Translation of "Reverse bias" in German
																						The
																											reverse-bias
																											voltage
																											at
																											the
																											Z-diode
																											can
																											then
																											be
																											used
																											as
																											a
																											reference
																											voltage.
																		
			
				
																						Die
																											Sperrspannung
																											an
																											der
																											Z-Diode
																											kann
																											dann
																											als
																											Referenzspannung
																											genutzt
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Zener
																											diode
																											-
																											a
																											semiconductor
																											diode,
																											which
																											operates
																											in
																											the
																											breakdown
																											of
																											a
																											reverse
																											bias.
																		
			
				
																						Zener-Diode
																											-
																											eine
																											Halbleiterdiode,
																											was
																											ist
																											in
																											der
																											Aufteilung
																											einer
																											Sperrvorspannung.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						Each
																											image
																											cell
																											19
																											has
																											a
																											photodiode
																											62
																											that
																											is
																											operated
																											in
																											the
																											reverse-bias
																											direction.
																		
			
				
																						Jede
																											Bildzelle
																											19
																											weist
																											eine
																											Fotodiode
																											62
																											auf,
																											die
																											in
																											Sperrichtung
																											betrieben
																											wird.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											amount
																											of
																											accumulated
																											charge
																											internally
																											when
																											supplying
																											a
																											reverse
																											bias
																											is
																											called
																											the
																											diode
																											capacitance
																											(Ct).
																		
			
				
																						Die
																											Größe
																											der
																											internen
																											Aufladung
																											beim
																											Bereitstellen
																											einer
																											Sperrvorspannung
																											wird
																											Diodenkapazität
																											genannt
																											(Ct).
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						In
																											order
																											to
																											inhibit
																											the
																											memory
																											cells
																											associated
																											with
																											substrate
																											segment
																											48,
																											Y1
																											is
																											maintained
																											at
																											ground
																											potential,
																											keeping
																											the
																											base-collector
																											junction
																											of
																											segment
																											48
																											under
																											reverse
																											bias.
																		
			
				
																						Zum
																											Sperren
																											der
																											dem
																											Transistorbereich
																											48
																											zugeordneten
																											Speicherzellen
																											wird
																											Y1
																											auf
																											Erdpotential
																											gehalten,
																											so
																											daß
																											der
																											Basis-Kollektor-Übergang
																											des
																											Transistorbereichs
																											48
																											in
																											Sperrichtung
																											vorgespannt
																											bleibt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Compensation
																											of
																											the
																											change
																											with
																											temperature
																											of
																											the
																											P
																											resistor
																											is
																											achieved
																											by
																											varying
																											the
																											reverse
																											bias
																											on
																											the
																											N+
																											and
																											epi
																											regions
																											with
																											respect
																											to
																											the
																											P
																											resistor
																											region.
																		
			
				
																						Die
																											Kompensation
																											des
																											Temperaturganges
																											des
																											P-Widerstands
																											wird
																											dadurch
																											erreicht,
																											daß
																											die
																											entgegenzgesetzte
																											Vorspannung
																											an
																											der
																											N+-Zone
																											und
																											der
																											Epitaxieschicht
																											bezüglich
																											der
																											P-Wider
																											standszone
																											variiert
																											wird.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											collector
																											of
																											T5
																											being
																											connected
																											to
																											VH
																											provides
																											a
																											reverse
																											bias
																											on
																											the
																											collector/base
																											junction
																											charging
																											CLi.
																		
			
				
																						Der
																											mit
																											VH
																											verbundene
																											Kollektor
																											von
																											T5
																											liefert
																											eine
																											Sperrspannung
																											für
																											die
																											Kollektor-Basis-Grenzschicht,
																											die
																											CLi
																											lädt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											this
																											case,
																											the
																											current
																											in
																											the
																											reverse-bias
																											direction
																											is
																											not
																											limited
																											unless
																											countermeasures
																											are
																											taken,
																											which
																											in
																											the
																											present
																											case
																											are
																											in
																											the
																											form
																											of
																											the
																											diode
																											circuit
																											according
																											to
																											the
																											invention.
																		
			
				
																						In
																											diesem
																											Fall
																											ist
																											der
																											Strom
																											in
																											Sperrichtung
																											nicht
																											begrenzt,
																											falls
																											keine
																											Gegenmaßnahmen
																											getroffen
																											werden,
																											die
																											in
																											dem
																											vorliegenden
																											Fall
																											in
																											Gestalt
																											der
																											erfindungsgemäßen
																											Diodenschaltung
																											vorliegen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											solution
																											according
																											to
																											the
																											invention
																											is
																											turning
																											the
																											power
																											MOSFET
																											on
																											in
																											the
																											forward-bias
																											direction
																											of
																											the
																											diode
																											and
																											turning
																											it
																											off
																											in
																											the
																											reverse-bias
																											direction,
																											through
																											the
																											use
																											of
																											which
																											a
																											virtually
																											ideal
																											diode
																											characteristic
																											can
																											be
																											obtained.
																		
