Translation of "The semiconductor device" in German
																						The
																											invention
																											furthermore
																											relates
																											to
																											methods
																											for
																											producing
																											the
																											semiconductor
																											device
																											described.
																		
			
				
																						Die
																											Erfindung
																											bezieht
																											sich
																											ferner
																											auf
																											Verfahren
																											zum
																											Herstellen
																											des
																											beschriebenen
																											Halbleiterbauelementes.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											semiconductor
																											device
																											described
																											therein
																											has
																											four
																											layers
																											in
																											a
																											pnpn
																											arrangement.
																		
			
				
																						Die
																											dort
																											beschriebene
																											Halbleitervorrichtung
																											weist
																											vier
																											Schichten
																											in
																											einer
																											pnpn-Anordnung
																											auf.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											semiconductor
																											device
																											described
																											is
																											designed
																											for
																											a
																											total
																											current
																											capacity
																											of
																											400
																											A.
																		
			
				
																						Die
																											beschriebene
																											Halbleitervorrichtung
																											ist
																											für
																											eine
																											Gesamtstromkapazität
																											von
																											400
																											A
																											ausgelegt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											power
																											semiconductor
																											switching
																											device
																											40
																											is
																											controlled
																											by
																											means
																											of
																											the
																											temperature
																											control
																											device
																											20
																											via
																											an
																											interface
																											connection.
																		
			
				
																						Die
																											Leistungs-Halbleiterschalteinrichtung
																											40
																											wird
																											über
																											eine
																											Schnittstellenverbindung
																											von
																											der
																											Temperatur-Steuerungsvorrichtung
																											20
																											angesteuert.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											load
																											terminal
																											elements
																											generally
																											have
																											to
																											be
																											led
																											through
																											the
																											housing
																											of
																											the
																											power
																											semiconductor
																											device.
																		
			
				
																						Die
																											Lastanschlusselemente
																											müssen
																											im
																											Allgemeinen
																											durch
																											das
																											Gehäuse
																											der
																											Leistungshalbleitereinrichtung
																											geführt
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											particular,
																											the
																											semiconductor
																											device
																											is
																											arranged
																											to
																											emit
																											white
																											light.
																		
			
				
																						Insbesondere
																											ist
																											das
																											Halbleiterbauteil
																											dazu
																											eingerichtet,
																											weißes
																											Licht
																											zu
																											emittieren.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Embodiments
																											of
																											the
																											inventive
																											semiconductor
																											device
																											shall
																											now
																											be
																											described.
																		
			
				
																						Nachfolgend
																											werden
																											Ausführungsbeispiele
																											der
																											erfindungsgemäßen
																											Halbleitervorrichtung
																											beschrieben.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											optoelectronic
																											semiconductor
																											device
																											can
																											therefore
																											be
																											fed
																											in
																											a
																											voltage-driven
																											fashion
																											with
																											at
																											the
																											same
																											time
																											low
																											currents.
																		
			
				
																						Das
																											optoelektronische
																											Halbleiterbauteil
																											kann
																											somit
																											spannungsgetrieben
																											bei
																											gleichzeitig
																											niedrigen
																											Strömen
																											gespeist
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						This
																											can
																											prove
																											to
																											be
																											disturbing
																											during
																											the
																											use
																											of
																											the
																											radiation-emitting
																											semiconductor
																											device.
																		
			
				
																						Dies
																											kann
																											sich
																											beim
																											Einsatz
																											des
																											strahlungsemittierenden
																											Halbleiterbauteils
																											als
																											störend
																											erweisen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											this
																											example,
																											the
																											radiation-emitting
																											semiconductor
																											device
																											comprises
																											a
																											single
																											radiation-emitting
																											semiconductor
																											chip
																											1
																											.
																		
			
				
																						In
																											diesem
																											Ausführungsbeispiel
																											weist
																											das
																											strahlungsemittierende
																											Halbleiterbauteil
																											einen
																											einzigen
																											strahlungsemittierenden
																											Halbleiterchip
																											1
																											auf.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						By
																											way
																											of
																											example,
																											white
																											light
																											is
																											emitted
																											by
																											the
																											radiation-emitting
																											semiconductor
																											device
																											during
																											operation.
																		
