Translation of "Ätze" in English
																						Die
																											Ätze
																											enthält
																											Ammoniumhydroxyd
																											und
																											Wasserstoffsuperoxyd.
																		
			
				
																						The
																											etch
																											contains
																											ammonium
																											hydroxide
																											and
																											hydrogen
																											superoxide.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Die
																											Ätze
																											stoppt
																											selektiv
																											auf
																											der
																											Zwischenschicht
																											aus
																											Erbium-Arsenid.
																		
			
				
																						The
																											etch
																											stops
																											selectively
																											on
																											the
																											interlayer
																											of
																											erbium-arsenide.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Eine
																											derartige
																											Ätze
																											stoppt
																											selektiv
																											auf
																											der
																											Kanalschicht
																											3
																											aus
																											dotiertem
																											Gallium-Arsenid.
																		
			
				
																						Such
																											an
																											etch
																											stops
																											selectively
																											on
																											the
																											channel
																											layer
																											3
																											of
																											doped
																											gallium-arsenide.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Im
																											nächsten
																											Schritt
																											wird
																											die
																											Anordnung
																											selektiv
																											isotrop
																											mit
																											einer
																											alkalischen
																											Ätze
																											geätzt.
																		
			
				
																						In
																											the
																											next
																											step,
																											the
																											configuration
																											is
																											selectively
																											etched
																											isotropically
																											with
																											an
																											alkaline
																											etchant.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Mit
																											einer
																											anisotropen
																											Ätze,
																											z.B.
																											KOH,
																											wird
																											das
																											Si-Substrat
																											1
																											geätzt.
																		
			
				
																						The
																											Si-substrate
																											1
																											is
																											etched
																											with
																											an
																											anisotropic
																											etching,
																											for
																											example
																											KOH.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Schilderendaussicht
																											-
																											die
																											Ätze
																											kann
																											folgend
																											durchgeführt
																											werden:
																		
			
				
																						Final
																											label
																											look
																											-
																											etching
																											can
																											be
																											done:
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						Für
																											Gruppe
																											III-Nitride
																											gibt
																											es
																											darüberhinaus
																											keine
																											naßchemische
																											Ätze.
																		
			
				
																						For
																											group
																											III
																											nitrides,
																											furthermore,
																											there
																											exists
																											no
																											wet
																											chemical
																											etchant.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Anschließend
																											wird
																											das
																											Si-Substrat
																											mit
																											einer
																											anisotropen
																											Ätze,
																											z.B.
																											verdünnte
																											KOH-Lösung,
																											vollständig
																											entfernt.
																		
			
				
																						The
																											silicon
																											substrate
																											is
																											then
																											completely
																											removed
																											with
																											an
																											anisotropic
																											etch,
																											e.g.
																											dilute
																											KOH
																											solution.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Die
																											Ätze
																											aktiviert
																											die
																											Oberfläche
																											des
																											Produkts
																											…
																											und
																											ermöglicht
																											so
																											die
																											Galvanisierung
																											der
																											zweiten
																											Komponente.
																		
			
				
																						The
																											etch
																											activates
																											the
																											surface
																											of
																											the
																											product…
																											allowing
																											the
																											second-shot
																											material
																											to
																											plate.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						Zur
																											Herstellung
																											einer
																											gedruckten
																											Schaltung
																											wird
																											die
																											nun
																											freiliegende
																											Kupferschicht
																											der
																											Leiterplatte
																											anschließend
																											mit
																											einer
																											handelsüblichen
																											Ätze
																											entfernt.
																		
			
				
																						To
																											produce
																											a
																											printed
																											circuit,
																											the
																											copper
																											layer
																											of
																											the
																											printed
																											circuit
																											board,
																											which
																											is
																											now
																											bared,
																											is
																											then
																											removed
																											by
																											means
																											of
																											a
																											commercially
																											available
																											etching
																											solution.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Mit
																											S1,
																											S2
																											sind
																											zwei
																											Niveauschalter
																											bezeichnet,
																											die
																											in
																											Abhängigkeit
																											der
																											jeweiligen
																											Höhe
																											N1,
																											N2
																											der
																											regenerierten
																											Ätze
																											13
																											über
																											ein
																											Steuergerät
																											14
																											die
																											Zufuhr
																											des
																											Oxidationsgases
																											ein-
																											bzw.
																											ausschalten.
																		
			
				
																						Two
																											level
																											switches
																											S1
																											and
																											S2
																											are
																											operationally
																											positioned
																											so
																											that,
																											in
																											dependence
																											on
																											the
																											heights
																											N1
																											and
																											N2
																											of
																											the
																											regenerated
																											etching
																											solution
																											13,
																											the
																											switches
																											turn-on
																											or
																											turn-off
																											the
																											supply
																											of
																											the
																											oxidation
																											gas
																											via
																											a
																											control
																											device
																											14
																											operationally
																											coupled
																											to
																											valve
																											9.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Durch
																											Verwendung
																											einer
																											entsprechenden
																											Ätze
																											werden
																											das
																											Metall
																											und
																											eventuell
																											Reaktionsprodukte
																											selektiv
																											zum
																											Metallsilizid
																											entfernt,
																											so
																											daß
																											das
																											Metallsilizid
																											nur
																											auf
																											der
																											Gateelektrode
																											und
																											den
																											Source/Draingebieten
																											übrigbleibt.
																		
