Translation of "Voltage clamp" in German

For example, a clamp voltage of 350 volts can be set by this component.
Beispielsweise kann eine Klammerspannung von 350V durch dieses Bauelement festgelegt sein.
EuroPat v2
The charging time, the temperature and the clamp voltage are used as shut off criteria.
Als Abschaltkriterien werden die Ladezeit, die Temperatur und die Klemmenspannung herangezogen.
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The electrophysiological measurements would then be done according to the classic voltage-clamp technique.
Die elektrophysiologischen Messungen würden entsprechend der klassischen Voltage-Clamp Technik erfolgen.
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Nanion) serve as planar substrate for the voltage clamp experiments.
Nanion) dienen als planares Substrat für die Voltage-Clamp Experimente.
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Nanion) serve as the planar substrate for the voltage clamp experiments.
Nanion) dienen als planares Substrat für die Voltage-Clamp Experimente.
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As a function of the current level and the clamp voltage, the shut-off becomes shorter or longer.
Abhängig von der Stromhöhe und der Klammerspannung wird das Abschalten kürzer oder länger.
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The effect of a limitation of the output voltage by a clamp diode D6 (FIG. 6) would be that an extremely high gate-source voltage would be established at transistors T76 and, thus, a high current would flow through T76 and through the diode D6.
Eine Begrenzung der Ausgangsspannung durch eine Klemmdiode D6 (Figur 6) würde bewirken, daß sich an Transistoren T76 eine sehr hohe Gate-source-Spannung einstellt und damit ein großer Strom durch T76 und die Diode D6 fließt.
EuroPat v2
The light output from photodiode S will be kept low until the resistance of phototransistor E again assumes the level at which clamp voltage UK drops at the collector-emitter section.
Die Lichtleistung der Leuchtdiode S wird so lange verringert, bis der Widerstand des Phototransistors E wieder den Wert annimmt, bei dem an der Kollektor-Emitter-Strecke die Klemmspannung U K abfällt.
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However, the case can also occur that the clamp voltage of the feed or supply battery D drops, for example, the consequence of a short or as a consequence of a overload having a corresponding duration.
Ebenso aber kann auch der Fall eintreten, daß die Klemmenspannung der Speisebatterie D absinkt, z.B. infolge eines Kurzschlusses oder infolge einer Überlastung von entsprechender Dauer.
EuroPat v2
Assuming that diode D is an ideal diode, the output voltage UA at the collector of phototransistor E will assume the value of clamp voltage UK because operational amplifier OP will as aforesaid continue to vary its output voltage and hence the emission power of photodiode S until the resistance of phototransistor E assumes precisely the value at which the clamp voltage UK at the collector-emitter section will drop.
Unter der Annahme, daß es sich bei der Diode D um eine ideale Diode handelt, nimmt die Ausgangsspannung U A am Kollektor des Phototransistors E den Wert der Klemmspannung U K an, denn der Operationsverstärker OP ändert - wie bereits erwähnt - seine Ausgangsspannung und damit auch die Sendeleistung der Leuchtdiode S so lange, bis der Widerstand des Phototransistors E genau den Wert annimt, bei dem an der Kollektor-Emitter-Strecke die Klemmspannung U K abfällt.
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If filter F is displaced in the opposite direction, from the shade of highest attenuation to the shade of lowest attenuation, between photodiode S and phototransistor E, the stepped curve illustrated in FIG. 2 will extend in the opposite direction. Output voltage UA will drop step by step until it equals clamp voltage UK when the shade of filter F that causes the least attenuation is between photodiode S and phototransistor E.
Wird das Filter F in entgegengesetzter Richtung, das heißt von der Stufe höchster Dämpfung zur Stufe geringster Dämpfung zwischen der Leuchtdiode S und dem Phototransistor E geschoben, so wird die in Figur 2 gezeigte Treppenkurve in entgegengesetzter Richtung durchlaufen: Die Ausgangsspannung U A nimmt stufenförmig ab, bis sie, wenn wieder die Stufe des Filters F mit der geringsten Dämpfung zwischen der Leuchtdiode D und dem Phototransistor E liegt, auf die Klemmspannung U K abgesunken ist.
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If filter F is displaced in the opposite direction, from the shade of lowest attenuation to the shade of highest attenuation, between photodiode S and phototransistor E, the stepped curve illustrated in FIG. 4 will extend in the opposite direction. Output voltage UA will rise step by step until it equals clamp voltage UK when the shade of filter F that causes the most attenuation is between photodiode S and phototransistor E.
Wird das Filter F in entgegengesetzter Richtung, das heißt von der Stufe geringster Dämpfung zur Stufe höchster Dämpfung zwischen der Leuchtdiode S und dem Phototransistor E geschoben, so wird die in Figur 4 gezeigte Treppenkurve in entgegengesetzter Richtung durchlaufen: Die Ausgangsspannung U A nimmt stufenförmig zu, bis sie, wenn wieder die Stufe des Filters F mit der größten Dämpfung zwischen der Leuchtdiode D und dem Phototransistor E liegt, auf die Klemmspannung U K angestiegen ist.
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It is further known to feed the battery in constant current impulse, whereby the clamp voltage is measured and controlled during pauses in the current impulses.
Es ist weiter bekannt, den Ladestrom der Batterie in konstanten Stromimpulsen zuzuführen, wobei in den Stromimpulspausen die Klemmenspannung gemessen und Uberwacht wird.
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The most exact are devices with a measurement of the clamp voltage, especially when the voltage is measured in the currentless condition of the battery.
Am genauesten sind die Verfahren mit Messung der Klemmenspannung, insbesondere dann, wenn die Spannung im stromlosen Zustand der Batterie gemessen wird.
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When FETs Q1N and Q2N are nonconductive, collector K1 is on positive potential VDD of the operating voltage source via clamp FET Q3P.
Bei gesperrten FET Q1N und Q2N liegt der Kollektor K1 über den Klemm-FET Q3P auf dem positiven Potential V DD der Betriebsspannungsquelle.
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A solution to this problem involves the features that the first FET and the second FET are of the same conductivity type and the clamp FET is of the opposite conductivity type, the gate electrodes of all three FETs are driven by control signals of the same polarity, and clamping is effected to the negative operating voltage if the clamp FET is the n-channel type, and to the positive operating voltage if the clamp FET is the p-channel type.
Eine Lösung dieser Aufgabe ist dadurch ge­kennzeichnet, daß der erste FET und der zweite FET vom selben Leitfähigkeitstyp und der Klemm-FET vom dazu ent­gegengesetzten Leitfähigkeitstyp sind, daß die Gateelek­troden aller drei FET mit Steuersignalen gleicher Pola­ rität angesteuert werden und daß die Klemmung für den Fall, daß der Klemm-FET vom N-Kanal-Typ ist, auf die ne­gative Betriebsspannung, und für den Fall, daß der Klemm-­FET vom P-Kanal-Typ ist, auf die positive Betriebsspan­nung erfolgt.
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