Translation of "Ground collector" in German
																						In
																											the
																											winter,
																											a
																											heat
																											pump
																											is
																											switched
																											to
																											the
																											ground
																											collector.
																		
			
				
																						Im
																											Winter
																											wird
																											dem
																											Erdkollektor
																											eine
																											Wärmepumpe
																											nachgeschaltet.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						The
																											most
																											important
																											findings
																											for
																											borehole
																											heat
																											exchanger
																											and
																											ground
																											collector
																											facilities
																											will
																											be
																											presented
																											below.
																		
			
				
																						Im
																											Folgenden
																											werden
																											die
																											wichtigsten
																											Erkenntnisse
																											für
																											die
																											Erdsonden
																											und
																											Erdkollektoranlagen
																											vorgestellt.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						Both
																											borehole
																											heat
																											exchanger
																											and
																											ground
																											collector
																											facilities
																											are
																											technically
																											mature
																											and
																											achieve
																											a
																											high
																											degree
																											of
																											efficiency
																											under
																											real
																											conditions.
																		
			
				
																						Sowohl
																											Erdsonden-
																											als
																											auch
																											Erdkollektoranlagen
																											sind
																											technisch
																											ausgereift
																											und
																											erreichen
																											unter
																											realen
																											Bedingungen
																											eine
																											hohe
																											Effizienz.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						This
																											ground
																											collector
																											replaces
																											a
																											cooling
																											machine.
																		
			
				
																						Der
																											Erdkollektor
																											ersetzt
																											eine
																											Kältemaschine.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						For
																											the
																											device,
																											the
																											manufacturer
																											offers
																											diverse
																											material
																											packages
																											for
																											the
																											solar
																											thermal
																											and
																											ground
																											collector
																											heating
																											sources.
																		
			
				
																						Für
																											das
																											Gerät
																											bietet
																											der
																											Hersteller
																											für
																											die
																											Wärmequellen
																											Solarthermie
																											sowie
																											Erdkollektor
																											vielfältige
																											Materialpakete
																											an.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						Ground
																											lightning
																											protection
																											-
																											a
																											device
																											thatIt
																											provides
																											reliable
																											contact
																											with
																											the
																											ground
																											collector.
																		
			
				
																						Boden
																											Blitzschutz
																											-
																											ein
																											Gerät,
																											dasEs
																											bietet
																											einen
																											zuverlässigen
																											Kontakt
																											mit
																											dem
																											Boden
																											Sammler.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						In
																											order
																											to
																											expand
																											the
																											range
																											of
																											output
																											signal
																											when
																											large
																											amounts
																											of
																											electrophilic
																											compound
																											are
																											present
																											in
																											the
																											detection
																											chamber
																											8,
																											means
																											are
																											provided
																											for
																											maintaining
																											the
																											current
																											flowing
																											between
																											ground
																											and
																											the
																											collector
																											22
																											at
																											a
																											constant
																											value.
																		
			
				
																						Um
																											den
																											Bereich
																											der
																											Ausgangssignale
																											zu
																											vergrößern,
																											wenn
																											sich
																											in
																											der
																											Detektionskammer
																											8
																											große
																											Mengen
																											einer
																											elektrophilen
																											Verbindung
																											befinden,
																											ist
																											eine
																											Einrichtung
																											vorgesehen,
																											um
																											den
																											zwischen
																											Masse
																											und
																											Kollektor
																											22
																											fließenden
																											Strom
																											auf
																											einem
																											konstanten
																											Wert
																											zu
																											halten.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											remote
																											control
																											input
																											FE
																											of
																											the
																											driving
																											circuit
																											AS
																											is
																											connected
																											to
																											the
																											base
																											of
																											a
																											transistor
																											T7
																											whose
																											emitter
																											is
																											connected
																											to
																											ground
																											and
																											whose
																											collector
																											is
																											connected
																											via
																											a
																											resistor
																											R7
																											to
																											the
																											base
																											of
																											the
																											right-hand
																											pre-transistor
																											VTR.
																		
