Translation of "Wiring layer" in German
																						This
																											line
																											can
																											be
																											of
																											metallic
																											construction,
																											particularly
																											using
																											the
																											technology
																											of
																											existing
																											multiple-layer
																											wiring.
																		
			
				
																						Diese
																											Leitung
																											kann
																											besonders
																											bei
																											in
																											der
																											Technologie
																											vorhandener
																											Mehrlagenverdrahtung
																											metallisch
																											ausgeführt
																											sein.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											carrier
																											4
																											is
																											here
																											fashioned
																											two-sided,
																											and
																											comprises
																											a
																											multi-layer
																											wiring.
																		
			
				
																						Der
																											Träger
																											4
																											ist
																											hier
																											zweischichtig
																											aufgebaut
																											und
																											weist
																											eine
																											Mehrlagenverdrahtung
																											auf.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											fourth
																											light
																											protection
																											13
																											is
																											an
																											outer
																											wiring
																											layer.
																		
			
				
																						Der
																											vierte
																											Lichtschutz
																											13
																											ist
																											eine
																											Umverdrahtungsschicht.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											fourth
																											light
																											protection
																											can
																											be
																											an
																											outer
																											wiring
																											layer.
																		
			
				
																						Der
																											vierte
																											Lichtschutz
																											kann
																											eine
																											Umverdrahtungsschicht
																											sein.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											lines
																											L
																											may
																											be
																											made
																											from
																											a
																											higher
																											wiring
																											layer
																											than
																											the
																											remaining
																											structures.
																		
			
				
																						Die
																											Leitungen
																											L
																											können
																											aus
																											einer
																											höheren
																											Verdrahtungsebene
																											als
																											die
																											übrigen
																											Strukturen
																											hergestellt
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											connections
																											of
																											the
																											TMR
																											cell
																											may
																											be
																											led
																											into
																											the
																											silicon
																											or
																											remain
																											in
																											the
																											wiring
																											layer.
																		
			
				
																						Die
																											Anschlüsse
																											der
																											TMR-Zelle
																											können
																											ins
																											Silizium
																											geführt
																											werden
																											oder
																											in
																											der
																											Verdrahtungsschicht
																											verbleiben.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											contacting
																											between
																											this
																											active
																											chip
																											and
																											the
																											voltage-converting
																											area
																											is
																											accomplished
																											via
																											a
																											further
																											wiring
																											layer.
																		
			
				
																						Die
																											Kontaktierung
																											zwischen
																											diesem
																											Aktivchip
																											und
																											dem
																											spannungswandelnden
																											Bereich
																											wird
																											über
																											eine
																											weitere
																											Verdrahtungslage
																											bewerkstelligt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						For
																											the
																											vertical
																											contacts
																											12,
																											the
																											uppermost
																											wiring
																											layer
																											6
																											of
																											the
																											mass-produced
																											chip
																											has
																											corresponding
																											contact
																											faces
																											13
																											.
																		
			
				
																						Für
																											die
																											vertikalen
																											Kontakte
																											12
																											weist
																											die
																											oberste
																											Verdrahtungsschicht
																											6
																											des
																											Produktchips
																											entsprechende
																											Kontaktflächen
																											13
																											auf.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											imaging
																											device
																											according
																											to
																											claim
																											1,
																											wherein
																											the
																											first
																											wiring
																											layer
																											includes
																											a
																											plurality
																											of
																											wiring
																											and
																											a
																											plurality
																											of
																											insulating
																											layers.
																		
			
				
																						Bildgebungsvorrichtung
																											nach
																											Anspruch
																											1,
																											wobei
																											die
																											erste
																											Leiterschicht
																											mehrere
																											Leitungsführungen
																											und
																											mehrere
																											Isolierschichten
																											umfasst.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											imaging
																											device
																											according
																											to
																											claim
																											1,
																											wherein
																											the
																											first
																											wiring
																											layer
																											includes
																											a
																											plurality
																											of
																											wiring
																											and
																											a
																											plurality
																											of
																											insulating
																											layer.
																		
			
				
																						Bildgebungsvorrichtung
																											nach
																											Anspruch
																											1,
																											wobei
																											die
																											erste
																											Leiterschicht
																											mehrere
																											Leitungsführungen
																											und
																											mehrere
																											Isolierschichten
																											umfasst.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											back-illuminated
																											structure
																											expands
																											circuitry
																											scale
																											of
																											a
																											new
																											copper
																											wiring
																											layer
																											for
																											3.5
																											times
																											faster
																											data
																											readout
																											.
																		