			
				
																						Die
																											erfindungsgemäße
																											Lösung
																											besteht
																											darin,
																											den
																											Leistungs-MOSFET
																											in
																											Flußrichtung
																											der
																											Diode
																											aufzusteuern
																											und
																											in
																											Sperrichtung
																											abzuschalten,
																											wodurch
																											eine
																											nahezu
																											ideale
																											Diodenkennlinie
																											erzielbar
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											other
																											words,
																											the
																											measure
																											according
																											to
																											the
																											invention
																											for
																											obtaining
																											an
																											ideal
																											diode
																											characteristic,
																											approximating
																											a
																											resistor
																											characteristic,
																											is
																											turning
																											on
																											the
																											power
																											MOSFET
																											1
																											in
																											the
																											forward-bias
																											direction
																											of
																											the
																											diode
																											7
																											and
																											turning
																											off
																											in
																											the
																											reverse-bias
																											direction.
																		
			
				
																						Mit
																											anderen
																											Worten
																											besteht
																											die
																											erfindungsgemäße
																											Maßnahme
																											zur
																											Erzielung
																											einer
																											idealen,
																											an
																											eine
																											Widerstandskennlinie
																											angenäherten
																											Diodenkennlinie
																											darin,
																											den
																											Leistungs-MOSFET
																											1
																											in
																											Flußrichtung
																											der
																											Diode
																											7
																											aufzusteuern
																											und
																											in
																											Sperrichtung
																											abzuschalten.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						This
																											difference
																											diode
																											2
																											includes
																											an
																											electrode
																											3
																											at
																											ground
																											potential
																											and
																											two
																											individually
																											drivable
																											sensor
																											electrodes
																											5
																											and
																											7
																											which
																											lie
																											at
																											a
																											blocking
																											voltage
																											or
																											reverse
																											bias
																											of,
																											for
																											example,
																											5
																											to
																											15
																											Volts
																											via
																											very
																											high
																											resistors
																											9
																											and
																											11
																											and
																											via
																											an
																											input
																											13
																											.
																		
			
				
																						Diese
																											Differenzdiode
																											2
																											umfaßt
																											eine
																											auf
																											Massepotential
																											liegende
																											Elektrode
																											3
																											und
																											zwei
																											individuell
																											ansteuerbare
																											Sensorelektroden
																											5
																											und
																											7,
																											welche
																											über
																											sehr
																											hohe
																											(z.B.
																											10
																											MQ)
																											Widerstände
																											9
																											und
																											11
																											und
																											über
																											einen
																											Eingang
																											13
																											auf
																											einer
																											Sperrspannung
																											von
																											z.B.
																											5
																											bis
																											15
																											V
																											liegen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											first
																											frequency-determining
																											elements
																											for
																											a
																											first
																											oscillation
																											frequency
																											are
																											connected
																											between
																											the
																											collectors
																											of
																											the
																											transistors
																											2,
																											3
																											of
																											the
																											differential
																											amplifier
																											stage
																											and
																											comprise
																											an
																											inductance
																											13,
																											a
																											capacitance
																											14
																											and
																											a
																											tunable
																											element
																											in
																											the
																											form
																											of
																											two
																											series-opposed
																											capacitance
																											diodes
																											15,
																											16
																											whose
																											junction
																											point
																											17
																											is
																											connected
																											to
																											a
																											control
																											voltage
																											terminal
																											18
																											via
																											which
																											a
																											reverse
																											bias
																											voltage
																											can
																											be
																											impressed
																											on
																											the
																											capacitance
																											diodes
																											15,
																											16.
																		
			
				
																						Die
																											für
																											eine
																											erste
																											Schwingfrequenz
																											maßgeblichen
																											ersten
																											frequenzbestimmenden
																											Elemente
																											sind
																											zwischen
																											den
																											Kollektoranschlüssen
																											der
																											Transistoren
																											2,
																											3
																											der
																											Differenzverstärkerstufe
																											angeschlossen
																											und
																											umfassen
																											eine
																											Induktivität
																											13,
																											eine
																											Kapazität
																											14
																											sowie
																											als
																											abstimmbares
																											Element
																											die
																											gegensinnige
																											Reihenschaltung
																											zweier
																											Kapazitätsdioden
																											15,
																											16,
																											deren
																											Verbindungspunkt
																											17
																											an
																											einen
																											Steuerspannungsanschluß
																											18
																											geführt
																											ist,
																											über
																											den
																											den
																											Kapazitätsdioden
																											15,
																											16
																											eine
																											Sperrvorspannung
																											aufgeprägt
																											werden
																											kann.
															 
				
		 EuroPat v2