Translation of "Trilayer" in German
																						The
																											invention
																											relates
																											to
																											a
																											method
																											of
																											making
																											trenches
																											with
																											substantially
																											vertical
																											sidewalls
																											in
																											silicon
																											through
																											reactive
																											ion
																											etching,
																											using
																											a
																											photoresist
																											mask
																											made
																											in
																											a
																											trilayer
																											process.
																		
			
				
																						Die
																											Erfindung
																											betrifft
																											ein
																											Verfahren
																											zum
																											Herstellen
																											von
																											Gräben
																											mit
																											im
																											wesentlichen
																											vertikalen
																											Seitenwänden
																											in
																											Silicium
																											durch
																											reaktives
																											lonenätzen
																											und
																											unter
																											Verwendung
																											einer
																											Photoresistmaske,
																											die
																											in
																											einem
																											Dreilagenprozeß
																											hergestellt
																											wird.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						An
																											advantage
																											of
																											the
																											above
																											described
																											trilayer
																											process
																											is
																											that
																											it
																											permits
																											the
																											making
																											of
																											a
																											thick
																											resist
																											mask
																											with
																											vertical
																											sidewalls
																											suitable
																											for
																											reactive
																											ion
																											etching
																											of
																											deep
																											trenches.
																		
			
				
																						Ein
																											Vorteil
																											des
																											zuvor
																											beschriebene
																											Dreilagenprozesses
																											ist,
																											daß
																											mit
																											ihm
																											eine
																											dicke
																											'
																											Resistmaske
																											mit
																											vertikalen
																											Seitenwänden,
																											die
																											sich
																											für
																											das
																											reaktive
																											lonenätzen
																											von
																											tiefen
																											Gräben
																											eignet,
																											hergestellt
																											werden
																											kann.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						As
																											specified
																											repeatedly,
																											it
																											is
																											possible
																											to
																											make
																											with
																											the
																											trilayer
																											process
																											a
																											thick
																											photoresist
																											mask
																											with
																											vertical
																											sidewalls
																											so
																											that
																											even
																											with
																											a
																											selectivity
																											for
																											CF4
																											of
																											approximately
																											1
																											for
																											silicon
																											to
																											photoresist
																											the
																											reactive
																											ion
																											etching
																											of
																											silicon
																											with
																											CF4
																											using
																											a
																											photoresist
																											mask
																											is
																											possible
																											if
																											a
																											photoresist
																											mask
																											of
																											a
																											corresponding
																											thickness
																											is
																											used.
																		
			
				
																						Wie
																											mehrfach
																											beschrieben,
																											ist
																											es
																											mit
																											dem
																											Dreilagenprozeß
																											möglich,
																											eine
																											dicke
																											Photoresistmaske
																											mit
																											vertikalen
																											Seitenwänden
																											herzustellen,
																											so
																											daß
																											selbst
																											bei
																											einer
																											Selektivität
																											von
																											CF
																											4
																											von
																											etwa
																											1
																											für
																											Silicium
																											zu
																											Photoresist
																											das
																											reaktive
																											lonenätzen
																											von
																											Silicium
																											mit
																											CF4
																											unter
																											Verwendung
																											einer
																											Photoresistmaske
																											möglich
																											sein
																											sollte,
																											wenn
																											die
																											Dicke
																											der
																											Photoresistmaske
																											entsprechend
																											gewählt
																											wird.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											thick
																											photoresist
																											mask
																											required
																											for
																											this
																											process
																											is
																											made
																											in
																											a
																											trilayer
																											process
																											whose
																											essential
																											features
																											with
																											respect
																											to
																											the
																											material
																											selected
																											for
																											individual
																											layers,
																											and
																											the
																											reaction
																											gases
																											and
																											pressure
																											are
																											not
																											described
																											in
																											prior
																											art.
																		
			
				
																						Die
																											für
																											diesen
																											Prozeß
																											erforderliche
																											dicke
																											Photoresistmaske
																											wird
																											in
																											einem
																											Dreilagenprozeß
																											herge
																											stellt,
																											dessen
																											wesentliche
																											Merkmale
																											im
																											Hinblick
																											auf
																											die
																											Materialauswahl
																											für
																											einzelne
																											Schichten
																											und
																											die
																											Reaktionsgase
																											und
																											Drucke
																											nicht
																											im
																											Stand
																											der
																											Technik
																											beschrieben
																											sind.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Another
																											advantage
																											of
																											the
																											trilayer
																											process
																											is
																											that
																											the
																											disturbing
																											shadow
																											projection
																											effect
																											in
																											electron
																											beam
																											lithography
																											caused
																											by
																											an
																											electron
																											scattering
																											in
																											the
																											thick
																											resist
																											layer
																											2
																											and
																											the
																											substrate
																											material
																											1,
																											and
																											thereby
																											causing
																											localized
																											variation
																											in
																											the
																											beam
																											dose,
																											can
																											be
																											avoided
																											to
																											a
																											considerable
																											extent.
																		