			
				
																						Die
																											rückwärtig
																											belichtete
																											Struktur
																											erweitert
																											die
																											Schaltkreisskalierung
																											einer
																											neuen
																											Kupferdrahtschicht
																											für
																											eine
																											3,5fach
																											schnellere
																											Datenauslesung
																											.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						Unless
																											otherwise
																											stated,
																											it
																											may
																											be
																											assumed
																											that
																											any
																											of
																											the
																											conventional
																											known
																											photolithographic
																											processes
																											utilizing
																											either
																											diffusion
																											or
																											ion
																											implantation
																											may
																											be
																											used
																											in
																											the
																											formation
																											of
																											the
																											devices
																											in
																											the
																											integrated
																											circuit
																											and
																											that
																											any
																											of
																											the
																											conventional,
																											or
																											standard,
																											known
																											processes
																											for
																											forming
																											insulated
																											layers
																											of
																											wiring
																											(metallization),
																											specifically
																											including
																											multi-layer
																											wiring
																											may
																											be
																											utilized
																											to
																											provide
																											the
																											required
																											wiring.
																		
			
				
																						Soweit
																											nichts
																											anderes
																											angegeben
																											ist,
																											kann
																											angenommen
																											werden,
																											daß
																											die
																											Halbleiterelemente
																											in
																											der
																											integrierten
																											Schaltung
																											sowie
																											die
																											isolierten
																											Verdrahtungsebenen
																											(Metallisierung)
																											in
																											herkömmlichen
																											photolithographischen
																											Prozessen
																											durch
																											Diffusion
																											oder
																											Ionenimplantation
																											bzw.
																											mehrschichtige
																											Verdrahtung
																											hergestellt
																											werden
																											können.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											first
																											level
																											of
																											wiring
																											is
																											separate
																											from
																											the
																											surface
																											of
																											the
																											semiconductor
																											by
																											insulating
																											layer
																											31
																											and
																											from
																											the
																											second
																											level
																											of
																											wiring
																											by
																											insulating
																											layer
																											34.
																		
			
				
																						Die
																											erste
																											Verdrahtungsebene
																											ist
																											von
																											der
																											Oberfläche
																											des
																											Halbleiters
																											durch
																											die
																											Isolierschicht
																											31
																											und
																											von
																											der
																											zweiten
																											Verdrahtungsebene
																											durch
																											die
																											Isolierschicht
																											34
																											getrennt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Electrical
																											potentials
																											of
																											solid
																											state
																											matter
																											which
																											are
																											hidden
																											below
																											an
																											insulating
																											layer
																											and
																											a
																											conductive
																											cover
																											layer
																											such
																											as,
																											for
																											example,
																											potentials
																											under
																											the
																											gate
																											electrode
																											of
																											a
																											metal-oxide-semiconductor
																											(MOS)
																											structure
																											or,
																											for
																											example,
																											potentials
																											of
																											a
																											hidden
																											path
																											within
																											a
																											multi-layer
																											wiring
																											are
																											to
																											be
																											measured
																											topically
																											resolved
																											and
																											in
																											a
																											non-destructive
																											manner.
																		
			
				
																						Elektrische
																											Potentiale
																											von
																											Festkörpersubstanz,
																											die
																											unter
																											einer
																											isolierenden
																											und
																											einer
																											leitenden
																											Deckschicht
																											verborgen
																											ist,
																											wie
																											z.
																											B.
																											Potentiale
																											unter
																											der
																											Gate-Elektrode
																											einer
																											MOS-Struktur
																											oder
																											wie
																											z.
																											B.
																											Potentiale
																											einer
																											verborgenen
																											Leitbahn
																											innerhalb
																											einer
																											Mehrlagenverdrahtung,
																											sollen
																											ortsaufgelöst
																											und
																											zerstörungsfrei
																											gemessen
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											space
																											requirement
																											is
																											determined
																											by
																											the
																											area
																											that
																											must
																											be
																											reserved
																											in
																											the
																											wiring
																											level
																											or
																											layer
																											for
																											the
																											throughplating
																											as
																											well
																											as
																											by
																											the
																											length
																											of
																											the
																											throughplating.
																		
			
				
																						Der
																											Platzbedarf
																											ist
																											durch
																											die
																											Fläche,
																											die
																											für
																											die
																											Durchkontaktierung
																											in
																											der
																											Verdrahtungsebene
																											freigehalten
																											werden
																											muß,
																											sowie
																											durch
																											die
																											Länge
																											der
																											Durchkontaktierung
																											festgelegt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						By
																											use
																											of
																											the
																											additional
																											wiring
																											layer
																											10
																											and
																											the
																											contacts
																											12,
																											signals
																											that
																											in
																											the
																											mass-production
																											chip
																											are
																											not
																											normally
																											carried
																											to
																											an
																											outside
																											pin
																											are
																											now
																											carried
																											to
																											the
																											chip
																											surface.
																		
