Translation of "Negative photoresist" in German

Then a negative photoresist is applied to increase the rigidity and a blanket exposure is carried out.
Dann wird zur Erhöhung der Steifigkeit ein Negativphotoresist aufgetragen und ganzflächig blankbelichtet.
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In a developer process, the negative photoresist can be removed in the non-exposed areas.
In einem Entwicklungsprozess lässt sich der Negativphotöresist an den nichtbelichteten Stellen entfernen.
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They are particularly useful for negative-working photoresist films.
Sie eignen sich besonders bei negativ arbeitenden Fotoresistfilmen.
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For increased stability, a negative photoresist is applied and blanket exposed.
Zur Erhöhung der Steifigkeit wird ein Negativphoto­resist aufgetragen und ganzflächig belichtet.
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In addition, many negative photoresist materials are also resistant to the compositions of the present invention.
Ausserdem sind viele negative Photolackmaterialien auch widerstandsfähig gegen die Mischungen nach der Erfindung.
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Advantageously, a negative photoresist is used.
Mit Vorteil wird ein negativer Photolack verwendet.
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An epoxide photoresist such as SU-8 can be used as the negative photoresist.
Als negativer Photolack kann ein epoxidischer Photolack wie SU-8 verwendet werden.
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With a negative photoresist, the over-exposed areas form a solid material.
Bei einem negativen Photolack bilden die überbelichteten Bereiche Vollmaterial.
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The photoresist can be in the form of a positive photoresist or a negative photoresist.
Der Photoresist kann als positiver Photoresist oder als negativer Photoresist ausgebildet sein.
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Subsequently, the boring walls are activated with palladium chloride-tin-II-chloride and the previously applied negative photoresist is stripped off.
Anschliessend werden die Bohrlochwandungen mit Palladiumchlorid-Zinn-II-chlorid aktiviert, und der zuvor aufgetragene Negativphotoresist wird gestrippt.
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A negative photoresist dissolves in the regions not exposed to light, during the developing of the layer.
Ein negativer Photoresist löst sich in den nicht belichteten Bereichen während der Entwicklung von der Schicht.
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The non-exposed segments of the negative photoresist 10 are removed with a KOH solution, for example.
Die nicht belichteten Abschnitte des negativen Photolacks 10 werden beispielsweise mittels einer KOH-Lösung entfernt.
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In contrast thereto, when using a negative photoresist, the unexposed regions are soluble in the developer.
Im Gegensatz dazu sind bei einem negativen Photoresist die unbelichteten Bereiche im Entwickler löslich.
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Suitable negative-working photoresist materials are those composed of photopolymerizable mixtures of polymerizable ethylenically-unsaturated compounds, polymeric binders and photoinitiators, of light-crosslinkable compounds, such as polyvinyl cinnamate, or of negative-working diazo compounds or azido compounds, if appropriate as a mixture with binders.
Geeignete negativ arbeitende Photoresistmaterialien sind solche aus photopolymerisierbaren Gemischen von polymerisierbaren äthylenisch ungesättigten Verbindungen, polymeren Bindemitteln und Photoinitiatoren, aus lichtvernetzbaren Verbindungen, wie Polyvinylcinnamat, oder aus negativ arbeitenden Diazo- oder Azidoverbindungen, ggf. im Gemisch mit Bindemitteln.
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The surface of the signal plane is processed with benzotriazole adhesion promoter and coated with a negative photoresist which is exposed image-wise and developed.
Die Oberfläche der Signalebene wird mit Benzotriazolhaftvermittler behandelt und mit einer Negativphotoresistfolie beschichtet, welche bildmässig belichtet und entwickelt wird.
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A decisive factor for a successful application of this method is the pre-treatment of the substrate surfaces prior to the lamination of the negative photoresist foil. An unsatisfactory resist adhesion causes the lift-off of the photoresist foil in the aggressive copper additive bath so that copper is deposited also in undesired areas, causing short-circuits in the signal lines.
Entscheidend für ein gutes Ergebnis dieses Verfahrens ist die Vorbehandlung der Substratoberflächen vor dem Auflaminieren der Negativphotoresistfolie, denn eine schlechte Resisthaftung führt zum Abheben der Photoresistfolie in dem aggressiven Kupferadditivbad, so daß sich Kupfer auch an nicht gewünschten Stellen abscheidet und zu Kurzschlüssen in den Signalleitungen führt.
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A further alkali-developable negative-working photoresist is based on an onium salt and methylacrylamidoglycolate methyl ether (cf. Hult et al.;
Ein weiterer wäßrig-alkalisch entwickelbarer negativ arbeitender Photoresist basiert auf einem Oniumsalz und Methylacrylamidoglycolatmethylether (vgl. Hult et al;
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The non-irradiated regions of the negative photoresist 15 are then removed, so that the surfaces 14a of the webs are exposed to the outside.
Anschließend werden die nicht bestrahlten Bereiche des Negativ-Fotoresists 15 entfernt, so daß die Oberflächen 14a der Stege nach außen hin freiliegen.
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Suitable materials are known positive and negative photoresist materials, such as the usual phenol-formaldehyde novolak resins, polymethyl methacrylate, polyisoprenes or materials such as those described in U.S. Pat. Nos. 3,201,239 and 3,770,433.
Es können bekannte positive und negative Photoresistmaterialien, beispielsweise die üblichen Phenol-Formaldehyd-Novolakharze, Polymethylmethacrylate, Polyisoprene oder Materialien, die in den U.S. Patent- schriften 3,201,239 und 3,770,433 beschrieben sind, verwendet werden.
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Depending on their handling, the compositions can be used as positive-working and as negative-working photoresist systems.
Die oben beschriebenen Zusammensetzungen können - je nach Handhabung - als positiv und als negativ arbeitendes Photoresistsystem verwendet werden.
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In the upper-most layer, which consists of a highly sensitive positive or negative photoresist, the desired pattern of the gate electrode is produced by optical or electron beam exposure and development.
In der obersten Schicht, welche aus einem hochempfindlichen positiven oder negativen Photoresist besteht, wird das gewünschte Muster der Gateelektrode durch optische oder Elektronenstrahlbelichtung und Entwicklung erzeugt.
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For the purposes of patterning, the semiconductor substrates are coated with photoresists (positive or negative photoresists) and photoresist relief patterns are generated on them by imagewise exposure and subsequent development.
Zur Strukturierung werden die Halbleitersubstrate mit Fotolacken - Positiv- oder Negativ-Fotoresists - beschichtet und durch bildmäßiges Belichten und anschließendes Entwickeln Fotoresistreliefstrukturen auf ihnen erzeugt.
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