Translation of "Manufacturing variation" in German
The
position
of
the
support
of
the
swivel
lever
23
on
the
tool
base
16
can
be
modified
to
permit
compensation
for
assembly
and/or
manufacturing
tolerances,
variation
of
the
travel
path
of
the
swivel-lever
tip
as
well
as
the
mutual
adjustment
of
the
swivel
levers
23
of
juxtapositioned
bending
tools
12
.
Zum
Ausgleich
von
Montage-
und/oder
Fertigungstoleranzen,
zur
Variierung
der
Bewegungsbahn
der
Schwenkhebelspitze
und
auch
zur
gegenseitigen
Justage
der
Schwenkhebel
23
nebeneinander
angeordnete
Biegewerkzeuge
12
lässt
sich
die
Lage
der
Abstützung
des
Schwenkhebels
23
an
der
Werkzeugbasis
16
verändern.
EuroPat v2
Manufacturing
variations
as
a
rule
require
calibration
of
the
reference
signal.
Fertigungstoleranzen
erfordern
in
der
Regel
einen
Abgleich
des
Referenzsignales.
EuroPat v2
The
adhesive
tape
can
be
manufactured
in
many
variations.
Das
Klebeband
kann
in
vielen
Variationen
hergestellt
werden.
EuroPat v2
Manufacturing
variations
of
the
inductive
sensor
as
well
as
temperature
changes
have
no
influence
on
the
output
signal.
Exemplarstreuungen
des
induktiven
Meßwertaufnehmers
sowie
Temperaturänderungen
haben
keinen
Einfluß
auf
das
Ausgangssignal.
EuroPat v2
In
addition,
deviations
due
to
manufacturing
irregularities
and
variations
in
units
must
not
be
substantial.
Außerdem
dürfen
durch
Fertigungsungenauigkeiten
und
Exemplarstreuungen
keine
zu
großen
Abweichungen
auftreten.
EuroPat v2
Further,
manufacturing
variations
of
the
inductive
sensors
are
compensated.
Ferner
werden
Exemplarstreuungen
der
induktiven
Meßwertaufnehmer
ausgeglichen.
EuroPat v2
The
same
kind
of
decorative
plaster
can
be
manufactured
in
different
variations.
Die
gleiche
Art
von
Dekorputz
kann
in
verschiedenen
Varianten
hergestellt
werden.
ParaCrawl v7.1
This
serves
for
keeping
the
manufacturing
variations
between
the
bridges
as
small
as
possible.
Letzteres
dient
dazu,
die
Fertigungsschwankungen
zwischen
den
beiden
Brücken
gering
zu
halten.
EuroPat v2
By
adjusting
the
telescope,
manufacturing
variations
can
also
be
compensated
in
the
beam
divergence
of
the
radiation
source
11
.
Durch
Justage
des
Teleskops
können
auch
Fertigungsschwankungen
in
der
Strahldivergenz
der
Strahlquelle
11
ausgeglichen
werden.
EuroPat v2
A
definitive
countervailing
duty
is
hereby
imposed
on
imports
of
certain
electronic
integrated
circuits
known
as
Dynamic
Random
Access
Memories
(DRAMs)
manufactured
using
variations
of
metal
oxide-semiconductors
(MOS)
process
technology,
including
complementary
MOS
types
(CMOS),
of
all
types,
densities,
variations,
access
speed,
configuration,
package
or
frame,
etc.,
originating
in
the
Republic
of
Korea.
Auf
die
Einfuhren
bestimmter
elektronischer
Mikroschaltungen,
so
genannter
DRAMs
(dynamische
Schreib-Lesespeicher
mit
wahlfreiem
Zugriff),
die
nach
Varianten
der
Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik
einschließlich
der
CMOS-Technik
hergestellt
werden,
aller
Typen,
Speicherdichten
und
Varianten
und
unabhängig
von
der
Zugriffsgeschwindigkeit,
der
Konfiguration,
dem
Gehäuse
oder
Rahmen
usw.,
mit
Ursprung
in
der
Republik
Korea
wird
ein
endgültiger
Ausgleichszoll
eingeführt.