			
				
																						Durch
																											die
																											zusätzliche
																											Verdrahtungsschicht
																											10
																											sowie
																											die
																											Kontakte
																											12
																											werden
																											solche
																											Signale
																											an
																											die
																											Chipoberfläche
																											geführt,
																											die
																											im
																											Produktchip
																											gerade
																											nicht
																											nach
																											außen
																											geführt
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											“normal”
																											pads
																											52
																											at
																											solder
																											lugs
																											51
																											are
																											therefore
																											also
																											passed
																											through
																											corresponding
																											lines
																											53
																											in
																											the
																											wiring
																											layer
																											10
																											.
																		
			
				
																						Daher
																											sind
																											auch
																											die
																											normalen"
																											Anschlußpads
																											52
																											an
																											Lötwarzen
																											51
																											durch
																											entsprechende
																											Leitungen
																											53
																											in
																											der
																											Verdrahtungsschicht
																											10
																											geführt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						For
																											this
																											reason,
																											in
																											the
																											wiring
																											layer
																											of
																											the
																											emulation
																											chip
																											3,
																											the
																											conductor
																											track
																											10
																											is
																											therefore
																											formed
																											between
																											the
																											solder
																											bead
																											70
																											and
																											a
																											solder
																											bead
																											71
																											intended
																											for
																											connection
																											to
																											a
																											supply
																											potential,
																											preferably
																											ground.
																		
			
				
																						Daher
																											wird
																											in
																											der
																											Verdrahtungsschicht
																											10
																											des
																											Emulationschips
																											3
																											eine
																											Leiterbahn
																											zwischen
																											Lötkugel
																											70
																											und
																											einer
																											für
																											einen
																											Anschluß
																											für
																											ein
																											Versorgungspotential,
																											vorzugsweise
																											Masse,
																											vorgesehenen
																											Lötkugel
																											71
																											gebildet.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Furthermore,
																											a
																											structure
																											is
																											to
																											be
																											produced
																											which
																											is
																											as
																											planar
																											as
																											possible
																											and
																											which
																											is
																											suitable
																											for
																											multi-layer
																											wiring,
																											where
																											the
																											contact
																											hole
																											etching,
																											and
																											therefore
																											the
																											selectivity
																											of
																											this
																											etching
																											to
																											the
																											substrate,
																											is
																											not
																											critical.
																		
			
				
																						Außerdem
																											sollen
																											eine
																											möglichst
																											planare
																											Struktur,
																											die
																											für
																											eine
																											Mehrlagenverdrahtung
																											geeignet
																											ist,
																											entstehen,
																											wobei
																											die
																											Kontatktlochätzung
																											und
																											damit
																											die
																											Selektivität
																											dieser
																											Ätzung
																											zum
																											Substrat
																											unkritisch
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						With
																											a
																											new
																											lower
																											copper
																											wiring
																											layer
																											and
																											processing
																											circuitry
																											that
																											improves
																											light
																											collection
																											efficiency,
																											the
																											image
																											sensor
																											expands
																											sensitivity
																											range
																											up
																											to
																											ISO
																											51200
																											with
																											reduced
																											noise.
																		
			
				
																						Mit
																											einer
																											neuen
																											Kupferdrahtschicht
																											und
																											einem
																											Verarbeitungsschaltkreis
																											für
																											eine
																											verbesserte
																											Lichtempfindlichkeit
																											erweitert
																											der
																											Bildsensor
																											den
																											Empfindlichkeitsbereich
																											auf
																											bis
																											zu
																											ISO
																											51200
																											und
																											reduziert
																											gleichzeitig
																											Rauschen.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						Due
																											to
																											the
																											short
																											wires
																											in
																											the
																											wiring
																											layer
																											of
																											an
																											IC,
																											the
																											interference
																											emission
																											typically
																											caused
																											by
																											a
																											converter
																											can
																											be
																											reduced
																											to
																											a
																											minimum,
																											so
																											that
																											there
																											only
																											remains
																											a
																											need
																											to
																											reduce
																											the
																											wire-bound
																											interferences
																											from
																											the
																											IC
																											to
																											the
																											aviation
																											requirements.
																		
			
				
																						Bedingt
																											durch
																											die
																											kurzen
																											Leitungen
																											innerhalb
																											der
																											Verdrahtungsebene
																											eines
																											IC
																											können
																											die
																											typischer
																											Weise
																											von
																											einem
																											Wandler
																											verursachten
																											Störabstrahlung
																											auf
																											ein
																											Minimum
																											reduziert
																											werden,
																											so
																											dass
																											nur
																											noch
																											die
																											leitungsgeführten
																											Störungen
																											aus
																											dem
																											IC
																											auf
																											die
																											Luftfahrterfordernisse
																											reduziert
																											werden
																											müssen.
															 
				
		 EuroPat v2