Translation of "Parasitic resistance" in German
																						Admittedly,
																											a
																											parasitic
																											acoustic
																											resistance
																											occurs
																											in
																											the
																											sound
																											inlet
																											of
																											the
																											microphone
																											according
																											to
																											the
																											invention.
																		
			
				
																						Im
																											Schalleinlaß
																											des
																											erfindungsgemäßen
																											Mikrofons
																											tritt
																											zwar
																											ein
																											parasitärer
																											akustischer
																											Widerstand
																											auf.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											many
																											applications
																											it
																											is
																											necessary
																											in
																											particular
																											for
																											the
																											parasitic
																											series
																											resistance
																											of
																											the
																											capacitor
																											to
																											be
																											small.
																		
			
				
																						Bei
																											vielen
																											Anwendungen
																											muss
																											insbesondere
																											der
																											parasitäre
																											Serienwiderstand
																											des
																											Kondensators
																											klein
																											sein.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Quality,
																											target
																											animal
																											safety,
																											user
																											safety,
																											environmental
																											risk
																											and
																											parasitic
																											resistance
																											for
																											the
																											concerned
																											veterinary
																											medicinal
																											products
																											have
																											not
																											been
																											assessed
																											in
																											this
																											referral
																											procedure.
																		
			
				
																						Die
																											Qualität,
																											die
																											Sicherheit
																											bei
																											den
																											Zieltierarten,
																											die
																											Anwendersicherheit,
																											das
																											Umweltrisiko
																											und
																											die
																											Resistenzen
																											der
																											Parasiten
																											für
																											die
																											betroffenen
																											Tierarzneimittel
																											wurden
																											in
																											diesem
																											Befassungsverfahren
																											nicht
																											untersucht.
															 
				
		 ELRC_2682 v1
			
																						Quality,
																											target
																											animal
																											safety,
																											user
																											safety,
																											environmental
																											risk
																											and
																											parasitic
																											resistance
																											for
																											Zanil
																											and
																											associated
																											names,
																											and
																											generic
																											products
																											thereof
																											have
																											not
																											been
																											assessed
																											in
																											this
																											referral
																											procedure.
																		
			
				
																						Die
																											Qualität,
																											Sicherheit
																											bei
																											den
																											Zieltierarten,
																											Benutzersicherheit,
																											das
																											Umweltrisiko
																											und
																											die
																											Resistenzen
																											der
																											Parasiten
																											für
																											Zanil
																											und
																											zugehörige
																											Bezeichnungen
																											und
																											deren
																											Generika
																											wurden
																											in
																											diesem
																											Befassungsverfahren
																											nicht
																											untersucht.
															 
				
		 ELRC_2682 v1
			
																						Parasitic
																											resistance
																											to
																											any
																											particular
																											class
																											of
																											anthelmintic
																											may
																											develop
																											following
																											frequent
																											repeated
																											use
																											of
																											an
																											anthelmintic
																											of
																											that
																											class.
																		
			
				
																						Nach
																											häufiger,
																											wiederholter
																											Anwendung
																											von
																											Wirkstoffen
																											derselben
																											Substanzklasse
																											von
																											Anthelminthika
																											kann
																											sich
																											eine
																											Resistenz
																											der
																											Parasiten
																											gegen
																											diese
																											Klasse
																											entwickeln.
															 
				
		 ELRC_2682 v1
			
																						For
																											example,
																											a
																											capacitor
																											has
																											besides
																											its
																											desired
																											capacitance
																											also
																											at
																											least
																											an
																											inductive
																											(parasitic
																											inductance)
																											and
																											an
																											ohmic
																											component
																											(parasitic
																											resistance).
																		
			
				
																						So
																											hat
																											z.B.
																											ein
																											Kondensator
																											außer
																											seiner
																											gewünschten
																											Kapazität
																											auch
																											mindestens
																											eine
																											induktive
																											(parasitäre
																											Induktivität)
																											und
																											eine
																											ohmsche
																											Komponente
																											(parasitärer
																											Widerstand).
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						A
																											resistor
																											R
																											symbolically
																											represents
																											the
																											parasitic
																											resistance
																											of
																											conductor
																											tracks
																											or
																											printed
																											wire
																											conductors
																											for
																											the
																											first
																											supply
																											potential
																											VSS,
																											which
																											is
																											present
																											in
																											principle
																											in
																											every
																											circuit.
																		
