Translation of "Hole mobility" in German

This also results in a significant improvement in the hole and electron mobility.
Das führt auch zu einer bedeutenden Verbesserung der Loch- und Elektronenbeweglichkeit.
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The hole mobility is approximately 10 ?4 cm 2 /Vs.
Die Lochmobilität beträgt etwa 10 -4 cm 2 /Vs.
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Furthermore, the material has a low electron mobility and a high hole mobility.
Weiterhin verfügt das Material über eine geringe Elektronenmobilität und eine hohe Löchermobilität.
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Furthermore, these compounds have higher hole mobility.
Weiterhin weisen diese Verbindungen eine höhere Lochmobilität auf.
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Silicon germanium with such a high germanium content is distinguished by a significantly higher hole mobility compared to silicon.
Siliziumgermanium mit einem derart hohen Germaniumanteil zeichnet sich durch eine gegenüber Silizium deutlich höhere Löcherbeweglichkeit aus.
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A carrier transport layer disposed between the active layer 3 and the cathode 6 and having a high electron mobility, but only a limited hole mobility, is called an electron injection layer 13.
Eine Ladungstransportschicht, die zwischen der aktiven Schicht 3 und der Kathode 6 angeordnet ist und hohe Elektronen- und nur eingeschränkte Löcherbeweglichkeit besitzt, wird als Elektroneninjektionsschicht 13 bezeichnet.
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A charge transport layer disposed between the active layer and the anode and having a high hole mobility, but only a limited electron mobility, is called a hole transport layer (HTL).
Eine Ladungstransportschicht, die zwischen der aktiven Schicht und der Anode angeordnet ist und hohe Löcher- und nur eingeschränkte Elektronenbeweglichkeit besitzt, wird als Löchertransportschicht (HTL) bezeichnet.
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Sadek et al., Solid-State Electronics, Vol. 38, No. 9, (1995), pages 1731 to 1734 and K. Ismael, Lecture at the International School of materials science and technology, Erice, Italy, Jul. 13, to 24, 1995, pages 19 to 20 have proposed increasing the hole mobility in the channel of a p-channel MOS transistor by providing a layer of stressed Si1-x Gex in the region of the channel.
In A. Sadek et al, Solid-State Electronics, Vol. 38, Nr. 9, (1995), Seiten 1731 bis 1734 und K. Ismael, Lecture at the international School of materials science and technology, Erice, Italy, 13. bis 24.07.1995, Seiten 19 bis 20, ist vorgeschlagen worden, zur Erhöhung der Löcherbeweglichkeit im Kanal eines p-Kanal-MOS-Transistors im Bereich des Kanals eine Schicht aus verspannten Si 1-x Ge x vorzusehen.
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It is also possible for the polymers according to the invention to contain units in which structures which increase the hole mobility and the electron mobility are bonded directly to one another.
Es ist auch möglich, daß die erfindungsgemäßen Polymeren Einheiten enthalten, in denen Strukturen, welche die Lochmobilität und welche die Elektronenmobilität erhöhen, direkt aneinander gebunden sind.
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The compounds according to the invention are very highly suitable for use in a hole-transport layer or a hole-injection layer of an organic electroluminescent devices, in particular owing to their high hole mobility.
Die erfindungsgemäßen Verbindungen eignen sich sehr gut für den Einsatz in einer Lochtransportschicht oder einer Lochinjektionsschicht einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung, insbesondere aufgrund ihrer hohen Lochbeweglichkeit.
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The hole mobility is approximately 10 ?4 cm 2 /Vs and the conductivity of a doped layer given 2 to 10% by volume of the dopant is approximately 10 ?5 S/cm.
Die Lochmobilität beträgt etwa 10 -4 cm 2 /VS und die Leitfähigkeit einer dotierten Schicht bei 2 bis 10 Vol% des Dotierstoffs beträgt etwa 10 -5 S/cm.
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The electron and hole mobility in oxidic thin-film layers is generally much lower than in conventional semiconductors and is between 0.1 and a few 100 cm 2 /Vs.
Die Elektronen- und Lochbeweglichkeit in oxidischen Dünnschichten ist im Allgemeinen viel geringer als in konventionellen Halbleitern und beträgt zwischen 0,1 bis wenige 100 cm 2 /Vs.
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What is important here is the electron mobility of more than 10 ?6 cm 2 /Vs, preferably more than 10 ?5 cm 2 /Vs, given a very low to even no hole mobility.
