Translation of "Stacking fault" in German

In an alloy according to the invention, nickel increases the stacking fault energy.
In einer erfindungsgemäßen Legierung erhöht Nickel die Stapelfehlerenergie.
EuroPat v2
So as to form a twin, the so-called stacking fault energy (SFE) must be applied.
Um einen Zwilling zu bilden, muss die so genannte Stapelfehlerenergie (SFE) aufgebracht werden.
EuroPat v2
Carbon has an austenite-stabilizing effect and moreover is extremely effective at raising the stacking fault energy.
Kohlenstoff besitzt eine den Austenit stabilisierende Wirkung und erhöht weiterhin die Stapelfehlerenergie äußerst effektiv.
EuroPat v2
Magnesium alloys having a low stacking fault energy are optimal for processing, allowing good dynamic recrystallization.
Optimal zur Verarbeitung sind Magnesiumlegierungen mit einer niedrigen Stapelfehlerenergie, damit sie gut dynamisch rekristallisieren kann.
EuroPat v2
BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a method for the generation of stacking-fault-induced damage on the back of semiconductor wafers by treating the back with loose hard-material particles which are suspended in a liquid.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung einer stapelfehlerinduzierenden Beschädigung auf der Rückseite von Halbleiterscheiben durch Behandlung der Rückseite mit losen Hartstoffteilchen, die in einer Flüssigkeit suspendiert sind.
EuroPat v2
The above object is achieved according to the invention by providing a method for the generation of stacking-fault-induced damage on the back of semiconductor wafers by treating the back with loose hard-material particles which are suspended in a liquid, which method comprises bringing the back of a semiconductor wafer into contact with the suspended hard-material particles and propelling the hard-material particles tangentially to the back, under which circumstances they exert on the back of the semiconductor wafer forces which have essentially only tangentially directed components.
Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren zur Erzeugung einer stapelfehlerinduzierenden Beschädigung auf der Rückseite von Halbleiterscheiben durch Behandlung der Rückseite mit losen Hartstoffteilchen, die in einer Flüssigkeit suspendiert sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Rückseite einer Halbleiterscheibe mit den suspendierten Hartstoffteilchen in Kontakt gebracht wird und die Hartstoffteilchen tangential zur Rückseite bewegt werden, wobei sie auf die Rückseite der Halbleiterscheibe Kräfte ausüben, die im wesentlichen nur tangential gerichtete Komponenten aufweisen.
EuroPat v2
Because of its elastic surface, the roll is not able to cause stacking-fault-induced damage on the back of the semiconductor wafer without the supply of suspended hard-material particles.
Wegen ihrer elastischen Oberfläche ist die Walze ohne die Zuführung der suspendierten Hartstoffteilchen nicht in der Lage, eine stapelfehlerinduzierende Beschädigung auf der Rückseite der Halbleiterscheibe hervorzurufen.
EuroPat v2
The hard-material particles to which the shearing forces are transmitted ultimately generate the intended stacking-fault-induced damage on the back of the semiconductor wafer.
Die Hartstoffteilchen, auf die diese Kräfte übertragen werden, erzeugen schließlich die beabsichtigte, stapelfehlerinduzierende Beschädigung auf der Rückseite der Halbleiterscheibe.
EuroPat v2
It has been found that the stacking-fault density per unit area which can be achieved by the method is dependent on a number of parameters and can be adjusted by varying one or more parameters systematically.
Es hat sich gezeigt, daß die flächenbezogene Stapelfehlerdichte, die mit dem Verfahren erzielt werden kann, von einer Reihe von Parametern abhängig ist und durch Variation eines oder mehrerer Parameter gezielt eingestellt werden kann.
EuroPat v2
In the case of this base material, it could be determined that crystallites with a high stacking fault density occur in the form of crystallographic twin planes in the crystallite.
Bei diesem Grundwerkstoff konnte festgestellt werden, daß Kristallite mit hoher Stapelfehlerdichte in Form von kristallographischen Zwillingsebenen im Kristallit auftreten.
