Translation of "Lsi circuit" in German

Conceptionally, the LSI circuit may be considered a development or extension of the conventional integrated circuit.
Im Konzept kann die LSI-Schaltung als Weiterentwicklung oder Erweiterung der konventionellen integrierten Schaltung betrachtet werden.
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Since the invention resides primarily in the structural layout of a large-scale integrated (LSI) circuit in combination with the wiring thereof (personalized metallization layout) rather than in any specific semiconductor process for forming integrated circuits or insulated metallization patterns, the processes for forming integrated circuits and the various metallization levels will not be described in extensive detail.
Da sich die Erfindung hauptsächlich auf der Struktur von hochgradig integrierten Schaltungen (LSI-Schaltungen) in Verbindung mit ihrer Verdrahtung (personalisiertes Metallmuster) und nicht in einem spezifischen Halbleiterprozeß zur Bildung integrierter Schaltungen oder isolierter Metallmuster bezieht, werden anschließend die Prozesse zur Herstellung integrierter Schaltungen und der verschiedenen Verdrahtungsebenen nicht so ausführlich beschrieben.
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The term "LSI circuit" is also used to designate a much greater number of integrated circuit components as compared with a unit cell.
Der Ausdruck "LSI-Schaltung" dient auch zur Bezeichnung einer wesentlich höheren Anzahl integrierter Schaltungskomponenten im Vergleich zu einer Einheitszelle.
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One of the strongest reasons the custom design approach is not particularly suited or efficient for LSI semiconductor devices is that the custom design approach necessitates designing, for each individual LSI circuit (or part number) both impurity diffusion masks for forming the circuit elements and interconnection masks for interconnecting the circuit elements.
Einer der stärksten Gründe, aus denen die herkömmliche Konstruktionstechnik für LSI-Halbleiterschaltungen nicht geeignet oder wirksam ist, liegt darin, daß sie für jede einzelne LSI-Schaltung die Entwicklung von Masken sowohl für die Dotierung zur Ausbildung der Schaltungselemente als auch für die Verdrahtung der Schaltungselemente erfordert.
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A measuring error resulting from the dislocation of the secondary electron focusing image ZS is fundamentally incorrectable. The error is caused only by the field of the objective lens OL and is not a particular disadvantage in practice, especially for quantitative measurements of potential at nodes of an LSI circuit, since the specimen IC can be aligned precisely relative to the optical axis OA up to about one micrometer with the assistance of precision mechanical devices.
Der aus dieser prinzipiell nicht korrigierbaren und allein durch das Feld der Objektivlinse OL verursachten Verschiebung des Sekundäretektronenfokus ZS resultierende Meßfehler ist in der Praxis inbesondere bei quantitativen Potentialmessungen an Knotenpunkten einer hochintegrierten Schaltung nicht vom besonderen Nachteil, da man die Probe IC mit Hilfe feinmechanischer Einrichtungen bis auf etwa 1 um genau relativ zur optischen Achse OA ausrichten kann.
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As described in this publication, it is important that the material of a semiconductor chip carrying the LSI circuit have uniformity and freedom from defects such that every individual functional element of the integrated circuit is operational.
Fraglos ist es wichtig, daß das Material eines Halbleiterchips, das eine solche hochintegrierte Schaltung trägt, eine solche Homogenität und Fehlerfreiheit besitzt, daß jedes einzelnes Funktionselement dieser integrierten Schaltung funktionstüchtig ist.
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Transistors of this type are used in LSI circuits for high switching speeds.
Solche Transistoren werden in LSI-Schaltungen für hohe Schaltgeschwindigkeiten verwendet.
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Transistors of this kind are used in LSI circuits for high switching speeds.
Solche Tran­sistoren werden in LSI-Schaltungen für hohe Schaltge­schwindigkeiten verwendet.
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Direct drive by microprocessors or LSI circuits is therefore out of the question.
Eine direkte Ansteuerung durch Mikroprozessoren oder LSI-Schaltungen kommt daher nicht in Betracht.
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Modern hearing aid circuits are distinguished by LSI active circuits having only minimal outside wiring.
Moderne Hörgeräteschaltungen zeichnen sich durch hochintegrierte aktive Schaltungen mit nur noch minimaler Außenbeschaltung aus.
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With the introduction of LSI circuits, however, it has become possible — and even quite simple — to produce iterative circuits, and it now seems feasible that they will be brought into general use.
Durch die Ein­führung von LSI (Large Scale Integration) Schaltungen ist es jedoch möglich gewor­den — und sogar ganz einfach —, iterative Schaltkreise zu bauen, und es erscheint mittlerweise sogar vorstellbar, daß sie allgemeine Verwendung finden können.
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Particularly illuminating references regarding the localization of faults in LSI circuits are obtained by means of quantitative measurements of the chronological curve of potential at selected nodes of the components to be tested.
Besonders aufschlußreiche Hinweise zur Lokalisierung von Fehlern in hochintegrierten Schaltungen erhält man durch quantitative Messungen des zeitlichen Potentialverlaufes an ausgewählten Knotenpunkten der zu untersuchenden Bauelemente.
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An exact knowledge of the signal curve f(t) in, for example, LSI circuits is required in order to be able to recognize and eliminate weak points and design errors within the semiconductor components during the development phase by comparing measured and theoretically anticipated voltage values.
Eine genaue Kenntnis des Verlaufes des Probesignals f(t), beispielsweise in hochintegrierten Schaltungen, ist erforderlich, um schon frühzeitig während der Entwicklungsphase Schwachstellen und Konstruktionsfehler innerhalb der Halbleiterbauelemente durch Vergleich gemessener und theoretisch erwarteter Spannungswerte erkennen und beseitigen zu können.
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The disclosed retarding field spectrometers preferably are used for quantitative measurements of voltages in LSI circuits and are generally formed of an extraction electrode, one or more retarding field electrodes, and a deflection unit for accelerating the secondary electrons in the direction of a scintillator.
Diese vorzugsweise für quantitative Potential­messungen in hochintegrierten Schaltungen eingesetzten Gegenfeld-Spektrometer bestehen üblicherweise aus einer Absaugelektrode, einer oder mehreren Gegenfeldelektroden und einer Ablenkeinheit zur Beschleunigung der Sekundär­elektronen in Richtung eines Szintillators.
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LSI circuits are also discussed in this publication, particularily techniques for realizing such circuits on semiconductor chips of corresponding size.
Auch in dieser Druckschrift sind hochintegrierte Schaltungen abgehandelt, wie sie auf Halbleiterchips entsprechender Größe realisiert werden.
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