Translation of "Insulated gate bipolar transistor" in German

The semiconductor switching element then functions as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
Das Halbleiterschaltelement funktioniert dann als IGBT (Insulated Gate Bipolartransistor).
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The emitter E 2 of the second insulated gate npn bipolar transistor 2 is led to the node 11 .
Der Emitter E2 des zweiten Insulated Gate npn-Bipolartransistors 2 ist auf den Knoten 11 geführt.
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The emitter E 1 of the first insulated gate bipolar transistor 1 is led to the node 8 .
Der Emitter E1 des ersten Insulated Gate Bipolartransistors 1 ist auf den Knoten 8 geführt.
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The emitter E 2 of the second insulated gate bipolar transistor 2 is led to the node 11 .
Der Emitter E2 des zweiten Insulated Gate Bipolartransistors 2 ist auf den Knoten 11 geführt.
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The emitter E 1 of the first insulated gate npn bipolar transistor 1 is led to the node 8 .
Der Emitter E1 des ersten Insulated Gate npn-Bipolartransistors 1 ist auf den Knoten 8 geführt.
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Because of the lower losses, a field effect transistor or an insulated gate bipolar transistor (IGBT) is preferably used for this purpose.
Der geringeren Verluste wegen wird dabei bevorzugt ein Feldeffekttransistor oder ein sog. IGBT (insulated gate bipolar transistor) eingesetzt.
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An example of the medium power range, where these structures are already established, is the IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
Ein Beispiel für den mittleren Leistungsbereich, wo sich diese Strukturen bereits durchgesetzt haben, ist der IGBT (I nsulated G ate B ipolar T ransistor).
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It goes without saying that instead of an intermediate circuit capacitor bank (C3), a plurality of individual capacitors can also each be connected in series with such an insulated gate bipolar transistor (8).
Es versteht sich, daß anstelle einer Zwischenkreis-Kondensatorbank (C3) auch mehrere einzelne Kondensatoren je mit einem derartigen Bipolartransistor mit isoliertem Gate (8) in Reihe geschaltet sein können.
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A curve (20) shows the time characteristic of the current through a defective insulated gate bipolar transistor, for example (T1), when the fuses (Si1, Si2;
Eine Kurve (20) zeigt den zeitlichen Verlauf des Stromes durch einen defekten Bipolartransistor mit isoliertem Gate, z. B. (T1), bei Vorhandensein der Schmelzsicherungen (Si1, Si2;
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Suitable switch elements are, for example, a GTO (Gate Turn Off-Thyristor), IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor), IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) or elements having switching times which are comparable to or shorter than said elements.
Geeignete Schalterelemente sind beispielsweise GTO (Gate Turn Off-Thyristor), IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor), IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) oder Elemente mit Schaltzeiten, welche mit den genannten Elementen vergleichbar oder kürzer sind.
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To achieve the best possible electrical characteristics for semiconductor power switches, such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), the thickness of the active zone of a semiconductor element must be selected to be as close as possible to the physical material boundaries.
Um bestmögliche elektrische Charakteristiken von Halbleiter-Leistungsschaltern, wie zum Beispiel eines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) zu erzielen, muss die Dicke der aktiven Zone eines Halbleiterelementes so nahe wie möglich an den physikalischen Materialgrenzen gewählt werden.
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The method according to the invention can be used to manufacture the widest variety of semiconductor elements, particularly for IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor), GTOs (Gate turn-off Thyristor) or conventional thyristors.
Das erfindungsgemässe Verfahren lässt sich zur Herstellung der verschiedenartigsten Halbleiterelemente, insbesondere für IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor), GTOs (Gate turn-off Thyristor) oder konventionelle Thyristoren verwenden.
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The motor speed can be regulated with an electronic regulating device which operates a power switch, for example an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) for regulation of the motor voltage, in which case a tachogenerator of the regulating device, which is carried on the armature shaft of the motor, indicates the actual value.
Mit einer elektronischen Regeleinrichtung, die einen Leistungsschalter, beispielsweise ein IGBT (Insolated Gate Bipolar Transistor) zur Regelung der Motorspannung ansteuert, kann die Motordrehzahl reguliert werden, wobei ein an der Ankerwelle des Motors sitzender Tachogenerator der Regeleinrichtung den Istwert anzeigt.