			
				
																						Der
																											dargestellte
																											Widerstand
																											R
																											bezeichnet
																											symbolisch
																											den
																											grundsätzlich
																											bei
																											jeder
																											Schaltung
																											vorhandenen
																											parasitären
																											Widerstand
																											von
																											Leiterbahnen
																											für
																											das
																											erste
																											Versorgungspotential
																											VSS.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						A
																											transistor,
																											which
																											has
																											to
																											amplify
																											a
																											signal,
																											for
																											example
																											has
																											a
																											at
																											least
																											a
																											capacitive
																											(parasitic
																											capacitance),
																											an
																											inductive
																											(parasitic
																											inductance)
																											and
																											an
																											ohmic
																											component
																											(parasitic
																											resistance).
																		
			
				
																						Ein
																											Transistor,
																											der
																											ein
																											Signal
																											verstärken
																											soll,
																											weist
																											beispielsweise
																											mindestens
																											eine
																											kapazitive
																											(parasitäre
																											Kapazität),
																											eine
																											induktive
																											(parasitäre
																											Induktivität)
																											und
																											eine
																											ohmsche
																											Komponente
																											(parasitärer
																											Widerstand)
																											auf.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						It
																											can
																											furthermore
																											be
																											stated
																											that
																											the
																											parasitic
																											resistance
																											Rp
																											is
																											caused
																											substantially
																											by
																											the
																											resistance
																											of
																											the
																											contact
																											pin
																											or
																											terminal
																											and
																											the
																											lead
																											to
																											the
																											pole
																											of
																											the
																											d-c
																											supply
																											voltage
																											source
																											supplying
																											the
																											reference
																											potential
																											Vs.
																		
			
				
																						Festzustellen
																											ist
																											weiter,
																											daß
																											der
																											parasitäre
																											Widerstand
																											R
																											im
																											wesentlichen
																											durch
																											den
																											Widerstand
																											des
																											Anschlußpins
																											und
																											der
																											Zuleitung
																											zu
																											dem
																											das
																											Bezugspotential
																											-V
																											s
																											liefernden
																											Pol
																											der
																											Versorgungsgleichspannungsquelle
																											bedingt
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						This
																											spacing
																											requirement
																											is
																											necessary
																											to
																											minimize
																											the
																											parasitic
																											series
																											resistance
																											between
																											the
																											source
																											and
																											channel
																											of
																											the
																											transistor.
																		
			
				
																						Diese
																											räumlichen
																											Anforderungen
																											sind
																											erforderlich,
																											um
																											die
																											parasitären
																											Serienwiderstände
																											zwischen
																											der
																											Source
																											und
																											dem
																											Kanal
																											des
																											Transistors
																											herabzusetzen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						For
																											a
																											lower
																											limit
																											of
																											the
																											doping
																											of
																											the
																											drain
																											area
																											11,
																											care
																											must
																											be
																											taken
																											that
																											sufficient
																											electrical
																											conductivity
																											is
																											still
																											present
																											so
																											that
																											an
																											unallowably
																											large
																											parasitic
																											resistance
																											does
																											not
																											occur.
																		
			
				
																						Für
																											eine
																											untere
																											Grenze
																											der
																											Dotierung
																											des
																											Drain-Gebietes
																											11
																											ist
																											zu
																											beachten,
																											daß
																											noch
																											ausreichende
																											elektrische
																											Leitfähigkeit
																											vorhanden
																											ist,
																											damit
																											kein
																											unzulässig
																											großer
																											parasitärer
																											Widerstand
																											entsteht.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											parasitic
																											resistance
																											of
																											the
																											sound
																											inlet
																											is
																											held
																											at
																											a
																											low
																											level
																											by
																											virtue
																											of
																											the
																											fact
																											that
																											the
																											width
																											of
																											the
																											sound
																											inlet
																											is
																											large
																											in
																											relation
																											to
																											the
																											length.
																		
