Translation of "Polysilicon" in German
																						Polysilicon
																											is
																											the
																											main
																											raw
																											material
																											for
																											the
																											wafers
																											producers.
																		
			
				
																						Polysilicium
																											ist
																											der
																											Hauptrohstoff
																											für
																											Solarwaferhersteller.
															 
				
		 DGT v2019
			
																						Polysilicon
																											is
																											a
																											major
																											input
																											for
																											the
																											production
																											of
																											solar
																											panels.
																		
			
				
																						Polysilizium
																											ist
																											ein
																											wichtiger
																											Bestandteil
																											für
																											die
																											Produktion
																											von
																											Solarpaneelen.
															 
				
		 TildeMODEL v2018
			
																						The
																											electrically
																											conductive
																											medium
																											is
																											preferably
																											polysilicon.
																		
			
				
																						Das
																											elektrisch
																											leitende
																											Material
																											ist
																											vorzugsweise
																											polykristallines
																											Silicium,
																											kurz
																											Polysilicium.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Extending
																											horizontally
																											below
																											bus
																											line
																											B2
																											is
																											the
																											bus
																											line
																											B1
																											shown
																											to
																											be
																											composed
																											of
																											polysilicon.
																		
			
				
																						Horizontal
																											unter
																											der
																											Sammelleitung
																											B2
																											verläuft
																											die
																											Sammelleitung
																											B1
																											aus
																											Polysilicium.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											polysilicon
																											layer
																											27
																											is
																											doped
																											with
																											an
																											N-type
																											dopant
																											by
																											ion
																											implantation
																											or
																											other
																											suitable
																											methods.
																		
			
				
																						Die
																											polykristalline
																											Siliciumschicht
																											27
																											wird
																											durch
																											lonenimplantation
																											oder
																											ein
																											anderes
																											geeignetes
																											Verfahren
																											N-dotiert.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						This
																											polysilicon
																											layer
																											8
																											is
																											subsequently
																											recrystallized
																											by
																											laser
																											irradiation.
																		
			
				
																						Diese
																											polykristalline
																											Siliziumschicht
																											8
																											wird
																											anschließend
																											durch
																											Laserbestrahlung
																											rekristallisiert.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Horizontal
																											parts
																											of
																											the
																											layer
																											of
																											polysilicon
																											to
																											be
																											structured
																											are
																											thereby
																											completely
																											removed.
																		
			
				
																						Dabei
																											werden
																											waagerechte
																											Teile
																											der
																											zu
																											strukturierenden
																											Schicht
																											aus
																											Polysilizium
																											vollständig
																											entfernt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						A
																											conductive
																											layer
																											8
																											is
																											disposed
																											on
																											the
																											first
																											polysilicon
																											layer
																											7.
																		
			
				
																						Auf
																											der
																											ersten
																											Polysiliziumschicht
																											7
																											ist
																											eine
																											leitfähige
																											Schicht
																											8
																											angeordnet.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											conductive
																											layer
																											8
																											and
																											the
																											first
																											polysilicon
																											layer
																											7
																											form
																											vertical
																											lateral
																											surfaces.
																		
			
				
																						Die
																											leitfähige
																											Schicht
																											8
																											bildet
																											mit
																											der
																											ersten
																											Polysiliziumschicht
																											7
																											senkrechte
																											Flanken.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						A
																											second
																											polysilicon
																											layer
																											12
																											is
																											disposed
																											on
																											the
																											first
																											auxiliary
																											oxide
																											film
																											11.
																		
			
				
																						Auf
																											der
																											ersten
																											Oxidhilfsschicht
																											11
																											ist
																											eine
																											zweite
																											Polysiliziumschicht
																											12
																											angeordnet.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											second
																											polysilicon
																											layer
																											12
																											is
																											disposed
																											annularly
																											about
																											the
																											active
																											transistor
																											zone.
																		
			
				
																						Die
																											zweite
																											Polysiliziumschicht
																											12
																											ist
																											ringförmig
																											um
																											den
																											aktiven
																											Transistorbereich
																											angeordnet.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											conductive
																											layer
																											8
																											is
																											applied
																											over
																											the
																											first
																											polysilicon
																											layer
																											7.
																		
			
				
																						Auf
																											der
																											ersten
																											Polysiliziumschicht
																											7
																											wird
																											die
																											leitfähige
																											Schicht
																											8
																											aufgebracht.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											emitter
																											18
																											is
																											produced
																											by
																											out-diffusion
																											from
																											the
																											third
																											polysilicon
																											layer
																											17.
																		
			
				
																						Der
																											Emitter
																											18
																											wird
																											durch
																											Ausdiffusion
																											aus
																											der
																											dritten
																											Polysiliziumschicht
																											17
																											erzeugt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											method
																											can
																											be
																											advantageously
																											used
																											for
																											manufacturing
																											a
																											gate
																											electrode
																											of
																											polysilicon.
																		
			
				
																						Das
																											Verfahren
																											ist
																											vorteilhaft
																											einsetzbar
																											zur
																											Herstellung
																											einer
																											Gateelektrode
																											aus
																											Polysilizium.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						For
																											example,
																											polysilicon
																											can
																											be
																											employed
																											as
																											gate
																											material
																											for
																											both
																											gate
																											regions
																											G1
																											and
																											GB.
																		
			
				
																						Als
																											Gatematerial
																											für
																											beide
																											Gategebiete
																											G1
																											und
																											GB
																											kann
																											beispielsweise
																											Polysilizium
																											verwendet
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2