Translation of "Semiconductor heterostructure" in German

The semiconductor heterostructure preferably has at least one nanostructure.
Vorzugsweise weist die Halbleiterheterostruktur mindestens eine Nanostruktur auf.
EuroPat v2
Such a read-out layer is preferably separated from the semiconductor heterostructure by a semiconductor interlayer.
Vorzugsweise ist eine solche Ausleseschicht von der Halbleiterheterostruktur durch eine Halbleiterzwischenschicht getrennt.
EuroPat v2
The quantum well is preferably surrounded by a semiconductor heterostructure, such as spacer layers and/or barriers.
Der Quantengraben ist vorzugsweise von einer Halbleiterheterostruktur umgeben, beispielsweise von Spacerschichten und/oder Barrieren.
EuroPat v2
"That is the first time it has been possible to make the fundamental properties of electrons in a semiconductor heterostructure visible", says Vladimir Strocov.
Laut Strocov ist es damit zum ersten Mal gelungen, die fundamentalen Eigenschaften von Elektronen in einer Halbleiter-Heterostruktur direkt sichtbar zu machen.
ParaCrawl v7.1
Embodiments according to the invention relate to heterostructure semiconductor components and in particular to a semiconductor structure, a transistor and a method for manufacturing a semiconductor structure.
Ausführungsbeispiele gemäß der Erfindung beziehen sich auf Heterostruktur-Halbleiterbauelemente und insbesondere auf eine Halbleiterstruktur, einen Transistor und ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur.
EuroPat v2
Using heterostructures or semiconductor structures such as those described above, HFET components can be produced on the surface of the semiconductor heterostructure by applying ohmic source and drain contacts and a gate contact between the source and the drain.
Unter Verwendung von Heterostrukturen oder Halbleiterstrukturen, wie sie oben beschrieben wurden, können HFET-Bauelemente durch die Aufbringung von Ohmschen Source- und Drain-Kontakten und eines Gate-Kontakts zwischen Source und Drain auf der Oberfläche der Halbleiterheterostruktur hergestellt werden.
EuroPat v2
The inventive concept described here comprises a semiconductor heterostructure which comprises a multilayer spacer grown on a channel and a barrier layer grown on the spacer.
Das beschriebene erfindungsgemäße Konzept umfasst eine Halbleiter-Heterostruktur, die einen auf einem Kanal gewachsenen Mehrschichtabstandshalter und eine auf dem Abstandshalter gewachsene Barriereschicht umfasst.
EuroPat v2
A polarisation, which is equiaxed over the crystal and dependent upon the strain in the material or the high charge-carrier density on the surface of such a semiconductor structure and in particular also at the interface between two such semiconductor structures of a semiconductor heterostructure, is used according to the invention for example by means of direct contacting of the interface with an electrical contact as electrode.
Eine über den Kristall gleichgerichtete und von der Verspannung im Material abhängige Polarisation bzw. die hohe Ladungsträgerdichte an der Oberfläche einer solchen Halbleiterstruktur und insbesondere auch an der Grenzfläche zwischen zwei solchen Halbleiterstrukturen einer Halbleiter-Heterostruktur wird erfindungsgemäß beispielsweise durch unmittelbare Kontaktierung der Grenzfläche mit einem elektrischen Kontakt als Elektrode genutzt.
EuroPat v2
The concept according to the invention consists in the fact that a semiconductor heterostructure can be filled with charge carriers very rapidly and can also be freed of said charge carriers again very rapidly, such that the high access speed mentioned is achieved.
Die erfindungsgemäße Idee besteht darin, dass sich eine Halbleiterheterostruktur sehr schnell mit Ladungsträgern füllen und auch sehr schnell wieder von diesen befreien lässt, so dass die erwähnte hohe Zugriffsgeschwindigkeit erreicht wird.
EuroPat v2
In other words, the inventive concept thus consists in combining a space charge zone with a semiconductor heterostructure in order to store items of bit information.
Mit anderen Worten besteht der erfinderische Gedanke also darin, eine Raumladungszone mit einer Halbleiterheterostruktur zu verknüpfen, um Bitinformationen zu speichern.
EuroPat v2
By virtue of the fact that the nanostructures are arranged at a distance from one another, it is possible for connection contacts for making the electrical contact with the read-out layer to be led through the semiconductor heterostructure without further insulation layers and without a direct short circuit between the nanostructures being able to occur.
Dadurch, dass die Nanostrukturen beabstandet voneinander angeordnet sind, ist es möglich, Anschlusskontakte zum elektrischen Kontaktieren der Ausleseschicht ohne weitere Isolationsschichten durch die Halbleiterheterostruktur hindurchzuführen, ohne dass es zu einem unmittelbaren Kurzschluss zwischen den Nanostrukturen kommen kann.
EuroPat v2
With regard to a particularly high information density, it is regarded as advantageous if the semiconductor heterostructure has a plurality of occupation states which each represent an item of bit information and can be occupied by charge carriers, and that the number of occupied occupation states can be read out.
Im Hinblick auf eine besonders große Informationsdichte wird es als vorteilhaft angesehen, wenn die Halbleiterheterostruktur eine Mehrzahl an Besetzungszuständen aufweist, die jeweils eine Bitinformation repräsentieren und von Ladungsträgern besetzt werden können, und dass die Anzahl der besetzten Besetzungszustände auslesbar ist.
EuroPat v2
The n-doped lead layer 50 has a smaller band gap than the auxiliary layer 50 a, such that a “tunneling” of the charge carriers out of the potential well 200 in the case of emptying the semiconductor heterostructure 80 is simplified and thus accelerated.
Die n-dotierte Zuleitungsschicht 50 weist einen kleineren Bandabstand als die Hilfsschicht 50a auf, so dass ein "Heraustunneln" der Ladungsträger aus dem Potentialtopf 200 beim Entleeren der Halbleiterheterostruktur 80 vereinfacht und damit beschleunigt wird.
EuroPat v2
The resulting energetic height of the emission barrier between the semiconductor heterostructure 80 (e.g. composed of GaSb or InSb) and the AlAs barrier 50 a would in this case be for example approximately 1 eV or 1.2 eV, resulting in a storage time of days or years at room temperature.
Die resultierende energetische Höhe der Emissionsbarriere zwischen der Halbleiterheterostruktur 80 (z.B. aus GaSb oder InSb) und der AlAs-Barriere 50a würde in diesem Fall beispielsweise bei ungefähr 1 eV oder 1,2 eV liegen, wodurch sich eine Speicherzeit von Tagen bzw. Jahren bei Raumtemperatur ergibt.
EuroPat v2

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