EuroPat v2
A crystal structure can fold at a stacking fault, causing the crystal layers to stack up in exactly the opposite order starting at the shift.
An einem solchen Stapelfehler kann eine Kristallstruktur umklappen, sodass sich die Kristallebenen ab der Verschiebung genau in umgekehrter Reihenfolge stapeln.
ParaCrawl v7.1
The alloy according to the invention solves many of these problems by alloying the cobalt base with matching contents of corresponding suitable alloying elements, which stabilize the austenite, have high solubility and lower the stacking fault energy (for example W, Mo) or raise it (for example C, N, Ni).
Die erfindungsgemäße Legierung erreicht beides durch Legieren der Kobaltsbasis mit abgestimmten Gehalten entsprechend geeigneter Legierungselemente, die den Austenit stabilisieren eine hohe Löslichkeit besitzen und die Stapelfehlerenergie senken (z.B. W, Mo) bzw. abheben (z.B. C, N, Ni).
EuroPat v2
Both elements increase the strength and improve the corrosion protection, but also counteract the stabilization of the austenite and additionally lower the stacking fault energy.
Beide Elemente erhöhen die Festigkeit und verbessern den Korrosionsschutz, wirken jedoch auch der Stabilisierung des Austenit entgegen und senken zudem die Stapelfehlerenergie.
EuroPat v2
A crystal structure can shear at such a stacking fault, whereby the crystal planes are stacked in exactly the reverse order starting at the dislocation.
An einem solchen Stapelfehler kann eine Kristallstruktur umklappen, so dass sich die Kristallebenen ab der Verschiebung genau in umgekehrter Reihenfolge stapeln.
EuroPat v2
Similarly, nitrogen also stabilizes the austenite, raises the stacking fault energy and increases the strength as well as hardness by forming nitride.
In ähnlicher Weise bewirkt auch Stickstoff eine Stabilisierung des Austenit, eine Erhöhung der Stapelfehlerenergie und eine Steigerung der Festigkeit beziehungsweise auch der Härte durch Nitridbildung.
EuroPat v2
The addition of cobalt can bring about a further increase in the creep resistance since the alloying element cobalt can reduce the stacking fault energy, so that splitting of dislocations occurs and makes climbing of the dislocations more difficult and thus increases the creep resistance.
Die Zugabe von Kobalt kann die Kriechbeständigkeit weiter erhöhen, da das Legierungselement Kobalt die Stapelfehlerenergie absenken kann, sodass es zu einem Aufspalten von Versetzungen kommt, wodurch das Klettern der Versetzungen erschwert und somit die Kriechbeständigkeit erhöht wird.
EuroPat v2
Occurs when the order of the crystal layers is reversed at a stacking fault – for example from ABC to CBA.
Tritt auf, wenn sich die Abfolge der Kristall-ebenen an einem Stapelfehler umkehrt – etwa von ABC in CBA.
ParaCrawl v7.1
Twinning-induced plasticity: Under stress, the crystal structure folds at a stacking fault, and a twin is formed.
Durch Zwillingsbildung induzierte Plastizität: Unter Belastung klappt die Kristallstruktur an einem Stapelfehler um, und es bildet sich ein Zwilling.
ParaCrawl v7.1
The arrows indicate stacking faults and twin boundaries.
Die Pfeile markieren Stapelfehler und Zwillingsgrenzen.
ParaCrawl v7.1
The latter allow to conclude on defects, in particular stacking-faults in the basal plane.
Letztere lassen Rückschlüsse auf Defekte, insbesondere Stapelfehler in der Basalebene zu.
EuroPat v2
The single-grain data indicated that stacking faults appear as precursors to the martensite.
Die Einzelkorn-Daten zeigen, daß Stapelfehler als Vorläufer des Martensits auftauchen.
ParaCrawl v7.1
Stacking faults can be visualized as a shift in the neatly arranged layers of atoms.
Stapelfehler kann man sich als Verschiebung in regelmäßig aufeinandergestapelten Atomlagen vorstellen.
