Translation of "Junction capacitance" in German

The junction capacitance of the tuning diode is then a monotonic function of the bias voltage.
Die Sperrschichtkapazität der Abstimmdiode ist dann eine monotone Funktion dieser Vorspannung.
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This leads to a reduction of the junction capacitance.
Dies führt zu einer Reduktion der Junction-Kapazität.
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The Schottky diodes have virtually no stored charge and a very small junction capacitance.
Die Schottky-Dioden haben praktisch keine gespeicherte Ladung und eine sehr kleine Kapazität des Schichtübergangs.
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This constant voltage is desirable in order to prevent the exponential response of the PNP transistor T8 from being modified by charge transfer through the collector-base junction capacitance of PNP transistor T8.
Diese konstante Spannung ist erwünscht, denn sie verhindert, daß das exponentielle Verhalten des NPN-Transistors T8 durch eine Ladungsübertragung über die Kapazität des Kollektor-Basisübergangs des PNP-Transistors T8 verändert wird.
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Furthermore, by arranging the collector 22 so as to abutt the recessed isolation region 12 a further advantage is provided in that high collector-base junction breakdown voltage and low junction capacitance is achieved.
Ferner wird durch die Anordnung des Kollektors unmittelbar im Anschluß an die eingelassene Isolationszone 12 ein weiterer Vorteil dadurch erreicht, daß zwischen Kollektor und Basis eine hohe Durchschlagsspannung erreicht und außerdem eine geringe Kapazität des Schichtübergangs erzielt wird.
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Conventionally, such AFC circuits use a controllable impedance incorporated in the parallel resonant circuit of the oscillator and formed by the junction capacitance of a semiconductor section, for example, of a semiconductor diode or a transistor, in the latter case, for example the capacitance occurring in the collector circuit of a transistor so as to achieve fine tuning of the oscillator.
Üblicherweise verwenden derartige AFC-Schaltungen eine in den Parallelresonanzkreis des Oszillators aufgenommene re­gelbare Impedanz in Form der Sperrschichtkapazität einer Halbleiterstrecke, beispielsweise einer Halbleiterdiode oder eines Transistors, im letzteren Fall beispielsweise die im Kollektorkreis eines Transistors auftretende Kapazität, um eine Nachstimmung des Oszillators zu erreichen.
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Using a separating oxide layer at the collector terminals, the collector-substrate capacitance is reduced in comparison to a mere junction capacitance or a higher substrate doping and thus a lower spacing between adjacent wells is possible without increasing the capacitance.
Bei Verwendung der fakultativen Oxidtrennschicht bei Kollektoranschlüssen wird die Kollektor-Substrat-Kapazität gegenüber einer reinen Sperrschichtkapazität verringert, bzw. bei gleichbleibender Kapazität ist eine höhere Substratdotierung und damit ein geringerer Abstand benachbarter Wannen möglich.
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A device according to claim 2, wherein the difference in current is integrated on the junction capacitance of the photodiode (1) or in a charge integrator (7).
Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Differenzstrom auf der Sperrschichtkapazität der Photodiode (1) oder einem Ladungsintegrator (7) aufintegriert wird.
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The tuning diodes 7 and the trimming diodes 9 are so-called variable-capacitance diodes whose junction capacitance in the event of a polarity opposite to the forward direction is a monotonic function of the voltage present at the variable-capacitance diodes.
Bei den Abstimmdioden 7 und den Abgleichdioden 9 handelt es sich um sogenannte Kapazitätsdioden, deren Sperrschichtkapazität bei Polung gegen die Flußrichtung eine monotone Funktion der an den Kapazitätsdioden anliegenden Spannung ist.
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In a method of forming an integrated circuit array having a capacitance formed by a pn-junction and separated from other components by a pn-junction, semiconductor areas are provided which connect that zone of the two semiconductor zones forming the pn-junction of the capacitance that extends deeper into the semiconductor element than the other of the two semiconductor zones forming the pn-junction of the capacitance electrically to that zone of the two semiconductor zones forming the separating pn-junction that faces away from the capacitance.
Bei einer integrierten Schaltungsanordnung mit einer Kapazität, die durch einen pn-Übergang gebildet ist und die von anderen Bauelementen durch einen pn- Übergang separiert ist, sind Halbleiterbereiche vorgesehen, die die­jenige der beiden den pn-Übergang der Kapazität bildenden Halbleiterzonen, die sich tiefer in den Halbleiterkörper erstreckt als die andere der beiden den pn-Übergang der Kapazität bildenden Halbleiterzonen, elektrisch mit der­jenigen Halbleiterzone der den separierenden pn-Übergang bildenden Halblei­terzonen verbindet, die der Kapazität abgewandt ist.
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In an integrated circuit array having a capacitance formed by a pn-junction and separated from other components by a pn-junction, semiconductor areas are provided which connect that zone of the two semiconductor zones forming the pn-junction of the capacitance that extends deeper into the semiconductor element than the other of the two semiconductor zones forming the pn-junction of the capacitance electrically to that zone of the two semiconductor zones forming the separating pn-junction that faces away from the capacitance.
Bei einer integrierten Schaltungsanordnung mit einer Kapazität, die durch einen pn-Übergang gebildet ist und die von anderen Bauelementen durch einen pn- Übergang separiert ist, sind Halbleiterbereiche vorgesehen, die die­jenige der beiden den pn-Übergang der Kapazität bildenden Halbleiterzonen, die sich tiefer in den Halbleiterkörper erstreckt als die andere der beiden den pn-Übergang der Kapazität bildenden Halbleiterzonen, elektrisch mit der­jenigen Halbleiterzone der den separierenden pn-Übergang bildenden Halblei­terzonen verbindet, die der Kapazität abgewandt ist.
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A PNP transistor T2 having a base-emitter junction capacitance, indicated by capacitor C1, has its base connected to the emitter of transistor T1.
Die Basis eines PNP-Transistors T2, der eine durch den Kondensator C1 angedeutete Sperrschichtkapazität zwischen seinem Emitter und seiner Basis aufweist, ist mit dem Emitter des Transistors T1 verbunden.
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It is possible to realize the capacitance CF as gate capacitance or junction capacitance, since sufficient voltage is present in the operating case.
Möglich ist eine Realisierung der Kapazität CF als Gatekapazität oder Sperrschichtkapazität, da im Betriebsfall ausreichend Spannung anliegt.
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This results in a field-effect transistor with local source and drain insulation which has a significantly reduced junction capacitance at its source and drain regions S and D and furthermore enables a connection possibility for the channel region lying between the source and drain regions.
Auf diese Weise erhält man einen Feldeffekttransistor mit lokaler Source- und Drainisolation, der eine wesentlich verringerte Junction-Kapazität an seinen Source- und Draingebieten S und D aufweist und darüber hinaus eine Anschlussmöglichkeit des zwischen dem Source- und Draingebiet liegenden Kanalgebietes ermöglicht.
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The total junction capacitance which is added in each case between the gate connections may be kept small by way of the series connection of the diodes.
Durch die Serieschaltung der Dioden kann die totale Sperrschichtkapazität, welche zwischen den Gate-Anschlüssen jeweils hinzugefügt wird, klein gehalten werden.
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