			
				
																						Ein
																											weiterer
																											Vorteil
																											des
																											Dreilagenprozesses
																											liegt
																											darin,
																											daß
																											der
																											störende
																											Schattenwurfeffekt
																											in
																											der
																											Elektronenstrahllithographie,
																											der
																											auf
																											eine
																											Elektronenstreuung
																											in
																											dem
																											Resist
																											2
																											und
																											dem
																											Substratmaterial
																											1
																											zurückzuführen
																											ist
																											und
																											zu
																											unterschiedlichen
																											Dosen
																											führt,
																											weitgehend
																											vermieden
																											werden
																											kann.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Even
																											if
																											a
																											photoresist
																											mask,
																											as
																											the
																											one
																											made
																											in
																											accordance
																											with
																											the
																											above
																											described
																											trilayer
																											process,
																											comprises
																											vertical
																											sidewalls
																											this
																											does
																											not
																											necessarily
																											mean
																											that
																											trenches
																											with
																											vertical
																											sidewalls
																											are
																											obtained
																											in
																											the
																											silicon,
																											too.
																		
			
				
																						Selbst
																											wenn
																											eine
																											Photoresistmaske
																											wie
																											die
																											nach
																											dem
																											zuvor
																											beschriebenen
																											Dreilagenprozeß
																											hergestellte
																											vertikale
																											Seitenwände
																											aufweist,
																											ist
																											noch
																											nicht
																											gewährleistet,
																											daß
																											auch
																											im
																											Silicium
																											Gräben
																											mit
																											vertikalen
																											Seitenwänden
																											erhalten
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											thick
																											photoresist
																											mask
																											required
																											for
																											this
																											purpose,
																											with
																											vertical
																											sidewalls
																											of
																											the
																											patterns
																											to
																											be
																											transferred
																											into
																											the
																											silicon
																											substrate
																											is
																											made
																											in
																											a
																											trilayer
																											process.
																		
			
				
																						Die
																											hierzu
																											erforderliche
																											dicke
																											Photoresistmaske
																											mit
																											vertikalen
																											Seitenwänden
																											der
																											in
																											das
																											Siliciumsubstrat
																											zu
																											übertragenden
																											Muster
																											wird
																											in
																											einem
																											Dreilagenprozeß
																											hergestellt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											trilayer
																											process
																											known
																											per
																											se
																											is
																											modified
																											in
																											that
																											silicon
																											nitride
																											is
																											deposited
																											as
																											nitride
																											layer
																											3
																											through
																											plasma
																											deposition
																											instead
																											of
																											silicon
																											dioxide.
																		
			
				
																						Der
																											an
																											sich
																											bekannte
																											Dreilagenprozeß
																											wird
																											modifiziert,
																											indem
																											an
																											Stelle
																											von
																											Siliciumdioxid
																											Siliciumnitrid
																											durch
																											Plasmaabscheidung
																											als
																											Schicht
																											3
																											aufgetragen
																											wird.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						An
																											advantage
																											of
																											the
																											trilayer
																											process
																											is
																											that
																											it
																											permits
																											the
																											direct
																											production
																											of
																											the
																											thick
																											photoresist
																											mask
																											that
																											can
																											be
																											used
																											for
																											etching.
																		
			
				
																						Ein
																											Vorteil
																											des
																											Dreilagenprozesses
																											ist,
																											daß
																											mit
																											ihm
																											direkt
																											die
																											zum
																											Ätzen
																											verwendbare
																											dicke
																											Photoresistmaske
																											hergestellt
																											werden
																											kann.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Alternatively,
																											the
																											carrier
																											film
																											can
																											be
																											bonded
																											to
																											adhesive
																											films
																											(e.g.,
																											PVB
																											films)
																											and
																											bonded
																											as
																											a
																											three
																											layer
																											arrangement
																											(trilayer)
																											to
																											inner
																											and
																											outer
																											pane
																											2,
																											3
																											.
																		
			
				
																						Alternativ
																											kann
																											die
																											Trägerfolie
																											mit
																											Klebefolien
																											(z.B.
																											PVB-Folien)
																											verbunden
																											und
																											als
																											Dreischichtenanordnung
																											(Trilayer)
																											mit
																											Innen-
																											und
																											Außenscheibe
																											2,
																											3
																											verklebt
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Alternatively,
																											the
																											carrier
																											film
																											can
																											be
																											bonded
																											to
																											adhesive
																											films
																											(e.g.,
																											PVB
																											films)
																											and
																											glued
																											as
																											a
																											trilayer
																											arrangement
																											to
																											the
																											inner
																											and
																											outer
																											pane
																											2,
																											3
																											.
																		
			
				
																						Alternativ
																											kann
																											die
																											Trägerfolie
																											mit
																											Klebefolien
																											(z.B.
																											PVB-Folien)
																											verbunden
																											und
																											als
																											Dreischichtenanordnung
																											(Trilayer)
																											mit
																											Innen-
																											und
																											Außenscheibe
																											2,
																											3
																											verklebt
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Also
																											multiple
																											layers,
																											in
																											particular
																											trilayers,
																											are
																											conceivable.
																		
			
				
																						Es
																											sind
																											auch
																											Mehrfachschichten,
																											insbesondere
																											Trilayer
																											denkbar.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											particular
																											triple
																											layers
																											(so-called
																											trilayers)
																											are
																											possible.
																		
			
				
																						Hier
																											sind
																											insbesondere
																											Dreifachschichten
																											(sogenannte
																											Trilayer)
																											möglich.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Multiple
																											layers,
																											in
																											particular
																											trilayers,
																											are
																											also
																											conceivable.
																		
			
				
																						Es
																											sind
																											auch
																											Mehrfachschichten,
																											insbesondere
																											Trilayer
																											denkbar.
															 
				
		 EuroPat v2