Translation of "Einsatzspannung" in English

Diese Aufladeströme wurden bei Gleichspannungen unterhalb der erforderlichen Einsatzspannung der Gleichspannungselektrode gemessen.
These charging currents were measured with DC voltages below the required operating voltage of the DC voltage electrode.
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Der Feldeffekttransistor ist daher bezüglich seiner Einsatzspannung von Schwankungen der Substratvorspannung weitgehend unabhängig.
Therefore, the field effect transistor, with respect to its partial voltage, is largely independent of fluctuations of the substrate bias voltage.
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Die Einsatzspannung wiederum läßt sich durch die Dicke der Isolierschicht 7 bestimmen.
The cut-off voltage, in turn, may be determined by the thickness of the insulating film 7.
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Sie kann größer sein als die Einsatzspannung in der Ausführung nach Fig.
It may be greater than the cut-off voltage in the construction according to FIG.
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Gleichzeitig wird mit der Phosphor- oder Arsen-Implantation 7 die Einsatzspannung der p-Kanal-Transistoren eingestellt.
Simultaneously, the threshold voltage of p-channel transistor is set with the ion implantation 7, preferably phosphorus or arsenic.
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Dieser Effekt wirkt auf die Transistoreigenschaften wie eine hohe Einsatzspannung und kleine Beweglichkeit.
The effect this has on the transistor properties is that of a high threshold voltage and low mobility.
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Figur 3 zeigt den Fall einer im ganzen Kanal erhöhten Einsatzspannung.
FIG. 3 shows the case where the threshold voltage is increased in the entire channel.
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So beobachtet man keine Verschiebung ihrer Einsatzspannung zu negativen Werten.
One thus observes no shift of its cutoff voltage toward negative values.
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Alternativ kann die Einsatzspannung der zweiten Auswahltransistoren durch eine spezielle Kanalimplantation eingestellt werden.
Alternatively, the threshold voltage of the second selection transistors can be set by specific channel implantation.
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Die Einsatzspannung des MOSFETs SU sollte bei ca. 4 bis 5 Volt liegen.
The threshold voltage of the MOSFET SU should be approximately 4 to 5 volts.
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Zum Zeitpunkt t 2 ist die Einsatzspannung des ersten Halbleiterschalters 2 erreicht.
At time t 2 the threshold voltage of first semiconductor switch 2 is reached.
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Durch die Stärke der Dotierung wird die Einsatzspannung der späteren MOSFETS eingestellt.
The switch-on voltage of the subsequent MOSFETs is varied by the intensity of the doping.
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Die Wanne WA legt eine Einsatzspannung der vertikalen Transistoren fest.
The well WA defines a threshold voltage of the vertical transistors.
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Auch die Höhe der Einsatzspannung V th0 der MOS-Transistoren spielt keine grundsätzliche Rolle.
Moreover, the magnitude of the threshold voltage V th0 of the MOS transistors does not play a fundamental part.
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Dadurch wird zum einen die Einsatzspannung durch eine p-Ausdiffusion in die Zwischenzellenzone eingestellt.
As a result, on one hand the threshold voltage is set by p-outward diffusion in the intermediate cell zone.
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3V, was eine ebenso große Verschiebung in der Einsatzspannung bedeutet.
3 V, which implies an equally large shift in the operating voltage.
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Beim Auslesen der Speicherzelle wird festgestellt, ob die Einsatzspannung verschoben ist oder nicht.
When reading from the memory cell, a determination is made as to whether or not the threshold voltage is shifted.
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Damit wird dann die Spannung an 17 auf den Wert der niedrigen Einsatzspannung begrenzt.
The voltage at the output 17 is therefore limited to the value of the low threshold voltage.
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Mit der flachen Bor-Implantation und niedrigeren Dosis wird im Gebiet 8 die Einsatzspannung des Transistors eingestellt.
The threshold voltage of the transistor is set in the region 8 with the flat boron implantation and the lower dose.
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Grobkörnigeres Zinkoxid bewirkt in Varistoren, dass diese eine relativ niedrige Einsatzspannung für den Varistoreffekt haben.
More coursely grained zinc oxide causes varistors containing such course-grained zinc oxide to have relatively low threshold voltage for the varistor effect.
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Zur Einstellung der Einsatzspannung ist es möglich, die Kanalgebiete durch schräge Implantation zu dotieren.
In order to set the threshold voltage, it is possible to dope the channel regions by means of inclined implantation.
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Die Einsatzspannung des gemeinsamen ersten Auswahltransistors wird über die Dotierung der ersten p-dotierten Siliziumschicht 14 eingestellt.
The threshold voltage of the common first selection transistor is set by way of the doping of the first p-doped silicon layer 14 .
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Die Einsatzspannung der zweiten Auswahltransistoren wird über die Dotierung der zweiten p-dotierten Siliziumschicht 15 eingestellt.
The threshold voltage of the second selection transistors is set by way of the doping of the second p-doped silicon layer 15 .
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Vereinfacht ausgedrückt bedeutet dies, daß die Einsatzspannung VT nahe Zellenanschluß 1 lokal erhöht ist.
In simple terms, this means that the threshold voltage VT near to the cell connection 1 is locally increased.
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Durch die relativ geringe Dotierung an der Oberfläche kann die Einsatzspannung niedrig gehalten werden.
The cutoff voltage can be kept low due to the relatively low doping.
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Damit wird dann die Spannung am Knoten 17 auf den Wert der niedrigen Einsatzspannung be­grenzt.
As a result, the voltage across the node 17 is limited to the value of the low start voltage.
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Die Kanalimplantation muß entsprechend der Austrittsarbeit des verwendeten p?-Poly­zids für die jeweilig einzustellende Einsatzspannung an­gepaßt werden.
The channel implantation should be in accordance with the work function of the p+ -polycide for the threshold voltage to be set.
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Die Einsatzspannung des als Nullschalters arbeitenden Transistors 9 wird durch die Zenerdiode 15 bestimmt.
The cutoff voltage of transistor 9, which works as a zero switch, is determined by the Zener diode 15.
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Grobkörnigeres Zinkoxid bewirkt in Varistoren, daß diese relativ niedrige Einsatzspannung für den Varistoreffekt haben.
More coursely grained zinc oxide causes varistors containing such course-grained zinc oxide to have relatively low threshold voltage for the varistor effect.
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