			
				
																						An
																											den
																											Fernsteuereingang
																											FE
																											der
																											Ansteuerschaltung
																											AS
																											ist
																											die
																											Basis
																											eines
																											Transistors
																											T7
																											angeschlossen,
																											dessen
																											Emitter
																											mit
																											Masse
																											und
																											dessen
																											Kollektor
																											über
																											einen
																											Widerstand
																											R7
																											an
																											die
																											Basis
																											des
																											rechten
																											Vortransistors
																											VTR
																											angeschlossen
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Shutoff
																											is
																											effected
																											via
																											the
																											shutoff
																											stage
																											26,
																											which
																											includes
																											a
																											longitudinal
																											transistor
																											T5
																											with
																											its
																											emitter
																											connected
																											to
																											ground,
																											the
																											collector
																											of
																											which
																											is
																											connected
																											with
																											the
																											two
																											joined
																											emitters
																											of
																											the
																											switching
																											transistors
																											T1
																											and
																											T2
																											of
																											the
																											end
																											stage
																											13.
																		
			
				
																						Abgeschaltet
																											wird
																											über
																											die
																											Abschaltstufe
																											26,
																											die
																											einen
																											Längstransistor
																											T5
																											mit
																											seinem
																											Emitter
																											gegen
																											Masse
																											umfaßt,
																											dessen
																											Kollektor
																											mit
																											den
																											beiden
																											zusammengefaßten
																											Emittern
																											der
																											Schalttransistoren
																											T1
																											und
																											T2
																											der
																											Endstufe
																											13
																											verbunden
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						An
																											additional
																											filtering
																											action
																											is
																											produced
																											by
																											a
																											capacitor
																											48,
																											connected
																											to
																											ground
																											from
																											the
																											collector
																											of
																											transistor
																											43,
																											in
																											such
																											fashion
																											that
																											capacitor
																											48,
																											when
																											an
																											amplified
																											alternating
																											voltage
																											appears
																											across
																											transistor
																											43
																											during
																											the
																											negative
																											half-wave,
																											discharges
																											rapidly,
																											while
																											during
																											the
																											positive
																											half-wave,
																											it
																											is
																											relatively
																											slowly
																											charged
																											through
																											resistor
																											44.
																		
			
				
																						Eine
																											weitere
																											Filterwirkung
																											wird
																											durch
																											einen
																											Kondensator
																											48,
																											der
																											vom
																											Kollektor
																											des
																											Transistors
																											43
																											gegen
																											Masse
																											geschaltet
																											ist,
																											erreicht,
																											und
																											zwar
																											in
																											der
																											Weise,
																											daß
																											der
																											Kondensator
																											48
																											bei
																											einer
																											verstärkten
																											Wechselspannung
																											über
																											den
																											Transistor
																											43
																											während
																											der
																											negativen
																											Halbwelle
																											schnell
																											entladen
																											wird,
																											bei
																											der
																											positiven
																											Halbwelle
																											jedoch
																											über
																											den
																											Widerstand
																											44
																											relativ
																											langsam
																											aufgeladen
																											wird.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											output
																											stage
																											is
																											formed
																											by
																											a
																											multi-emitter
																											transistor
																											2,
																											one
																											emitter
																											of
																											which
																											is
																											connected
																											to
																											ground
																											and
																											the
																											collector
																											of
																											which
																											is
																											connected
																											to
																											an
																											output
																											3.
																		
			
				
																						Die
																											Endstufe
																											wird
																											von
																											einem
																											Multi-Emitter-Transistor
																											2
																											gebildet,
																											dessen
																											einer
																											Emitter
																											mit
																											Masse
																											und
																											dessen
																											Kollektor
																											mit
																											einem
																											Ausgang
																											3
																											verbunden
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Due
																											to
																											the
																											fact
																											that
																											the
																											switching
																											transistors
																											work,
																											according
																											to
																											the
																											characteristic
																											features
																											of
																											the
																											invention
																											not
																											with
																											resistors,
																											hut
																											with
																											active
																											loads,
																											more
																											particularly
																											with
																											transistors
																											of
																											the
																											current
																											control
																											circuit,
																											and
																											since
																											the
																											emitter
																											surface
																											of
																											the
																											second
																											transistor
																											in
																											the
																											current
																											mirror
																											branch
																											exceeds
																											by
																											a
																											factor
																											N
																											each
																											of
																											the
																											same
																											emitter
																											surfaces
																											of
																											the
																											first
																											interception
																											transistors
																											coupled
																											on
																											the
																											collector
																											side
																											with
																											a
																											supply
																											voltage
																											terminal
																											and
																											that
																											the
																											emitter
																											surface
																											of
																											the
																											first
																											transistor
																											in
																											the
																											current
																											mirror
																											branch
																											exceeds
																											by
																											a
																											factor
																											P
																											each
																											of
																											the
																											same
																											emitter
																											surfaces
																											of
																											the
																											second
																											interception
																											transistors
																											coupled
																											to
																											ground
																											on
																											the
																											collector
																											side,
																											the
																											temperature
																											independence
																											of
																											the
																											difference
																											UH
																											of
																											the
																											threshold
																											voltage
																											value
																											can
																											be
																											obtained
																											in
																											an
																											advantageous
																											manner.
																		
