberfläche
																											der
																											Gateelektrode
																											26
																											ist
																											ein
																											Gatedielektrikum
																											25
																											angeordnet.
															 
				
		 EuroPat v2