Translation of "Wafer fabrication" in German

The region 105 essentially contributes to the mechanical stability of a wafer during the fabrication of semiconductor components in the region 104, the extent of the wafer in the lateral direction exceeding the thickness d, or the sum of the thicknesses d and x, by several orders of magnitude.
Der Bereich 105, trägt im wesentlichen zur mechanischen Stabilität eines Wafers bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen in dem Bereich 104 bei, wobei die Ausdehnung des Wafers in lateraler Richtung die Dicke D, bzw. die Summe aus den Dicken D und x, um mehrere Größenordnungen übersteigt.
EuroPat v2
The semiconductor materials may possess any conventional crystal lattice orientation and resistivity, and will be of conventional dimensions as used in the wafer fabrication industry.
Die Halbleitermaterialien können jede herkömmliche Kristallgitterorientierung und alle spezifischen Widerstände aufweisen und die herkömmlichen Abmessungen haben, wie sie bei der Herstellung in der Scheibenindustrie Verwendung finden.
EuroPat v2
After the patterning step, which is usually carried out by photolithographic processes, a second insulating layer 4, a first conductive layer 5 and a partial protective layer 6 are deposited on the wafer in subsequent fabrication steps.
Nach diesem Strukturierungsschritt, der üblicherweise mittels fotolithografischer Prozesse durchgeführt wird, werden in nachfolgenden Herstellungsschritten eine zweite Isolierschicht 4, eine erste leitende Schicht 5 und eine Teil-Schutzschicht 6 auf dem Wafer abgeschieden.
EuroPat v2
These changes reduce the significance of labour costs and hence the attractiveness of Third World locations relative to the economies of co-locating sub-automated assemblies and wafer fabrication in developed countries.
Diese Änderungen reduzieren die Bedeutung der Arbeitskosten und daher die Anziehungskraft der Standorte in der Dritten Welt im Verhältnis zu den Einsparungen, wenn man die Standorte für halbautomatisierte Montagen und Waferherstellung in den entwickelten Ländern zusammenstellt.
ParaCrawl v7.1
In order to reduce wafer fabrication tolerances, the ion current is measured and the irradiation time is adjusted depending on the ion current.
Um Fertigungstoleranzen der Wafer zu reduzieren, wird der lonenstrom gemessen und die Bestrahlungsdauer in Abhängigkeit von dem lonenstrom angepasst.
EuroPat v2
The layer 17 can be applied to the rear side of the wafer during fabrication of the semiconductor chip 4, for example, by electroplating or in the form of a film.
Die Schicht 17 kann während der Herstellung des Halbleiterchips 4 beispielsweise durch Electroplating oder in Form einer Folie auf die Rückseite des Wafers aufgebracht werden.
EuroPat v2
It should be noted that in the context of the invention, the opening can also be an opening through the active zone, produced in the semiconductor layer sequence on-wafer during the fabrication of the optoelectronic component.
Es sei angemerkt, dass als Durchbruch im Rahmen der Erfindung auch ein während der Herstellung des optoelektronischen Bauelements im Waferverbund in der Halbleiterschichtenfolge erzeugter Durchbruch durch die aktive Zone angesehen werden kann.
EuroPat v2
After this patterning step, which is usually carried out by photolithographic processes, a second insulating layer 4, a first conductive layer 5 and a protective layer 6 are deposited on the wafer in subsequent fabrication steps.
Nach diesem Strukturierungsschritt, der üblicherweise mittels fotolithografischer Prozesse durchgeführt wird, werden in nachfolgenden Herstellungsschritten eine zweite Isolierschicht 4, eine erste leitende Schicht 5 und eine Schutzschicht 6 auf dem Wafer abgeschieden.
EuroPat v2
In order, on the one hand, to ensure sufficient mechanical stability of the wafer during fabrication, which can only be ensured by means of a certain thickness, and, on the other hand, to minimize the effects of this thickness required for fabrication on the component, further procedures are generally known in addition to the abovementioned possibility of applying epitaxial layers which determine the electrical properties to a substrate which is a good conductor.
Um einerseits eine ausreichende mechanische Stabilität des Wafers bei der Herstellung zu gewährleisten, die nur durch eine gewisse Dicke sichergestellt werden kann, und andererseits die Auswirkungen dieser zur Herstellung erforderlichen Dicke auf das Bauelement möglichst gering zu halten, sind neben der genannten Möglichkeit, auf ein gut leitendes Substrat Epitaxie-Schichten aufzubringen, die die elektrischen Eigenschaften bestimmen, weitere Vorgehensweisen allgemein bekannt.
