Translation of "Tunnel diode" in German
The
n
+
layer
of
the
tunnel
diode
includes
a
III
phosphide
or
consists
of
a
III
phosphide.
Die
n+-Schicht
der
Tunneldiode
umfasst
ein
III-Phosphid
oder
besteht
aus
einem
III-Phosphid.
EuroPat v2
A
tunnel
diode
22
is
placed
on
top
cladding
layer
20
.
Auf
der
oberen
Mantelschicht
20
ist
eine
Tunneldiode
22
angeordnet.
EuroPat v2
An
n-doped
current
spreading
layer
24
is
formed
on
tunnel
diode
22
.
Auf
der
Tunneldiode
22
ist
eine
n-dotierte
Stromverteilerschicht
24
ausgebildet.
EuroPat v2
The
P-containing
layer
of
the
tunnel
diode
can
be
doped
with
tellurium.
Vorzugsweise
ist
die
P-haltige
Schicht
der
Tunneldiode
mit
Tellur
dotiert.
EuroPat v2
The
tunnel
contact
is
furthermore
preferably
embodied
with
two
monolithically
integrated
tunnel
contact
layers
of
different
conduction
types
as
a
tunnel
diode.
Der
Tunnelkontakt
ist
weiterhin
bevorzugt
mit
zwei
monolithisch
integrierten
Tunnelkontaktschichten
unterschiedlichen
Leitungstyps
als
Tunneldiode
ausgeführt.
EuroPat v2
In
an
embodiment,
the
recesses
extend
through
the
entire
tunnel
diode
to
the
upper
cladding
layer.
In
einer
anderen
Weiterbildung
reichen
die
Vertiefungen
durch
die
gesamte
Tunneldiode
bis
zu
der
oberen
Mantelschicht.
EuroPat v2
For
instance,
the
tunnel
diode,
a
component
used
in
electronics,
works
thanks
to
the
wonders
of
quantum
tunneling.
Zum
Beispiel,
die
Tunneldiode,
eine
Komponente
in
der
Elektronik
funktioniert
dank
des
Wunders
des
Quantentunnelns.
TED2020 v1
The
emitter-base
regions
function
as
a
tunnel
diode
because
both
sides
of
the
junction
are
degenerately
doped
and
the
intersection
of
the
profiles
are
precisely
controlled
and
optimized
for
tunneling
characteristics.
Die
Emitter-Basis-Bereiche
wirken
als
Tunneldiode,
weil
die
Bereiche
auf
beiden
Seiten
des
Übergangs
entartet
dotiert
sind
und
der
Schnittpunkt
der
Dotierungsprofile
für
eine
Tunnelcharakteristik
genau
gesteuert
und
optimiert
ist.
EuroPat v2
If
the
NIS-diode
or
the
SIS-diode
is
operated
below
the
transition
temperature
of
the
respective
superconductors
and
if
the
applied
voltage
is
smaller
than
the
voltage
(NIS)
corresponding
to
the
superconducting
energy
gap,
or
smaller
than
twice
this
voltage
(SIS),
the
current
flowing
over
the
barrier
increases
if
energy
is
deposited
in
the
tunnel
diode.
Wird
die
NIS-Diode
oder
SIS-Diode
unterhalb
der
Sprungtemperatur
der
jeweiligen
Supraleiter
betrieben,
und
ist
die
angelegte
Spannung
kleiner
als
die
der
supraleitenden
Energielücke
entsprechenden
Spannung
(NIS)
bzw.
kleiner
als
zweimal
diese
Spannung
(SIS),
so
steigt
der
über
die
Barriere
fließende
Strom,
wenn
in
der
Tunneldiode
Energie
deponiert
wird.
EuroPat v2
Above
the
tunnel
diode
TD,
another,
upper
active
zone
AZ
2
is
grown,
which
is
designed,
for
example,
as
a
GaInP
diode.
Über
die
Tunneldiode
TD
wird
eine
weitere,
obere
licht
emittierende
Zone
AZ2
gewachsen,
die
beispielsweise
als
GaInP-Diode
ausgebildet
ist.
EuroPat v2
An
electron
that
recombines
in
one
active
region
with
generation
of
radiation
can
tunnel
through
the
tunnel
junction,
which
is
embodied
for
example
as
a
tunnel
diode
that
is
reverse-biased
in
particular
during
operation
of
the
semiconductor
component
in
the
forward
direction
with
respect
to
the
active
regions,
and
pass
into
the
other
active
region.