			
				
																						Dadurch,
																											daß
																											die
																											Schalttransistoren
																											entsprechend
																											den
																											kennzeichnenden
																											Merkmalen
																											des
																											Hauptanspruches
																											nicht
																											auf
																											Widerstände,
																											sondern
																											aktive
																											Lasten,
																											insbesondere
																											auf
																											Transistoren
																											der
																											Stromsteuerschaltung
																											arbeiten
																											und
																											die
																											Emitterfläche
																											des
																											zweiten
																											Transistors
																											im
																											Stromspiegelzweig
																											um
																											einen
																											Faktor
																											N
																											größer
																											ist
																											als
																											jede
																											der
																											gleichen
																											Emitterflächen
																											der
																											kollektorseitig
																											an
																											der
																											Spannungsquelle
																											angeschlossenen
																											ersten
																											Abfangtransistoren,
																											und
																											daß
																											die
																											Emitterfläche
																											des
																											ersten
																											Transistors
																											im
																											Stromspiegelzweig
																											um
																											einen
																											Faktor
																											P
																											größer
																											ist
																											als
																											jede
																											der
																											gleichen
																											Emitterflächen
																											der
																											kollektorseitig
																											gegen
																											Masse
																											geschalteten
																											zweiten
																											Abfangtransistoren,
																											kann
																											in
																											vorteilhafter
																											Weise
																											eine
																											Temperaturunabhängigkeit
																											der
																											Differenz
																											U
																											H
																											des
																											Schwellenspannungswertes
																											erzeugt
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											channel
																											for
																											the
																											signal
																											F1
																											is
																											located
																											at
																											the
																											base
																											of
																											the
																											transistor
																											T1,
																											which
																											is
																											connected
																											to
																											the
																											supply
																											voltage
																											via
																											resistor
																											R25,
																											the
																											emitter
																											of
																											the
																											transistor
																											T1
																											is
																											connected
																											via
																											a
																											resistor
																											R27
																											and
																											a
																											parallel
																											capacitor
																											C17
																											to
																											ground
																											and
																											the
																											collector
																											of
																											the
																											transistor
																											T1
																											is
																											connected
																											directly
																											to
																											the
																											supply
																											voltage.
																		
			
				
																						Im
																											Kanal
																											für
																											das
																											Signal
																											F1
																											liegt
																											die
																											Basis
																											des
																											Transistors
																											T1
																											über
																											einen
																											Widerstand
																											R25
																											an
																											der
																											Versorgungsspannung,
																											während
																											der
																											Emitter
																											von
																											T1
																											über
																											einen
																											Widerstand
																											R27
																											und
																											einen
																											parallelen
																											Kondensator
																											C17
																											auf
																											Masse
																											liegt
																											und
																											der
																											Kollektor
																											direkt
																											mit
																											der
																											Versorgungsspannung
																											verbunden
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Via
																											a
																											correction
																											network
																											KN
																											a
																											connection
																											exists
																											between
																											the
																											emitter
																											of
																											the
																											npn
																											transistor
																											T2
																											and
																											the
																											terminal
																											for
																											ground,
																											while
																											the
																											collector
																											of
																											T2
																											controls
																											a
																											current
																											mirror
																											amplifier
																											consisting
																											of
																											the
																											two
																											pnp
																											transistors
																											T3
																											and
																											T4.
																		
