Translation of "Random access memories" in German
Random
Access
Memories
is
the
fourth
studio
album
by
French
electronic
music
duo
Daft
Punk.
Random
Access
Memories
ist
das
vierte
Studioalbum
des
französischen
Electronic-Duos
Daft
Punk.
Wikipedia v1.0
Dynamic
Random
Access
Memories
(DRAM
memories)
represent
the
most
important
type
of
memories
for
storing
digital
information.
Dynamic
Random
Access
Memories
(DRAM-Speicher)
stellen
den
wichtigsten
Speichertyp
zur
Speicherung
digitaler
Informationen
dar.
EuroPat v2
This
intermediate
store
3
is
normally
equipped
with
random
access
memories
(RAM).
Dieser
Zwischenspeicher
3
wird
normalerweise
mit
RAM
(Schreib-
und
Lesespeicher
mit
freiem
Zugriff)
bestückt.
EuroPat v2
MIM/MIS
capacitors
have
already
long
been
used
for
dynamic
random
access
memories
(DRAMs).
Für
DRAMs
(Dynamic
Random
Access
Memories)
werden
bereits
seit
längerem
MIM-/MIS-Kondensatoren
verwendet.
EuroPat v2
By
Council
Regulation
(EC)
No
1480/2003
[2]
(the
definitive
duty
Regulation),
the
Council
imposed
a
definitive
countervailing
duty
of
34,8
%
on
imports
of
certain
electronic
microcircuits
known
as
Dynamic
Random
Access
Memories
(DRAMs)
originating
in
the
Republic
of
Korea
and
manufactured
by
all
companies
other
than
Samsung
Electronics
Co.,
Ltd
(Samsung),
for
which
a
0
%
duty
rate
was
established.
Mit
der
Verordnung
(EG)
Nr.
1480/2003
des
Rates
[2]
(„endgültige
Verordnung“)
führte
der
Rat
auf
die
Einfuhren
bestimmter
elektronischer
Mikroschaltungen,
so
genannter
DRAMs
(dynamische
Schreib-Lesespeicher
mit
wahlfreiem
Zugriff),
mit
Ursprung
in
der
Republik
Korea
und
hergestellt
von
anderen
Unternehmen
als
Samsung
Electronics
Co.
Ltd
(„Samsung“),
für
das
ein
Nullzollsatz
festgesetzt
wurde,
einen
endgültigen
Ausgleichszoll
in
Höhe
von
34,8
%
ein.
DGT v2019
For
imports
of
certain
electronic
circuits
covered
by
Chapters
84
and
85
of
the
Combined
Nomenclature,
countervailing
duties
have
been
imposed
by
Council
Regulation
(EC)
No
1480/2003
of
11
August
2003
imposing
a
definitive
countervailing
duty
and
collecting
definitively
the
provisional
duty
imposed
on
imports
of
certain
electronic
microcircuits
known
as
DRAMs
(dynamic
random
access
memories)
originating
in
the
Republic
of
Korea
[3].
Mit
der
Verordnung
(EG)
Nr.
1480/2003
des
Rates
vom
11.
August
2003
zur
Einführung
eines
endgültigen
Ausgleichszolls
und
zur
endgültigen
Vereinnahmung
des
vorläufigen
Zolls
auf
die
Einfuhren
bestimmter
elektronischer
Mikroschaltungen,
so
genannter
DRAMs
(dynamische
Schreib-Lesespeicher
mit
wahlfreiem
Zugriff),
mit
Ursprung
in
der
Republik
Korea
[3]
wurden
für
die
Einfuhren
bestimmter
elektronischer
Schaltungen
der
Kapitel
84
und
85
der
Kombinierten
Nomenklatur
Ausgleichszölle
eingeführt.
DGT v2019
Like
DRAM
(Dynamic
Random
Access
Memory),
flash
memories'
bytes
may
be
individually
read.
Wie
bei
DRAM-Chips
(Dynamic
Random
Access
Memory)
können
auch
bei
Flash
Memories
Bytes
individuell
gelesen
werden.
TildeMODEL v2018
The
Council
adopted
a
regulation
repealing
the
countervailing
duty
imposed
on
imports
of
certain
electronic
microcircuits
known
as
DRAMs
(Dynamic
Random
Access
Memories)
originating
in
the
Republic
of
Korea
().
Der
Rat
hat
eine
Verordnung
zur
Aufhebung
des
Ausgleichszolls
auf
die
Einfuhren
bestimmter
elektronischer
Mikroschaltungen,
so
genannter
DRAMs
(dynamische
Schreib-Lesespeicher
mit
wahlfreiem
Zugriff),
mit
Ursprung
in
der
Republik
Korea
angenommen
().
TildeMODEL v2018
The
Council
adopted
a
regulation
amending
regulation
1480/2003
imposing
a
definitive
countervailing
duty
and
collecting
definitely
the
provisional
duty
imposed
on
imports
of
certain
electronic
microcircuits
known
as
dynamic
random
access
memories
originating
in
the
Republic
of
Korea
(7246/06).
Der
Rat
nahm
eine
Verordnung
zur
Änderung
der
Verordnung
1480/2003
zur
Einführung
eines
endgültigen
Ausgleichszolls
und
zur
endgültigen
Vereinnahmung
des
vorläufigen
Zolls
auf
die
Einfuhren
bestimmter
elektronischer
Mikroschaltungen,
so
genannter
DRAMs
(dynamische
Schreib-Lesespeicher
mit
wahlfreiem
Zugriff),
mit
Ursprung
in
der
Republik
Korea
an
(Dok.
TildeMODEL v2018
Larger
random
access
memories,
such
as,
for
example,
working
memories
of
data
processing
systems
are
presently,
virtually
without
exception
equipped
with
installations
for
error
correction.
Größere
Speicher
mit
wahlfreiem
Zugriff,
wie
beispielsweise
Arbeitsspeicher
von
Datenverarbeitungsanlagen,
werden
derzeit
praktisch
ausnahmslos
mit
Einrichtungen
zur
Fehlerkorrektur
ausgerüstet.
EuroPat v2
The
storages
or
memories
SLS4
and
SLS5
are
random
access
memories
(RAM's)
which
are
connected
by
means
of
the
data
busbar
with
the
microprocessor,
and
the
functions
of
the
target
fault
or
error
comparator
27
and
the
correction
time
determining
device
28
are
carried
out
in
the
computer
section
of
the
microprocessor.
Die
Speicher
SLS4,
SLS5
sind
Schreib-Lesespeicher,
welche
über
den
Datenbus
mit
dem
Mikroprozessor
verbunden
sind,
wobei
die
Funktionen
des
Zielfehlerkomparators
27
und
des
Korrekturzeitermittlers
28
im
Rechenwerk
des
Prozessors
ausgeführt
werden.
EuroPat v2