			
				
																						Beispielsweise
																											wird
																											vom
																											strahlungsemittierenden
																											Halbleiterbauteil
																											im
																											Betrieb
																											weißes
																											Licht
																											abgestrahlt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											actuation
																											signal
																											14
																											is
																											fed
																											to
																											the
																											power
																											semiconductor
																											device
																											13
																											with
																											the
																											aid
																											of
																											the
																											actuation
																											device
																											12
																											.
																		
			
				
																						Mit
																											Hilfe
																											der
																											Ansteuervorrichtung
																											12
																											wird
																											der
																											Leistungshalbleitervorrichtung
																											13
																											das
																											Ansteuersignal
																											14
																											zugeführt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											actual
																											structure
																											of
																											the
																											semiconductor
																											device
																											is
																											assumed
																											to
																											be
																											known
																											and
																											not
																											shown.
																		
			
				
																						Der
																											eigentliche
																											Aufbau
																											des
																											Halbleiterbauteils
																											wird
																											als
																											bekannt
																											vorausgesetzt
																											und
																											nicht
																											dargestellt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											this
																											case,
																											the
																											radiation-emitting
																											semiconductor
																											device
																											comprises
																											three
																											different
																											radiation-emitting
																											semiconductor
																											chips.
																		
			
				
																						Vorliegend
																											umfasst
																											das
																											strahlungsemittierende
																											Halbleiterbauteil
																											drei
																											unterschiedliche
																											strahlungsemittierende
																											Halbleiterchips.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						This
																											can
																											be
																											implemented
																											in
																											the
																											same
																											way
																											for
																											all
																											the
																											radiation-emitting
																											semiconductor
																											chips
																											of
																											the
																											semiconductor
																											device.
																		
			
				
																						Dies
																											kann
																											für
																											alle
																											strahlungsemittierenden
																											Halbleiterchips
																											des
																											Halbleiterbauteils
																											in
																											gleicher
																											Weise
																											ausgeführt
																											sein.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											this
																											case,
																											the
																											metallizations
																											can
																											serve
																											for
																											the
																											later
																											electrical
																											contact-connection
																											of
																											the
																											optoelectronic
																											semiconductor
																											device.
																		
			
				
																						Dabei
																											können
																											die
																											Metallisierungen
																											zur
																											späteren
																											elektrischen
																											Kontaktierung
																											des
																											optoelektronischen
																											Halbleiterbauteils
																											dienen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											this
																											case,
																											the
																											bond
																											wire
																											of
																											the
																											bond
																											wire
																											contacting
																											does
																											not
																											protrude
																											from
																											the
																											semiconductor
																											device.
																		
			
				
																						In
																											diesem
																											Fall
																											ragt
																											der
																											Bonddraht
																											der
																											Bonddrahtkontaktierung
																											nicht
																											aus
																											dem
																											Halbleiterbauteil
																											hervor.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											base
																											connection
																											region
																											may
																											be
																											wholly
																											or
																											partly
																											monocrystalline
																											in
																											different
																											embodiments
																											of
																											the
																											semiconductor
																											device.
																		
			
				
																						Das
																											Basisanschlussgebiet
																											kann
																											in
																											unterschiedlichen
																											Ausführungsbeispielen
																											der
																											Halbleitervorrichtung
																											ganz
																											oder
																											teilweise
																											einkristallin
																											sein.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											phosphines
																											that
																											are
																											suitable
																											for
																											the
																											semiconductor
																											device
																											according
																											to
																											the
																											invention
																											include
																											an
																											extremely
																											wide
																											range
																											of
																											structures.
																		
			
				
																						Die
																											für
																											die
																											erfindungsgemäße
																											Halbleitereinrichtung
																											geeigneten
																											Phosphine
																											können
																											eine
																											äußerst
																											vielfältige
																											Struktur
																											aufweisen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											some
																											embodiments
																											of
																											the
																											semiconductor
																											laser
																											device,
																											the
																											organic
																											material
																											is
																											semi-conductive.
																		
			
				
																						In
																											einer
																											weiteren
																											vorteilhaften
																											Ausgestaltung
																											der
																											Halbleiterlaservorrichtung
																											ist
																											das
																											organische
																											Material
																											halbleitend.
															 
				
		 EuroPat v2