Ein
in
dem
einen
aktiven
Bereich
unter
Strahlungserzeugung
rekombinierendes
Elektron,
kann
durch
den
Tunnelübergang,
der
beispielsweise
als,
insbesondere
im
Betrieb
des
Halbleiterbauelements
in
Durchlassrichtung
bezüglich
der
aktiven
Bereiche,
in
Sperrrichtung
gepolte
Tunneldiode
ausgeführt
ist,
hindurch
tunneln
und
in
den
anderen
aktiven
Bereich
gelangen.
EuroPat v2
The
transistor
is
controlled
by
triggering
a
tunnel
diode
which
blocks
current
in
one
direction
and
which
permits
a
tunnel
current
in
the
opposite
direction,
the
direction
of
flow,
that
essentially
and
simultaneously
forms
the
emitter-collector
current.
Die
Steuerung
des
Transistors
erfolgt
über
die
Ansteuerung
einer
Tunneldiode,
die
in
eine
Richtung
sperrt
und
in
Gegenrichtung,
der
Flussrichtung,
einen
Tunnelstrom
zulässt,
der
im
wesentlichen
zugleich
den
Emitter-Kollektorstrom
bildet.
EuroPat v2
In
variants
of
this
structure,
the
emitter-base
barrier
104
as
described
above
is
replaced
by
other
forms
of
tunnel
diode,
such
as
a
Schottky
diode,
which
is
formed
between
the
emitter
and
the
base
by
a
direct
boundary
layer
which
has
been
suitably
processed.
Bei
Varianten
der
dargestellten
Struktur
ist
die
Emitter-Basis-Barriere
104
wie
oben
erläutert
durch
andere
Formen
einer
Tunneldiode
ersetzt,
wie
beispielsweise
durch
eine
Schottky-Diode,
die
von
einer
geeignet
prozessierten
direkten
Grenzfläche
zwischen
Emitter
und
Basis
gebildet
wird.
EuroPat v2
The
object
is
achieved
by
a
depletion-layer
transistor
comprising
a
base,
an
emitter
and
a
collector,
in
which
the
emitter
contains
a
tunnel
diode
which
permits
a
tunnel
current
of
charge
carriers
from
the
emitter
in
the
direction
of
the
collector
when
an
emitter-base
voltage
above
a
first
threshold
voltage
is
applied
in
the
direction
of
current
flow,
and
in
which
the
base
contains
a
graphene
layer.
Das
technische
Problem
wird
gelöst
durch
einen
unipolaren
Heterojunction-Sperrschichttransistor,
mit
einer
Basis,
einem
Emitter
und
einem
Kollektor,
bei
dem
der
Emitter
eine
Tunneldiode
enthält,
welche
bei
einer
anliegenden
Emitter-Basisspannung
in
Flussrichtung
oberhalb
einer
ersten
Schwellenspannung
einen
Tunnelstrom
von
Ladungsträgern
vom
Emitter
in
Richtung
des
Kollektors
zulässt,
und
bei
dem
die
Basis
eine
Graphenschicht
enthält.
EuroPat v2
The
p
+
layer
of
the
tunnel
diode
and
the
current
distribution
layer
and
the
n-doped
contact
layer
each
include
a
III
arsenide
or
each
consist
of
a
III
arsenide.
Die
p
+
-Schicht
der
Tunneldiode
und
die
Stromverteilerschicht
und
die
n-dotierte
Kontaktschicht
umfassen
jeweils
ein
III-Arsenid
oder
bestehen
jeweils
aus
einem
III-Arsenid.
EuroPat v2
During
the
etching,
the
phosphide-containing
n
+
layer
of
the
tunnel
diode
serves
as
an
etch
stop
in
each
of
the
two
regions,
i.e.
the
second
region
and
the
third
region.
Bei
der
Ätzung
dient
bei
beiden
Bereichen,
d.h.
dem
zweiten
Bereich
und
dem
dritten
Bereich
die
phosphidhaltige
n+-Schicht
der
Tunneldiode
jeweils
als
Ätzstopp.
EuroPat v2
In
an
embodiment,
the
phosphide-containing
n
+
layer
of
the
tunnel
diode
is
removed
at
the
bottom
of
the
contact
hole
and
in
the
recesses
of
the
texturing.
In
einer
Ausführungsform
wird
die
phosphidhaltige
n+-Schicht
der
Tunneldiode
an
dem
Boden
des
Kontaktloches
und
in
den
Vertiefungen
der
Texturierung
entfernt
wird.
EuroPat v2