			
				
																						Dadurch,
																											daß
																											die
																											Breite
																											des
																											Schalleinlasses
																											im
																											Verhältnis
																											zur
																											Länge
																											groß
																											ist,
																											wird
																											der
																											parasitäre
																											Widerstand
																											des
																											Schalleinlasses
																											gering
																											gehalten.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											this
																											embodiment
																											the
																											sound
																											inlet
																											is
																											thus
																											formed
																											not
																											by
																											narrow
																											and
																											long
																											passages
																											but
																											by
																											a
																											substantially
																											peripherally
																											extending
																											slot
																											which
																											has
																											an
																											only
																											slight
																											parasitic
																											acoustic
																											resistance
																											and
																											a
																											predetermined
																											acoustic
																											inductance.
																		
			
				
																						Der
																											Schalleinlaß
																											wird
																											bei
																											dieser
																											Ausführungsform
																											somit
																											nicht
																											durch
																											schmale
																											und
																											lange
																											Kanäle
																											gebildet,
																											sondern
																											durch
																											einen
																											im
																											wesentlichen
																											umlaufenden
																											Schlitz,
																											welcher
																											einen
																											nur
																											geringen
																											parasitären
																											akustischen
																											Widerstand
																											und
																											eine
																											vorgegebene
																											akustische
																											Induktivität
																											aufweist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						If
																											they
																											are
																											arranged
																											in
																											separate
																											housings,
																											it
																											must
																											guaranteed
																											that
																											the
																											emergency
																											functions
																											do
																											not
																											depend
																											on
																											connections
																											between
																											the
																											ICs,
																											for
																											example,
																											copper
																											conductor
																											paths
																											of
																											a
																											circuit
																											board
																											that
																											can
																											be
																											affected
																											by
																											parasitic
																											moisture
																											resistance
																											or
																											even
																											shorted
																											in
																											the
																											case
																											of
																											water
																											infiltration.
																		
			
				
																						Sind
																											sie
																											in
																											separaten
																											Gehäusen
																											angeordnet,
																											muß
																											sichergestellt
																											werden,
																											daß
																											die
																											Notfunktionen
																											nicht
																											von
																											Verbindungen
																											zwischen
																											den
																											IC's,
																											beispielsweise
																											Kupferleiterbahnen
																											einer
																											Leiterplatine
																											abhängen,
																											die
																											im
																											Falle
																											eines
																											Wassereinbruchs
																											durch
																											parasitäre
																											Feuchtigkeitswiderstände
																											beeinflußt
																											oder
																											sogar
																											kurzgeschlossen
																											werden
																											können.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						This
																											is
																											because,
																											in
																											this
																											case,
																											the
																											width
																											of
																											the
																											metallization
																											layer
																											is
																											allowed
																											to
																											be
																											great
																											so
																											that
																											only
																											a
																											small
																											metallization
																											resistance
																											RMi
																											occurs
																											as
																											parasitic
																											resistance.
																		
			
				
																						In
																											diesem
																											Fall
																											darf
																											nämlich
																											die
																											Breite
																											der
																											Metallisierungsschicht
																											gross
																											sein,
																											so
																											dass
																											als
																											parasitärer
																											Widerstand
																											nur
																											ein
																											geringer
																											Metallisierungs-Widerstand
																											R
																											Mi
																											anfällt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						A
																											disadvantage
																											in
																											the
																											case
																											of
																											the
																											measurement
																											of
																											an
																											alternating
																											voltage
																											is
																											that
																											the
																											foil
																											itself
																											represents
																											a
																											capacitor,
																											so
																											that,
																											in
																											addition,
																											a
																											parasitic
																											capacitive
																											resistance
																											is
																											connected
																											in
																											parallel
																											with
																											the
																											ohmic
																											resistance
																											of
																											the
																											opening.
																		
