Translation of "Lattice mismatch" in German

In a corresponding way, the force produced by a tensile lattice mismatch can be partially compensated for.
In entsprechender Weise kann die Kraft einer tensilen Gitterfehlanpassung teilweise kompensiert werden.
EuroPat v2
Tunnel barrier layers with an aluminum content of this type are particularly suitable in particular with regard to a moderate lattice mismatch.
Insbesondere im Hinblick auf moderate Gitterfehlanpassung sind Tunnel-Barriereschichten mit derartigem Aluminiumgehalt besonders geeignet.
EuroPat v2
This further layer 5 is then stressed by the corresponding lattice mismatch.
Diese weitere Schicht 5 ist dann bei entsprechender Gitterfehlanpassung verspannt.
EuroPat v2
The lattice mismatch causes a substantially different behavior below a certain critical cluster size.
Die Gitterfehlanpassung führt zu einem grundlegend anderen Verhalten unterhalb einer kritischen Clustergröße.
ParaCrawl v7.1
The higher the lattice mismatch, the higher the surface energy of the HTS layer that grows will be.
Je größer die Gitterfehlanpassung ist, desto größer wird die Oberflächenenergie der aufwachsenden HTSL-Schicht.
EuroPat v2
The difference in lattice constants between the layer and the substrate, the lattice mismatch, was determined by X-ray measurements at 0028 reflex.
Der Unterschied der Gitterkonstanten von Schicht und Substrat, die Fehlanpassung, wird röntgenografisch beim 0028 Reflex gemessen.
EuroPat v2
The intermediate layer of SiC thereby serves to diminish (compensate for) the prevailing lattice mismatch of approximately 52% or approximately 58% between the growth substrate on the one hand, whose lattice constant is approximately 5.43 Å (Si) or 5.65 Å (GaAs), and the applied diamond layer on the other hand with a lattice constant of approximately 3.57 Å, with respect to the lattice constant of the diamond layer, in order to thereby facilitate an acceptable growth of the diamond layer on such growth substrates.
Die Zwischenschicht aus SiC dient hierbei dazu, die zwischen dem Wachstum-Subtrat, deren Gitterkonstante etwa 5,43 Å (Si) bzw. 5,65 Å (GaAs) einerseits und der aufzubringenden Diamantschicht mit eine Gitterkonstanten von etwa 3,57 Å andererseits herrschende Gitterfehlanpassung, bezogen auf die Gitterkonstante der Diamantschicht von etwa 52% bzw. etwa 58% abzubauen, um dadurch ein akzeptables Wachstum der Diamantschicht auf derartigen Wachstum-Substraten zu ermöglichen.
EuroPat v2
Since SiC has a lattice constant of approximately 4.36 Å, its lattice mismatch with respect to the lattice constant of the growth substrate amounts to approximately 25% (Si) or 30% (GaAs), and with respect to the diamond layer 22%, in which case the difference is with respect to the lattice constant of the diamond layer.
Da SiC eine Gitterkonstante von etwa 4,36 Å hat, beträgt dessen Gitterfehlanpassung, bezogen auf die Gitterkonstante des Wachstum-Substrats etwa 25 % (Si) bzw. 30 % (GaAs), und hinsichtlich der Diamantschicht 22%, wobei hier die Differenz auf die Gitterkonstante der Diamantschicht bezogen ist.
EuroPat v2
By means of the bridging of the crystalline SiC-layer, the effects of the existing lattice mismatch on the quality of the deposited diamond layer are minimized.
Durch eine Verspannung der die kristallinen SiC-Schicht wird die Auswirkungen der vorliegende Gitterfehlanpassung auf die Qualität der abgeschiedenen Diamantschicht verringert.
EuroPat v2
In this way the lattice mismatch existing between the silicon growth substrate 1 and the diamond layer 2, which amounts to more than 50% with reference to the lattice constant aD of the diamond layer 2 and which leads to diamond layers 2 of inferior quality, is substantially diminished.
Dadurch ist die zwischen dem Wachstum-Substrat 1 aus Silizium und der Diamantschicht 2 bestehende Gitterfehlanpassung, die, bezogen auf die Gitterkonstante a D der Diamantschicht 2 mehr als 50% beträgt, und zu qualitativ minderwertigen Diamantschichten 2 führt, weitgehend abgebaut.
EuroPat v2
The difference in lattice constants betweeen the layer and the substrate, the lattice mismatch, was determined by X-ray measurements at 0028 reflex.
Der Unterschied der Gitterkonstanten von Schicht und Substrat, die Fehlanpassung, wird röntgenografisch beim 0028 Reflex gemessen.
EuroPat v2
The formation of buffer layers in the fabrication of GaN-based semiconductor bodies is a standard way of compensating for a lattice mismatch between the epitaxy substrate and the epitaxy layers that follow the buffer layer.
Die Ausbildung von Pufferschichten bei der Herstellung von GaN-basierenden Halbleiterkörpern ist üblich, um eine Gitterfehlanpassung zwischen Epitaxiesubstrat und den auf die Pufferschicht folgenden Epitaxieschichten auszugleichen.
EuroPat v2
Two major challenges however have to be met: due to the strong lattice mismatch between GaN and foreign substrates, GaN has to be grown in a special process.