			
				
																						Über
																											ein
																											Korrekturnetzwerk
																											KN
																											besteht
																											eine
																											Verbindung
																											zwischen
																											dem
																											Emitter
																											des
																											npn-Transistors
																											T2
																											und
																											dem
																											Anschluss
																											für
																											das
																											Bezugspotential,
																											während
																											der
																											Kollektor
																											von
																											T2
																											einen
																											aus
																											den
																											beiden
																											pnp-Transistoren
																											T3
																											und
																											T4
																											bestehenden
																											Stromspiegelverstärker
																											steuert.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Given
																											the
																											use
																											of
																											an
																											npn
																											transistor
																											T,
																											the
																											emitter
																											of
																											the
																											transistor
																											is
																											connected
																											to
																											a
																											reference
																											potential
																											(ground),
																											the
																											collector
																											lies
																											at
																											the
																											primary
																											winding
																											Wp
																											of
																											the
																											transformer
																											Tr
																											and
																											the
																											other
																											end
																											of
																											the
																											primary
																											winding
																											is
																											connected
																											to
																											the
																											supply
																											potential
																											+Up
																											supplied
																											by
																											the
																											rectifier
																											circuit
																											(which,
																											however,
																											is
																											not
																											shown
																											on
																											the
																											drawings).
																		
			
				
																						Im
																											Falle
																											der
																											Verwendung
																											eines
																											npn-Transistors
																											T
																											liegt
																											der
																											Emitter
																											dieses
																											Transistors
																											am
																											Bezugspotential
																											(Masse),
																											der
																											Kollektor
																											an
																											der
																											Primärwicklung
																											Wp
																											des
																											Transformators
																											Tr
																											und
																											das
																											andere
																											Ende
																											dieser
																											Primärwicklung
																											an
																											dem
																											von
																											der
																											genannten
																											(aber
																											in
																											den
																											Zeichnungen
																											nicht
																											dargestellten)
																											Gleichrichterschaltung
																											gelieferten
																											Versorgungspotentiai
																											+Up.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						If
																											you
																											place
																											a
																											ground
																											collector
																											is
																											not
																											possible,
																											then
																											this
																											type
																											of
																											pump
																											station
																											-
																											the
																											best
																											option.
																		
			
				
																						Wenn
																											Sie
																											einen
																											Erdkollektor
																											Platz
																											nicht
																											möglich
																											ist,
																											dann
																											ist
																											diese
																											Art
																											von
																											Pumpstation
																											-
																											die
																											beste
																											Option.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						On
																											the
																											side
																											of
																											the
																											apparatus
																											1
																											facing
																											the
																											ground,
																											an
																											air
																											collector
																											7
																											is
																											formed
																											in
																											the
																											base
																											support
																											3
																											.
																		
			
				
																						Auf
																											der
																											dem
																											Boden
																											zugewandten
																											Seite
																											der
																											Vorrichtung
																											1
																											ist
																											im
																											Grundträger
																											3
																											ein
																											Luftfänger
																											7
																											ausgebildet.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											control
																											resistor
																											is
																											preferably
																											made
																											up
																											of
																											the
																											collector-emitter
																											channel
																											or
																											the
																											drain-source
																											channel
																											of
																											a
																											transistor,
																											which
																											is
																											referred
																											to
																											below
																											as
																											a
																											control
																											transistor,
																											at
																											whose
																											base
																											or
																											gate
																											a
																											control
																											voltage
																											has
																											been
																											applied,
																											so
																											that
																											the
																											second
																											oscillator
																											capacitor
																											is
																											connected
																											to
																											the
																											second
																											potential,
																											especially
																											to
																											the
																											ground,
																											via
																											the
																											collector-emitter
																											channel
																											or
																											via
																											the
																											drain-source
																											channel
																											of
																											the
																											control
																											transistor,
																											and
																											the
																											frequency
																											of
																											the
																											oscillator
																											can
																											be
																											varied
																											by
																											changing
																											the
																											control
																											voltage.
																		