			
				
																						Nachteilig
																											bei
																											der
																											Wechselspannungsmessung
																											ist,
																											daß
																											die
																											Folie
																											selbst
																											einen
																											Kondensator
																											darstellt,
																											so
																											daß
																											dem
																											Ohm'schen
																											Widerstand
																											der
																											Öffnung
																											noch
																											ein
																											parasitärer
																											kapazitiver
																											Widerstand
																											parallel
																											geschaltet
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Through
																											a
																											suitable
																											choice
																											of
																											the
																											structure
																											and
																											number
																											of
																											electrode
																											layers
																											arranged
																											in
																											the
																											resistor,
																											the
																											arising
																											of
																											a
																											crosstalk
																											resistance
																											in
																											the
																											multilayer
																											component,
																											which
																											should
																											be
																											understood
																											as
																											a
																											parasitic
																											resistance,
																											can
																											be
																											prevented
																											or
																											at
																											least
																											minimized.
																		
			
				
																						Durch
																											eine
																											geeignete
																											Wahl
																											der
																											Struktur
																											und
																											Anzahl
																											von
																											im
																											Widerstand
																											angeordneten
																											Elektrodenschichten
																											kann
																											die
																											Entstehung
																											eines
																											Übersprechwiderstands
																											im
																											Vielschichtbauelement,
																											der
																											als
																											parasitärer
																											Widerstand
																											zu
																											verstehen
																											ist,
																											verhindert
																											oder
																											zumindest
																											minimiert
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											crosstalk
																											resistance,
																											by
																											contrast,
																											is
																											a
																											parasitic
																											or
																											undesired
																											resistance
																											in
																											the
																											multilayer
																											component,
																											in
																											particular,
																											such
																											a
																											resistance
																											that
																											is
																											generated
																											between
																											the
																											resistance
																											layers
																											4
																											a
																											of
																											the
																											multilayer
																											component
																											and
																											impairs
																											the
																											filter
																											function
																											of
																											the
																											multilayer
																											component.
																		
			
				
																						Der
																											Übersprechwiderstand
																											dagegen
																											ist
																											ein
																											parasitärer
																											bzw.
																											unerwünschter
																											Widerstand
																											im
																											Vielschichtbauelement,
																											insbesondere
																											ein
																											solcher,
																											der
																											zwischen
																											den
																											Widerstandsschichten
																											4a
																											des
																											Vielschichtbauelements
																											erzeugt
																											wird
																											und
																											die
																											Filterfunktion
																											des
																											Vielschichtbauelement
																											beeinträchtigt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											this
																											case,
																											the
																											ESD
																											behaviour
																											is
																											substantially
																											determined
																											by
																											the
																											series
																											resistance
																											of
																											the
																											diodes,
																											the
																											turn-on
																											resistance
																											of
																											the
																											power
																											clamps,
																											for
																											instance,
																											of
																											the
																											voltage
																											limiter
																											(such
																											as
																											diodes)
																											and
																											the
																											parasitic
																											resistance
																											of
																											the
																											supply
																											voltage
																											lines.
																		
			
				
																						Das
																											ESD-Verhalten
																											wird
																											dabei
																											im
																											Wesentlichen
																											durch
																											den
																											Serienwiderstand
																											der
																											Dioden,
																											den
																											Einschaltwiderstand
																											der
																											Power-Clamps,
																											bspw.
																											Spannungsbegrenzer
																											(wie
																											Dioden),
																											und
																											den
																											parasitären
																											Widerstand
																											der
																											Versorgungsspannungsleitungen
																											bestimmt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Besides
																											the
																											resistance
																											change
																											over
																											the
																											measurement
																											electrode
																											structure
																											due
																											to
																											the
																											deposition
																											of
																											soot
																											particles,
																											parasitic
																											resistance
																											changes
																											also
																											occur,
																											owing
																											for
																											example
																											to
																											ash,
																											metal
																											particles
																											or
																											the
																											significant
																											conductivity
																											increase
																											of
																											the
																											substrate
																											1
																											when
																											reaching
																											high
																											temperatures
																											(beyond
																											about
																											600°
																											C.).
																		
