Translation of "Minority carrier" in German
The
average
minority
carrier
recombination
lifetime
of
the
wafer
was
determined
by
ELYMAT
measurement
to
be
about
515
microseconds.
Die
durchschnittliche
Minoritätsladungsträger-Rekombinationslebensdauer
des
Wafers
wurde
durch
ELYMAT-Messung
mit
etwa
515
Mikrosekunden
bestimmt.
EuroPat v2
One
process
for
measuring
minority
carrier
recombination
lifetime
is
the
surface
photovoltage
(SPV)
technique
described
in
Zoth
and
Bergholz,
J.
Appl.
Ein
Verfahren
für
die
Messung
der
Minoritätsladungsträger-Rekombinationslebensdauer
ist
das
von
Zoth
und
Bergholz,
J.
Appl.
EuroPat v2
The
calculated
diffusion
length
values
are
readily
converted
to
minority
carrier
recombination
lifetime
values
using
the
formulas
above.
Die
berechneten
Diffusionslängenwerte
können
mit
Hilfe
der
obigen
Formeln
leicht
in
Minoritätsladungsträger-Rekombinationslebensdauerwerte
umgewandelt
werden.
EuroPat v2
The
proposal
refers
to
the
arguments
put
forward
by
the
minority
of
opponents
to
carrier
pre-selection
and
then
lists
the
main
reasons
why
it
does
not
find
the
minority
case
against
carrier
pre-selection
to
be
convincing.
Die
Kommission
geht
auf
die
Argumente
der
Gegner
der
Betreibervorauswahl
ein,
die
in
der
Minderheit
waren,
und
führt
anschließend
die
wichtigsten
Gründe
auf,
weshalb
sie
sich
den
Argumenten
dieser
Minderheit
nicht
anschließen
kann.
TildeMODEL v2018
Any
minority
carrier
generated
below
the
point
of
highest
concentration
in
the
subcollector
17
will
be
forced
in
the
direction
of
arrow
27
by
the
lower
drift
field
across
junction
19.
Alle
Minoritätsladungsträger,
die
unterhalb
der
Stelle
der
höchsten
Konzentration
im
Subkollector
17
gebildet
werden,
werden
in
Richtung
des
Pfeiles
27
durch
das
untere
Driftfeld
über
den
Übergang
19
getrieben.
EuroPat v2
By
extending
the
subcollector
deep
into
the
substrate,
the
prior
art
caused
the
P-N
junction
19
to
be
created
so
deeply
in
the
body
that
little
or
no
radiation
would
penetrate
to
it
and
few
minority
carrier
would
diffuse
down
to
it.
Bei
den
bekannten
Anordnungen
wird
der
Subkollektor
so
tief
in
das
Substrat
vergraben,
so
daß
der
entstandene
PN-Übergang
19
so
tief
liegt,
daß
wenig
oder
keine
Strahlung
bis
zu
ihm
vordringt
und
wenig
Minoritätsladungsträger
zu
ihm
hinunterdiffundieren.
EuroPat v2
The
process
of
claim
5
wherein
the
storage
temperature
is
between
about
300°
C.
and
about
380°
C.
A
process
for
increasing
the
minority
carrier
recombination
lifetime
of
a
silicon
wafer
contaminated
with
iron
comprising
storing
the
wafer
at
a
storage
temperature
and
for
a
period
sufficient
to
cause
iron
from
regions
of
the
wafer
bulk
at
distances
from
the
wafer
surface
greater
than
10%
of
the
wafer
thickness
to
diffuse
to
the
surface,
and
removing
diffused
iron
from
the
surface
of
the
wafer,
the
storage
temperature
being
insufficient
to
produce
oxygen-related
defects
in
the
silicon
but
at
least
about
200°
C.
Ein
Verfahren
zur
Erhöhung
der
Minoritätsladungsträger-Rekombinationslebendauer
in
einem
mit
Eisen
verunreinigten
Silicium-Wafer,
dadurch
gekennzeichnet,
daß
der
Siliciumkörper
bei
einer
ausreichenden
Lagertemperatur
und
für
eine
ausreichende
Lagerungsdauer
gelagert
wird,
um
eine
Diffusion
des
Eisens
aus
Bereichen
des
Wafer-Inneren
bei
Abständen
von
der
Waferoberfläche
von
mehr
als
10
%
der
Waferdicke,
an
die
Oberfläche
des
Wafers
zu
bewirken,
und
das
diffundierte
Eisen
von
der
Oberfläche
des
Wafers
entfernt
wird,
wobei
die
Lagertemperatur
nicht
ausreichend
ist,
um
sauerstoffbedingte
Störstellen
im
Silicium
zu
erzeugen,
jedoch
mindestens
200
°
C
beträgt.
EuroPat v2
The
silicon
body
is
stored
at
a
temperature
and
for
a
period
sufficient
to
cause
a
sufficient
amount
of
iron
to
diffuse
from
the
bulk
of
the
silicon
body
to
the
surface
of
the
silicon
body
to
measurably
increase
the
minority
carrier
recombination
lifetime
of
the
silicon
body.
Der
Siliciumkörper
wird
bei
einer
ausreichenden
Temperatur
und
für
eine
ausreichende
Dauer
gelagert,
um
die
Diffusion
einer
ausreichenden
Menge
Eisen
aus
dem
Innern
des
Siliciumkörpers
an
die
Oberfläche
des
Siliciumkörpers
zu
bewirken
und
die
Minoritätsladungsträger-Rekombinationslebensdauer
des
Siliciumkörpers
meßbar
zu
erhöhen.
EuroPat v2
On
the
vertical
axis
are
the
wafers'
minority
carrier
recombination
lifetimes
in
microseconds;
on
the
horizontal
axis
are
the
storage
periods
in
hours.
Auf
der
vertikalen
Achse
werden
die
Minoritätsladungsträger-Rekombinationslebensdauerwerte
der
Wafer
in
Mikrosekunden
und
auf
der
horizontalen
Achse
die
Lagerzeiten
in
Stunden
angegeben.
EuroPat v2
It
has
been
discovered
that
the
minority
carrier
recombination
lifetime
of
silicon
wafers
can
be
increased
by
decreasing
the
average
concentration
of
iron
using
the
process
of
the
present
invention.
Es
wurde
entdeckt,
daß
die
Minoritätsladungsträger-Rekombinationslebensdauer
von
Silicium-Wafern
durch
die
Verringerung
der
durchschnittlichen
Eisenkonzentration
mittels
Anwendung
des
Verfahrens
der
vorliegenden
Erfindung
erhöht
werden
kann.
EuroPat v2