EuroPat v2
However, the implantation of the oxygen ions produces crystal defects (damage) in the thin layer of silicon, and this damage has adverse effects on the SOI wafer during subsequent fabrication of electronic components.
Durch die Implantation der Sauerstoff-Ionen werden jedoch Kristallfehler ("Damage") in der dünnen Siliciumschicht erzeugt, die sich bei einer nachfolgenden Herstellung von elektronischen Bauelementen auf der SOI-Scheibe nachteilig auswirken.
EuroPat v2
The smaller an integrated circuit, the higher the effective yield per wafer during fabrication.
Je kleiner eine integrierte Schaltung ist, desto höher ist auch die effektive Ausbeute pro Wafer bei der Herstellung.
EuroPat v2
The company already won the prestigious award in 1984 for the ELSAM acoustic microscope and again in 2002 for the DUV high-resolution microscope objective for photomask and wafer fabrication.
Bereits 1984 wurde das Unternehmen für das Akustomikroskop ELSAM und 2002 für das DUV-Hochauflösungsobjektiv für Fotomasken- und Waferherstellung mit dem renommierten Preis ausgezeichnet.
ParaCrawl v7.1
With inspection, guidance and identification applications throughout wafer manufacture, cell fabrication and module assembly processes, Cognex is a leader in supporting manufacturing in the alternative energy market.
Mit Prüf-, Steuerungs- und Identifikationsanwendungen in der Wafer-Herstellung, Solarzellenfertigung und bei Modulmontageprozessen ist Cognex ein maßgeblicher Unterstützer von Herstellern im Bereich erneuerbarer Energien.
ParaCrawl v7.1
Wafer fabrication includes many repeated processes to produce complete integrated electronic circuits on the wafer substrate surface and subsequently sectioning into individual wafer dice.
Die Herstellung von Wafern umfasst zahlreiche, sich wiederholende Prozesse, um vollständige elektronische Bauteile und integrierte Schaltkreise auf der Oberfläche des Wafersubstrats zu erzeugen, wonach der Wafer vereinzelt wird.
ParaCrawl v7.1
Conventional solar modules of crystalline silicon are based on wafer fabrication with subsequent electrical wiring, resulting in relatively small power units of approximately 1 W, silicon wafers then needing, as a rule, to be circuited into 50-100 W modules.
Herkömmliche Solarmodule aus kristallinem Silizium basieren auf einer Waferherstellung und einer nachfolgenden elektrischen Verdrahtung. Hieraus entstehen relative kleine Leistungseinheiten von ca. 1 W Silizium-Wafern, die dann in der Regel zu 50 - 100 W Modulen verschaltet werden müssen.
EuroPat v2
As a comparison, wafers were fabricated using the same fabrication sequence but with grinding of the front on a wafer holder having a hard support.
Zum Vergleich wurden Scheiben mit gleicher Fertigungsabfolge, aber mit Schleifen der Vorderseite auf einem Scheibenhalter mit harter Auflage, gefertigt.
EuroPat v2
After contact metallization layers have been applied to the wafer fabricated in such a way, the wafer is separated into individual light-emitting diode chips or semiconductor laser chips.
Nach einem Aufbringen von Kontaktmetallisierungen auf den derart hergestellten Wafer wird dieser in einzelne Leuchtdiodenchips oder Halbleiterlaserchips vereinzelt.
EuroPat v2
Many difficulties which occur when breaking or etching wafers fabricated by means of planar epitaxy, in particular Ga(In,Al)N epitaxial wafers for fabricating a very wide variety of light-emitting diode or semiconductor laser chips, are circumvented by this method.
Viele Schwierigkeiten, die beim Brechen bzw. Ätzen von mittels planarer Epitaxie hergestellten Scheiben, insbesondere von Ga(in,Al)N-Epitaxiewafern zur Herstellung von Leuchtdioden- oder Halbleiterlaserchips verschiedenster Art auftreten, werden mit diesem Verfahren umgangen.
EuroPat v2
The invention relates to a method for the production of vertical electrical contact connections (micro-vias, via=vertical interconnect access) in semiconductor wafers for the fabrication of semiconductor devices, i.e., of contacts on the front side of the wafer through the semiconductor wafer, to the rear side of the wafer.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von vertikalen elektrischen Kontaktverbindungen (Mikro-Vias, via = vertical interconnect access) in Halbleiterwafern zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen, das heißt von Kontakten auf der Wafer-Vorderseite durch den Halbleiter-Wafer hindurch zur Wafer-Rückseite.
EuroPat v2

Related phrases