			
				
																						Neben
																											der
																											Widerstandsänderung
																											über
																											die
																											Messelektrodenstruktur
																											aus
																											der
																											Ablagerung
																											von
																											Rußpartikeln
																											ergeben
																											sich
																											parasitäre
																											Widerstandsänderungen
																											durch
																											z.B.
																											Asche,
																											Metallpartikel
																											oder
																											die
																											deutliche
																											Leitfähigkeitserhöhung
																											des
																											Substrates
																											1
																											beim
																											Erreichen
																											von
																											hohen
																											Temperaturen
																											(ab
																											etwa
																											600°C)
																											.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											conductor
																											track,
																											or
																											return
																											line,
																											provided
																											on
																											the
																											upper
																											side
																											of
																											the
																											piezoresistive
																											beam
																											constitutes
																											a
																											lower
																											parasitic
																											resistance
																											in
																											comparison
																											with
																											a
																											return
																											line
																											in
																											the
																											doped
																											beam.
																		
			
				
																						Die
																											auf
																											der
																											Oberseite
																											der
																											piezoresistiven
																											Balken
																											vorgesehene
																											Leiterbahn
																											bzw.
																											Rückleitung
																											stellt
																											im
																											Vergleich
																											zu
																											einer
																											Rückleitung
																											im
																											dotierten
																											Balken
																											einen
																											geringeren
																											parasitären
																											Widerstand
																											dar.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Secondly,
																											the
																											parasitic
																											resistance
																											of
																											the
																											base
																											connection
																											region
																											could
																											also
																											be
																											reduced
																											in
																											this
																											way,
																											in
																											that
																											highly
																											conductive
																											regions
																											of
																											the
																											base
																											connection
																											can
																											be
																											brought
																											closer
																											to
																											the
																											inner
																											base
																											when
																											the
																											overlap
																											is
																											small
																											than
																											is
																											possible
																											in
																											the
																											prior
																											art.
																		
			
				
																						Zum
																											anderen
																											könnte
																											auf
																											diese
																											Weise
																											auch
																											der
																											parasitäre
																											Widerstand
																											des
																											Basisanschlusses
																											verringert
																											werden,
																											indem
																											bei
																											kleinem
																											Überlapp
																											hoch
																											leitfähige
																											Gebiete
																											des
																											Basisanschlusses
																											dichter
																											an
																											die
																											innere
																											Basis
																											herangeführt
																											werden
																											können
																											als
																											es
																											im
																											Stand
																											der
																											Technik
																											möglich
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											this
																											way,
																											the
																											influence
																											of
																											the
																											parasitic
																											capacitance
																											(C
																											iso
																											typically
																											0.8
																											pF)
																											and
																											of
																											the
																											parasitic
																											resistance
																											(R
																											iso
																											greater
																											than
																											1
																											gigaohm)
																											adversely
																											affecting
																											the
																											signal-to-noise
																											ratio
																											from
																											the
																											receive
																											path
																											to
																											the
																											control
																											electronics
																											unit
																											or
																											circuit
																											ground,
																											which
																											usually
																											exists
																											for
																											any
																											semiconductor
																											switch
																											having
																											more
																											than
																											two
																											ports,
																											is
																											minimized.
																		
			
				
																						So
																											werden
																											die
																											Einflüsse
																											der
																											das
																											Signal-
																											zu
																											Rauschverhältnis
																											belastenden
																											parasitären
																											Kapazität
																											(C
																											iso
																											typisch
																											0.8
																											pF)
																											und
																											des
																											parasitären
																											Widerstandes
																											(R
																											iso
																											größer
																											1
																											Giga-Ohm),
																											vom
																											Empfangspfad
																											zur
																											Steuerelektronik
																											bzw.
																											Schaltungsmasse,
																											wie
																											sie
																											sonst
																											für
																											jeden
																											Halbleiterschalter
																											mit
																											mehr
																											als
																											zwei
																											Toren
																											bestehen,
																											auf
																											ein
																											Minimum
																											reduziert.
															 
				
		 EuroPat v2