ParaCrawl v7.1
The number of stacking faults in the thick n?-layers can also be reduced by means of the bonding.
Auch lassen sich mittels des Bondens die Anzahl der Stapelfehler bei den dicken n<->-Schichten verringern.
EuroPat v2
As a result, crystal faults form in the epitaxy layer (for instance due to stacking faults).
Es bilden sich daher Kristallfehler in der Epitaxieschicht aus (z.B. durch Stapelfehler).
EuroPat v2
The rough interface zone with its islands represents nuclei for the formation of lattice defects, particularly stacking faults and dislocation loops, during subsequent recrystallization.
Die rauhe Übergangszone mit ihren Inseln stellt Keime für die Bildung von Gitterdefekten, insbesondere Stapelfehler und Versetzungen, bei der späteren Rekristallisation dar.
EuroPat v2
Stacking faults may be made visible after the oxidation of the discs by secco-etching (2 parts by vol. of 40% aqueous hydrofluoric acid and 1 vol. part of 0.15 molar, aqueous potassium bichromate solution) and they can then be counted under the microscope.
Die Stapelfehler lassen sich nach der Oxydation der Scheiben durch Secco-Ätzen (2 Volumenteile 40gewichtsprozentiger, wässriger Flusssäure und 1 Volumenteil 0,15 molarer, wässriger Kaliumbichromatlösung) sichtbar machen und unter dem Mikroskop auszählen.
EuroPat v2
The stacking faults on the rear side of the discs are very stable and do not lose their effectiveness even after numerous oxidation steps within the indicated temperature range.
Die Stapelfehler in der Scheibenrückseite sind dabei sehr beständig und verlieren ihre Wirksamkeit auch nach zahlreichen Oxydationsschritten innerhalb der angegebenen Temperaturgranzen nicht.
EuroPat v2
These defects are primarily stacking faults and dislocation loops that greatly impair the electrical properties of the junction.
Bei diesen Fehlern handelt es sich in erster Linie um Stapel- und Versetzungsfehler, die die elektrischen Eigenschaften des Übergangs stark beeinträchtigen.
EuroPat v2
Since the rough interface zone has been smoothed before recrystallization proper, no stacking faults or dislocation loops can be found in the previously amorphous layer after the epitaxial growth.
Da die rauhe Übergangszone vor der eigentlichen Rekristallisation geglättet wurde, sind nach dem epitaktischen Wachstum keine Stapel- und Versetzungsfehler in der zuvor amorphen Schicht nachzuweisen.
EuroPat v2
In addition, when the back of the semiconductor wafer is damaged by the action of force which is virtually undefined in relation to its magnitude and its direction, it is unavoidable that the induced stacking faults are inhomogeneously distributed and electronic components fail because the action of the getter effect in their environment is inadequate.
Darüber hinaus ist bei der Beschädigung der Rückseite der Halbleiterscheibe durch in bezug auf Größe und Richtung nahezu undefinierte Krafteinwirkung nicht zu vermeiden, daß die induzierten Stapelfehler inhomogen verteilt sind und elektronische Bauelemente ausfallen, weil die Wirkung des Getter-Effekts in ihrer Umgebung mangelhaft ist.
EuroPat v2
It is an object of the present invention to provide a damage method in which the induced stacking faults are homogeneously distributed and in which a roughening of the back of the semiconductor wafer results in preventing the generation of undesirable particles.
Die vorliegende Erfindung hat zur Aufgabe, ein Damage-Verfahren anzugeben, bei dem die induzierten Stapelfehler homogen verteilt sind und eine zur Generierung unerwünschter Partikel führende Aufrauhung der Rückseite der Halbleiterscheibe vermieden wird.
EuroPat v2
The induced stacking faults, which are homogeneously distributed, only become visible after a test oxidation and the incipient etching of the back.
Die induzierten Stapelfehler, die homogen verteilt sind, werden erst nach einer Testoxidation und dem Anätzen der Rückseite sichtbar.
EuroPat v2

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your fault faults stacking fault energy stack
it stack not at fault stacking fault a stack of
no fault fault