			
				
																						Bevorzugt
																											ist
																											der
																											Steuerwiderstand
																											durch
																											die
																											Kollektor-Emitter-Strecke
																											bzw.
																											die
																											Drain-Source-Strecke
																											eines
																											Transistors,
																											im
																											folgenden
																											als
																											Steuertransistor
																											bezeichnet,
																											gebildet,
																											an
																											dessen
																											Basis
																											bzw.
																											Gate
																											eine
																											Steuerspannung
																											anliegt,
																											so
																											dass
																											der
																											zweite
																											Oszillator-Kondensator
																											über
																											die
																											Kollektor-Emitter-Strecke
																											bzw.
																											die
																											Drain-Source-Strecke
																											des
																											Steuertransistors
																											an
																											das
																											zweite
																											Potential,
																											insbesondere
																											an
																											Masse,
																											gelegt
																											ist,
																											und
																											die
																											Frequenz
																											des
																											Oszillators
																											durch
																											Verändern
																											der
																											Steuerspannung
																											veränderbar
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						According
																											to
																											an
																											alternative
																											embodiment,
																											the
																											control
																											resistor
																											is
																											formed
																											by
																											the
																											collector-emitter
																											channel
																											of
																											a
																											transistor
																											designated
																											as
																											a
																											control
																											transistor
																											through
																											whose
																											base
																											a
																											control
																											current
																											flows,
																											so
																											that
																											the
																											second
																											oscillator
																											capacitor
																											is
																											connected
																											to
																											the
																											second
																											potential,
																											especially
																											to
																											the
																											ground,
																											via
																											the
																											collector-emitter
																											channel
																											of
																											the
																											control
																											transistor,
																											and
																											the
																											frequency
																											of
																											the
																											oscillator
																											can
																											be
																											varied
																											by
																											changing
																											the
																											control
																											current.
																		
			
				
																						Gemäß
																											einer
																											alternativen
																											Ausführungsform
																											ist
																											der
																											Steuerwiderstand
																											durch
																											die
																											Kollektor-Emitter-Strecke
																											eines
																											als
																											Steuertransistor
																											bezeichneten
																											Transistors
																											gebildet,
																											durch
																											dessen
																											Basis
																											ein
																											Steuerstrom
																											fließt,
																											so
																											dass
																											der
																											zweite
																											Oszillator-Kondensator
																											über
																											die
																											Kollektor-Emitter-Strecke
																											des
																											Steuertransistors
																											an
																											das
																											zweite
																											Potential,
																											insbesondere
																											an
																											Masse,
																											gelegt
																											ist,
																											und
																											die
																											Frequenz
																											des
																											Oszillators
																											durch
																											Verändern
																											des
																											Steuerstromes
																											veränderbar
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Preferably,
																											the
																											collector-emitter
																											channel
																											or
																											the
																											drain-source
																											channel
																											of
																											a
																											transistor,
																											which
																											is
																											referred
																											to
																											below
																											as
																											a
																											control
																											transistor,
																											is
																											used
																											as
																											the
																											control
																											resistor,
																											so
																											that
																											the
																											second
																											oscillator
																											capacitor
																											is
																											connected
																											to
																											the
																											second
																											potential,
																											especially
																											to
																											the
																											ground,
																											via
																											the
																											collector-emitter
																											channel
																											or
																											via
																											the
																											drain-source
																											channel
																											of
																											the
																											control
																											transistor,
																											whereby
																											a
																											control
																											voltage
																											is
																											applied
																											at
																											the
																											base
																											or
																											gate
																											of
																											the
																											control
																											transistor,
																											and
																											the
																											frequency
																											of
																											the
																											oscillator
																											is
																											varied
																											by
																											changing
																											the
																											control
																											voltage.
																		
			
				
																						Als
																											Steuerwiderstand
																											wird
																											bevorzugt
																											die
																											Kollektor-Emitter-Strecke
																											bzw.
																											die
																											Drain-Source-Strecke
																											eines
																											Transistors,
																											der
																											im
																											folgenden
																											als
																											Steuertransistor
																											bezeichnet
																											wird,
																											verwendet,
																											so
																											dass
																											der
																											zweite
																											Oszillator-Kondensator
																											über
																											die
																											Kollektor-Emitter-Strecke
																											bzw.
																											die
																											Drain-Source-Strecke
																											des
																											Steuertransistors
																											an
																											das
																											zweite
																											Potential,
																											insbesondere
																											an
																											Masse,
																											gelegt
																											ist,
																											wobei
																											an
																											die
																											Basis
																											bzw.
																											das
																											Gate
																											des
																											Steuertransistors
																											eine
																											Steuerspannung
																											angelegt
																											wird,
																											und
																											die
																											Frequenz
																											des
																											Oszillators
																											durch
																											Verändern
																											der
																											Steuerspannung
																											verändert
																											wird.
															 
				
		 EuroPat v2