DGT v2019
The
product
concerned
by
this
investigation
is
the
same
as
that
covered
by
the
original
investigation,
i.e.
certain
electronic
microcircuits
known
as
Dynamic
Random
Access
Memories
(DRAMs),
of
all
types,
densities
and
variations,
whether
assembled,
in
processed
wafer
or
chips
(dies),
manufactured
using
variations
of
metal
oxide-semiconductors
(MOS)
process
technology,
including
complementary
MOS
types
(CMOS),
of
all
densities
(including
future
densities),
irrespective
of
access
speed,
configuration,
package
or
frame
etc.,
originating
in
the
Republic
of
Korea.
Diese
Untersuchung
betrifft
dieselbe
Ware
wie
die
Ausgangsuntersuchung,
d.
h.
bestimmte
elektronische
Mikroschaltungen,
so
genannte
DRAMs
(dynamische
Schreib-Lesespeicher
mit
wahlfreiem
Zugriff),
aller
Typen,
Speicherdichten
und
Varianten,
auch
montiert,
in
Form
von
bearbeiteten
Scheiben
(wafers)
oder
Chips,
die
nach
Varianten
der
Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik
einschließlich
der
CMOS-Technik
hergestellt
werden,
aller
Speicherdichten
(auch
künftiger),
unabhängig
von
der
Zugriffsgeschwindigkeit,
der
Konfiguration,
dem
Gehäuse,
dem
Rahmen
usw.,
mit
Ursprung
in
der
Republik
Korea.
DGT v2019
The
product
under
consideration
and
the
like
product
are
the
same
as
that
covered
by
the
original
investigation,
i.e.
certain
electronic
microcircuits
known
as
dynamic
random
access
memories
(DRAMs),
of
all
types,
densities
and
variations,
whether
assembled,
in
processed
wafer
or
chips
(dies),
manufactured
using
variations
of
metal
oxide-semiconductors
(MOS)
process
technology,
including
complementary
MOS
types
(CMOS),
of
all
densities
(including
future
densities),
irrespective
of
access
speed,
configuration,
package
or
frame
etc.,
originating
in
the
Republic
of
Korea.
Diese
Untersuchung
betrifft
dieselbe
Ware
wie
die
Ausgangsuntersuchung,
d.
h.
bestimmte
elektronische
Mikroschaltungen,
so
genannte
DRAMs
(dynamische
Schreib-Lesespeicher
mit
wahlfreiem
Zugriff),
aller
Typen,
Speicherdichten
und
Varianten,
auch
montiert,
in
Form
von
bearbeiteten
Scheiben
(wafers)
oder
Chips,
die
nach
Varianten
der
Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik
einschließlich
der
CMOS-Technik
hergestellt
werden,
aller
Speicherdichten
(auch
künftiger),
unabhängig
von
der
Zugriffsgeschwindigkeit,
der
Konfiguration,
dem
Gehäuse,
dem
Rahmen
usw.,
mit
Ursprung
in
der
Republik
Korea.
DGT v2019
Consequently,
the
definitive
countervailing
duties
paid
or
entered
in
the
accounts
pursuant
to
Council
Regulation
(EC)
No
1480/2003
on
imports
of
certain
electronic
integrated
circuits
known
as
Dynamic
Random
Access
Memories
(DRAMs)
manufactured
using
variations
of
metal
oxide-semiconductors
(MOS)
process
technology,
including
complementary
MOS
types
(CMOS),
of
all
types,
densities,
variations,
access
speed,
configuration,
package
or
frame
etc.,
originating
in
the
Republic
of
Korea
and
released
for
free
circulation
as
from
31
December
2007
should
be
repaid
or
remitted.