Wichtig ist hier die Elektronenmobilität von mehr als 10 -6 cm 2 /Vs, vorzugsweise mehr als 10 -5 cm 2 /Vs, bei einer sehr geringen bis gar keinen Lochmobilität.
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These materials have a HOMO of ?6.0 to ?5.3 eV and a LUMO of ?2.3±0.1 eV, a T 1 of above 2.5 eV and a hole mobility of approximately 10 ?4 cm 2 /Vs.
Diese Materialien haben ein HOMO von -6,0 bis - 5,3 eV und ein LUMO von -2,3 ± 0,1 eV, ein T1 von über 2,5 eV und eine Lochmobilität von etwa 10 -4 cm 2 /Vs.
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If the electron mobility is prevailing in relation to the hole mobility in a concrete emitting layer, the recombination takes place in the vicinity of the electron block layer.
Überwiegt die Elektronenbeweglichkeit gegenüber der Löcherbeweglichkeit in einer konkreten emittierenden Schicht, findet die Rekombination in der Nähe der Elektronenblockschicht statt.
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For examination purposes, OLEDs were manufactured (see below) where no non-doped intermediate layer is inserted between the hole transport layer and the emission layer with a dominating hole mobility.
Zur Überprüfung wurden OLEDs hergestellt (siehe unten), bei denen keine undotierte Zwischenschicht zwischen die Löchertransportschicht und die Emissionsschicht mit einer dominierenden Löcherbeweglichkeit eingefügt ist.
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In addition, the compounds have high hole mobility, which is highly desirable especially in the case of use as hole transport material or hole injection material.
Weiterhin weisen die Verbindungen eine hohe Lochbeweglichkeit auf, was insbesondere bei der Verwendung als Lochtransportmaterial bzw. Lochinjektionsmaterial hoch erwünscht ist.
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The compound of the formula (1) is furthermore preferably characterised in that the hole mobility ? + is 10 ?6 cm 2 /(Vs) or more, very preferably 10 ?5 cm 2 /(Vs) or more and very particularly preferably 10 ?4 cm 2 /(Vs) or more.
Weiter bevorzugt ist die Verbindung der Formel (1) dadurch charakterisiert, dass die Lochmobilität µ + 10 -6 cm 2 /(Vs) oder mehr beträgt, ganz bevorzugt beträgt sie 10 -5 cm 2 /(Vs) oder mehr und ganz besonders bevorzugt beträgt sie 10 -4 cm 2 /(Vs) oder mehr.
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The compounds according to the invention are very highly suitable for use in a hole-transport layer or a hole-injection layer in electronic devices, such as, for example, in organic electroluminescent devices, in particular owing to their high hole mobility.
Die erfindungsgemäßen Verbindungen eignen sich sehr gut für den Einsatz in einer Lochtransportschicht oder einer Lochinjektionsschicht in elektronischen Vorrichtungen, wie beispielsweise in organischen Elektrolumineszenzvorrichtungen, insbesondere aufgrund ihrer hohen Lochbeweglichkeit.
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The compounds according to the invention are very suitable for use in a hole-transport layer or a hole-injection layer in electronic devices, such as, for example, in organic electroluminescent devices, in particular owing to their high hole mobility.
Die erfindungsgemäßen Verbindungen eignen sich sehr gut für den Einsatz in einer Lochtransportschicht oder einer Lochinjektionsschicht in elektronischen Vorrichtungen, wie beispielsweise in organischen Elektrolumineszenzvorrichtungen, insbesondere aufgrund ihrer hohen Lochbeweglichkeit.
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Due to the high hole mobility of this layer, the holes then quickly continue to migrate in the direction of the actual cathode.
Aufgrund der hohen Löchermobilität dieser Schicht wandern die Löcher dann schnell weiter in Richtung der echten Kathode.
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Hall measurements on a layer, which was deposited on a non-structured monocrystalline substrate of high specific resistance, show a concentration of the electrically active dopant material Ga of 2×10 17 cm ?3 and a hole mobility of 186 cm 2 /Vs.
Hall-Messungen an einer Schicht, die auf einem nicht-strukturierten monokristallinem Substrat von hohem spezifischen Widerstand abgelagert wurde, ergeben eine Konzentration des elektrisch aktiven Dotierungsstoffes Ga von 2 x 10 17 cm -3 und eine Lochbeweglichkeit von 186 cm 2 / Vs.
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