Dabei stellen sich zwei wesentliche Herausforderungen: Aufgrund der hohen Gitterfehlanpassung zwischen GaN und Fremdsubstraten erfordert die Abscheidung von GaN einen speziellen Herstellungsprozess.
ParaCrawl v7.1
Since the nanorods in particular are not densely packed, the nanorods may bend and thus compensate thermal strain due to lattice mismatch even over relatively large areas.
Da die Nanostäbe insbesondere nicht dicht gepackt vorliegen, können die Nanostäbe sich verbiegen und somit thermische Verspannungen aufgrund einer Gitterfehlanpassung auch über größere Flächen hinweg ausgleichen.
EuroPat v2
This lattice mismatch results in islands of the material of the nanorods on the substrate top, which form the nuclei.
Durch diese Gitterfehlanpassung entstehen Inseln des Materials der Nanostäbe auf der Substratoberseite, die die Nukleationskeime bilden.
EuroPat v2
Such a nanorod length ensures that the nanorods have sufficiently high flexibility to be able to compensate strain of mechanical and/or structural origin resulting from a lattice mismatch between substrate and semiconductor layer sequence.
Durch eine solche Länge der Nanostäbe ist gewährleistet, dass diese eine ausreichend hohe Flexibilität aufweisen, um mechanisch und/oder strukturell bedingte Verspannungen aufgrund einer Gitterfehlanpassung zwischen Substrat und Halbleiterschichtenfolge ausgleichen zu können.
EuroPat v2
Such nanorods ensure that, on growth of the semiconductor layer sequence on the nanorods, particularly low mechanical strain arises as the result of a lattice mismatch.
Durch solche Nanostäbe ist gewährleistet, dass beim Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge auf den Nanostäben besonders geringe mechanische Verspannungen aufgrund einer Gitterfehlanpassung auftreten.
EuroPat v2
Preferably, the deposition methods used are those which result in a best possible homogeneity of the heterolayer structure in all spatial directions with respect to composition and lattice mismatch of the individual layers.
Vorzugsweise kommen solche Abscheideverfahren zur Anwendung, die eine möglichst gute Homogenität der Heteroschichtstruktur in allen Raumrichtungen bezüglich Zusammensetzung und Gitterfehlanpassung der individuellen Schichten ermöglichen.
EuroPat v2
In this case, with an indium content of at least 15%, a lattice mismatch f of at least 2% may arise.
Hierbei kann bei einem Indiumgehalt von mindestens 15% eine Gitterfehlanpassung f von mindestens 2% auftreten.
EuroPat v2
In this case, with an indium content of at least 15%, a lattice mismatch f of at most 2% may arise.
Hierbei kann bei einem Indiumgehalt von mindestens 15% eine Gitterfehlanpassung f von höchstens 2% auftreten.
EuroPat v2
By means of the growth layer described here, which comprises structure elements at the growth surface, it is advantageously possible to counteract troublesome crystal defects, which would be caused by the lattice mismatch f in the absence of a structured growth layer.
Mittels der vorliegend beschriebenen Aufwachsschicht, die an der Aufwachsoberfläche Strukturelemente aufweist, ist es vorteilhafterweise möglich, störenden Kristalldefekten entgegen zu wirken, die ohne strukturierte Aufwachsschicht durch die Gitterfehlanpassung f hervorgerufen würden.
EuroPat v2
The greater is the lattice mismatch f between substrate and active zone, the greater should be the density of the structure elements and the smaller the width thereof.
Je größer die Gitterfehlanpassung f zwischen Substrat und aktiver Zone ist, desto größer sollte die Dichte der Strukturelemente und desto kleiner deren Breite gewählt werden.
EuroPat v2
If the lattice mismatch f between substrate and active zone is less than 2%, such as for example when InGaN template substrates or ZnO substrates are used, the density of the structure elements may be reduced and their width enlarged.
Ist die Gitterfehlanpassung f zwischen Substrat und aktiver Zone kleiner als 2%, wie zum Beispiel bei der Verwendung von InGaN-Template-Substraten oder ZnO-Substraten, kann die Dichte der Strukturelemente reduziert und deren Breite vergrößert werden.
EuroPat v2
In an extreme case, if the lattice mismatch f between substrate and active zone is less than 0.5%, the structure elements may be made so wide that the growth surface is nearly planar.
Im Extremfall, wenn die Gitterfehlanpassung f zwischen Substrat und aktiver Zone kleiner als 0,5% wird, können die Strukturelmente so breit ausgebildet werden, dass die Aufwachsoberfläche annähernd planar ist.
EuroPat v2
Preferably, substrates are used here in which the lattice mismatch f between substrate and active zone amounts to at least 0.5%.
Vorzugsweise werden vorliegend Substrate verwendet, bei welchen die Gitterfehlanpassung f zwischen Substrat und aktiver Zone mindestens 0.5% beträgt.
EuroPat v2
This weakens the stresses in the diode laser 12 including contact layer caused by the lattice mismatch with respect to the substrate 1 .
Dadurch wird die Verspannung in dem Diodenlaser 12 einschließlich Kontaktschicht aufgrund der Gitterfehlanpassung auf das Substrat 1 abgeschwächt.
EuroPat v2

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