Daher
sollten
die
endgültigen
Ausgleichszölle
erstattet
oder
erlassen
werden,
die
gemäß
der
Verordnung
(EG)
Nr.
1480/2003
auf
die
Einfuhren
bestimmter
elektronischer
Mikroschaltungen,
so
genannter
DRAMs
(dynamische
Schreib-Lesespeicher
mit
wahlfreiem
Zugriff),
aller
Typen,
Speicherdichten,
Varianten,
Zugriffsgeschwindigkeiten,
Konfigurationen,
Gehäuse
oder
Rahmen
usw.,
die
nach
Varianten
der
Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik
einschließlich
der
CMOS-Technik
hergestellt
werden,
mit
Ursprung
in
der
Republik
Korea,
die
ab
dem
31.
Dezember
2007
in
den
zollrechtlich
freien
Verkehr
übergeführt
wurden,
entrichtet
oder
buchmäßig
erfasst
wurden.
DGT v2019
The
countervailing
duty
imposed
on
imports
of
certain
electronic
integrated
circuits
known
as
Dynamic
Random
Access
Memories
(DRAMs)
manufactured
using
variations
of
metal
oxide-semiconductors
(MOS)
process
technology,
including
complementary
MOS
types
(CMOS),
of
all
types,
densities,
variations,
access
speed,
configuration,
package
or
frame
etc.
originating
in
the
Republic
of
Korea
imposed
by
Regulation
(EC)
No
1480/2003
is
repealed
as
of
31
December
2007
and
the
proceeding
is
terminated.
Der
mit
der
Verordnung
(EG)
Nr.
1480/2003
eingeführte
Ausgleichszoll
auf
die
Einfuhren
bestimmter
elektronischer
Mikroschaltungen,
so
genannter
DRAMs
(dynamische
Schreib-Lesespeicher
mit
wahlfreiem
Zugriff),
die
nach
Varianten
der
Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik
einschließlich
der
CMOS-Technik
hergestellt
werden,
aller
Typen,
Speicherdichten,
Varianten,
Zugriffsgeschwindigkeiten,
Konfigurationen,
Gehäuse
oder
Rahmen
usw.,
mit
Ursprung
in
der
Republik
Korea
wird
mit
Wirkung
vom
31.
Dezember
2007
aufgehoben,
und
das
Verfahren
wird
eingestellt.
DGT v2019
The
product
under
consideration
and
the
like
product
are
the
same
as
that
covered
in
the
original
investigation,
i.e.
certain
electronic
microcircuits
known
as
Dynamic
Random
Access
Memories
(DRAMs)
of
all
types,
densities
and
variations,
whether
assembled,
in
processed
wafer
or
chips
(dies),
manufactured
using
variations
of
Metal
Oxide-Semiconductors
(MOS)
process
technology,
including
complementary
MOS
types
(CMOS),
of
all
densities
(including
future
densities),
irrespective
of
access
speed,
configuration,
package
or
frame
etc.
originating
in
the
Republic
of
Korea.
Diese
Untersuchung
betrifft
dieselbe
Ware
wie
die
Ausgangsuntersuchung,
d.
h.
bestimmte
elektronische
Mikroschaltungen,
so
genannte
DRAMs
(dynamische
Schreib-Lesespeicher
mit
wahlfreiem
Zugriff),
aller
Typen,
Speicherdichten
und
Varianten,
auch
montiert,
in
Form
von
bearbeiteten
Wafern
oder
Chips,
die
nach
Varianten
der
Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik
einschließlich
der
CMOS-Technik
hergestellt
werden,
aller
Speicherdichten
(auch
künftiger),
unabhängig
von
der
Zugriffsgeschwindigkeit,
der
Konfiguration,
dem
Gehäuse,
dem
Rahmen
usw.,
mit
Ursprung
in
der
Republik
Korea.
DGT v2019