			
				
																						The
																											metal
																											and
																											potential
																											reaction
																											products
																											are
																											selectively
																											removed
																											vis-a-vis
																											the
																											metal
																											silicide
																											by
																											employing
																											an
																											appropriate
																											etchant,
																											so
																											that
																											the
																											metal
																											silicide
																											remains
																											only
																											on
																											the
																											gate
																											electrode
																											and
																											on
																											the
																											source/drain
																											regions.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Durch
																											die
																											transversalen
																											Kanäle
																											9
																											wird
																											im
																											folgenden
																											Schritt
																											mit
																											einer
																											selektiv
																											wirksamen
																											Ätze
																											die
																											Zwischenschicht
																											13
																											teilweise
																											weggeätzt.
																		
			
				
																						The
																											intermediate
																											layer
																											13
																											is
																											partially
																											etched
																											off
																											through
																											the
																											transversal
																											channels
																											9
																											in
																											the
																											following
																											step
																											with
																											a
																											selectively
																											acting
																											etchant.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Durch
																											diese
																											transversalen
																											Kanäle
																											9
																											hindurch
																											werden
																											mit
																											einer
																											selektiv
																											wirksamen
																											Ätze
																											die
																											Seitenbereiche
																											43
																											der
																											aktiven
																											Schicht
																											30
																											nach
																											innen
																											bis
																											zu
																											den
																											Spacerschichten
																											51
																											hin
																											weggeätzt.
																		
			
				
																						The
																											lateral
																											regions
																											43
																											of
																											the
																											active
																											layer
																											30
																											are
																											etched
																											away
																											in
																											inward
																											direction
																											up
																											to
																											spacer
																											layers
																											51
																											with
																											a
																											selectively
																											acting
																											etchant
																											through
																											these
																											transverse
																											channels
																											9.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Anschließend
																											werden
																											zunächst
																											die
																											PMMA-Strukturen
																											7a
																											mit
																											einem
																											organischen
																											Lösungsmittel
																											und
																											die
																											Kupferschichten
																											11
																											sowie
																											die
																											Elektrode
																											2a
																											mit
																											einer
																											Ätze,
																											welche
																											die
																											Nickelschichten
																											10
																											nicht
																											angreift,
																											entfernt,
																											so
																											daß
																											eine
																											Folge
																											von
																											gegeneinander
																											isolierten
																											Dynodenschichten,
																											die
																											fest
																											mit
																											den
																											elektrisch
																											isolierenden
																											Stützen
																											9
																											verbunden
																											sind,
																											verbleibt.
																		
			
				
																						Thereafter,
																											PMMA
																											structures
																											7a
																											are
																											removed
																											by
																											means
																											of
																											an
																											organic
																											solvent,
																											then
																											copper
																											layers
																											11
																											and
																											electrode
																											2a
																											are
																											removed
																											by
																											means
																											of
																											an
																											etching
																											substance
																											which
																											does
																											not
																											attack
																											the
																											nickel
																											layers
																											10
																											so
																											that
																											a
																											sequence
																											of
																											mutually
																											insulated
																											dynode
																											layers
																											10
																											remains
																											which
																											are
																											permanently
																											connected
																											with
																											the
																											electrically
																											insulating
																											supports
																											9.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Zur
																											Verringerung
																											der
																											Lichtreflexion
																											können
																											insbesondere
																											Grabenboden
																											und
																											gegebenenfalls
																											zumindest
																											bereichsweise
																											Wände
																											noch
																											besonders
																											strukturiert
																											sein,
																											wobei
																											die
																											bekannte
																											Texturierung
																											mittels
																											einer
																											eine
																											bestimmte
																											Kristallebene
																											bevorzugt
																											abtragenden
																											Ätze
																											nur
																											als
																											Beispiel
																											angeführt
																											werden
																											soll.
																		
			
				
																						To
																											reduce
																											the
																											light
																											reflection,
																											the
																											groove
																											bottom
																											in
																											particular
																											and
																											if
																											necessary
																											the
																											walls,
																											at
																											least
																											in
																											some
																											areas,
																											can
																											be
																											specially
																											structured
																											additionally,
																											with
																											the
																											known
																											texturing
																											method
																											using
																											an
																											etchant
																											preferably
																											removing
																											a
																											certain
																											crystal
																											plane
																											being
																											shown
																											only
																											as
																											an
																											example.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Das
																											Chlorgas
																											wird
																											nach
																											diesem
																											Verfahren
																											über
																											einen
																											Injektor
																											(Wasserstrahlpumpen-Prinzip)
																											direkt
																											in
																											die
																											Ätze
																											der
																											Ätzmaschine
																											eingeleitet,
																											wobei
																											das
																											einwertige
																											Kupfer(I)-lon
																											nach
																											der
																											folgenden
																											Gleichung
																											zu
																											Kupfer(II)-lon
																											oxidiert
																											wird:
																		
			
				
																						The
																											chlorine
																											gas,
																											according
																											to
																											this
																											scheme,
																											is
																											introduced
																											directly
																											into
																											the
																											etchant
																											solution
																											of
																											an
																											etching
																											machine
																											via
																											an
																											injector
																											(water
																											jet-pump
																											principle)
																											whereby
																											the
																											univalent
																											copper
																											(I)
																											ion
																											is
																											oxidized
																											into
																											the
																											divalent
																											copper
																											(II)
																											ion
																											in
																											accordance
																											with
																											the
																											following
																											equation:
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Die
																											Ätze
																											enthält
																											Clorwasserstoff.
																		
			
				
																						The
																											etch
																											contains
																											hydrogen
																											chloride.
															 
				
		 EuroPat v2