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An intermediate circuit capacitor bank (C3) is connected in series with an insulated gate bipolar transistor (IGBT) (8), which is normally on and is switched off in the event of a fault.
Eine Zwischenkreis-Kondensatorbank (C3) ist mit einem Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) (8) in Reihe geschaltet, der normalerweise eingeschaltet ist und in einem Fehlerfall abgeschaltet wird.
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A diode for charging the intermediate circuit capacitor bank (C3) is reverse-connected in parallel with the insulated gate bipolar transistor (8).
Antiparallel zu dem Bipolartransistor mit isoliertem Gate (8) ist eine Diode zum Aufladen der Zwischenkreis-Kondensatorbank (C3) geschaltet.
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D1', D2') is, on the cathode side with regard to the insulated gate bipolar transistor, a respective short-circuit current limiter or a fuse (Si1, Si2;
D1', D2') ist jeweils, kathodenseitig bezüglich des Bipolartransistors mit isoliertem Gate, ein Kurzschlußstrombegrenzer bzw. eine Schmelzsicherung (Si1, Si2;
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It is important that the anode-side current terminal of the insulated gate bipolar transistor (T1) has a smaller, preferably at least 10% smaller, electrical resistance than the cathode-side terminal of said transistor.
Wichtig ist, daß der anodenseitige Stromanschluß des Bipolartransistors mit isoliertem Gate (T1) einen kleineren, vorzugsweise mindestens 10 % kleineren elektrischen Widerstand als dessen kathodenseitiger Anschluß aufweist.
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This is achieved in accordance with the invention in that, the switching component is composed of a transistor, namely a FET (field effect transistor) or an IGBT (insulated gate bipolar transistor), whose gate or base is preconnected to a special control circuit in such a way that an increased trigger current briefly flows in the trigger circuit for gating the switching component, and a substantially smaller holding current subsequently flows in the gated state, respectively.
Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, daß das Schaltelement von einem Transistor, und zwar einem Feldeffekttransistor (FET) oder einem IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), gebildet ist, dessen Basis bzw. Gate eine spezielle Ansteuerschaltung derart vorgeschaltet ist, daß im Ansteuerstromkreis jeweils zum Durchschalten des Schaltelementes kurzzeitig ein erhöhter Ansteuerstrom und nachfolgend im durchgeschalteten Zustand ein deutlich geringerer Haltestrom fließt.
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Preferred examples of voltage-controlled switching elements are, in particular, field-effect transistors, especially MOSFETs or else IGBT (“Insulated Gate Bipolar Transistor”).
Bevorzugte Beispiele für spannungsgesteuerte Schaltelemente sind insbesondere Feldeffekttransistoren, vor allem MOSFETs, oder auch IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor").
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It is based on an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) as claimed in the preamble of the first claim.
Sie geht aus von einem Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) nach dem Oberbegriff des ersten Anspruchs.
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Accordingly, one object of the invention is to provide a novel insulated-gate bipolar transistor in which a homogeneous turn-off current distribution is obtained by a pattern which can be produced to be completely self-aligning.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es nun, einen Bipolartransistor mit isoliertem Gate anzugeben, bei welchem eine homogene Abschaltstromverteilung durch eine Struktur erreicht wird, welche vollständig selbstjustierend hergestellt werden kann.
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Control signals for the power semiconductors, for example gate control signals for an insulated gate bipolar transistor (IGBT) are passed from the housing via a busbar and a control terminal conductor 6 .
Steuersignale für die Leistungshalbleiter, beispielsweise Gate-Steuersignale für Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), werden über eine Sammelschiene und einen Steuer-Anschlussleiter 6 aus dem Gehäuse geführt.
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This publication describes a semiconductor module with a module housing, a metallic base plate and a plurality of semiconductor elements, in this case IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chips and diodes, arranged on said base plate and covered by said module housing.
Diese Publikation beschreibt ein Halbleitermodul mit einem Modulgehäuse, einer metallenen Basisplatte und mehreren darauf angeordneten, vom Modulgehäuse überdeckten Halbleiterelementen, in diesem Fall IGBT-Chips (Insulated Gate Bipolar Transistor) und Dioden.
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