Translation of "Grabentiefe" in English
																						Die
																											Grabentiefe
																											von
																											etwa
																											40
																											um
																											entspricht
																											der
																											späteren
																											Leiterzugdicke.
																		
			
				
																						The
																											trench
																											depth
																											of
																											about
																											40
																											?m
																											correspondends
																											to
																											the
																											future
																											conductor
																											thickness.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Auf
																											diese
																											Weise
																											wird
																											die
																											Reproduzierbarkeit
																											der
																											Grabentiefe
																											verbessert.
																		
			
				
																						In
																											this
																											way,
																											the
																											replicability
																											of
																											the
																											trench
																											depth
																											is
																											improved.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Die
																											Grabentiefe
																											von
																											etwa
																											40
																											pm
																											entspricht
																											der
																											späteren
																											Leiterzugdicke.
																		
			
				
																						The
																											trench
																											depth
																											of
																											about
																											40
																											?m
																											correspondends
																											to
																											the
																											future
																											conductor
																											thickness.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Dieses
																											Markup
																											ist
																											der
																											Maßstab,
																											an
																											dem
																											gräbt
																											eine
																											Grabentiefe
																											erforderlich.
																		
			
				
																						This
																											markup
																											is
																											the
																											benchmark
																											by
																											which
																											digs
																											a
																											trench
																											depth
																											required.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						Die
																											Grabentiefe
																											liegt
																											wiederum
																											innerhalb
																											des
																											oben
																											angegebenen
																											Bereichs.
																		
			
				
																						The
																											trench
																											depth
																											in
																											turn
																											lies
																											within
																											the
																											range
																											specified
																											above.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Der
																											Fahrer
																											hat
																											jederzeit
																											die
																											volle
																											Kontrolle
																											über
																											die
																											Grabentiefe.
																		
			
				
																						The
																											operator
																											has
																											full
																											control
																											of
																											the
																											trenching
																											depth
																											at
																											all
																											times.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						Sie
																											sollte
																											vorzugsweise
																											etwa
																											doppelt
																											so
																											dick
																											sein
																											wie
																											die
																											gewünschte
																											Grabentiefe
																											im
																											Silicium.
																		
			
				
																						Layer
																											2
																											should
																											preferably
																											be
																											about
																											twice
																											as
																											thick
																											as
																											the
																											desired
																											trench
																											depth
																											in
																											the
																											silicon.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Es
																											werden
																											zwei
																											gegenüberliegende
																											Teile
																											(Seiten)
																											der
																											Grabenwand
																											bis
																											zur
																											selben
																											Grabentiefe
																											implantiert.
																		
			
				
																						Two
																											opposite
																											parts
																											(sides)
																											of
																											the
																											trench
																											wall
																											are
																											implanted
																											down
																											to
																											the
																											same
																											trench
																											depth.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Durch
																											den
																											Implantationswinkel
																											in
																											Kombination
																											mit
																											der
																											Breite
																											des
																											Grabens
																											ergibt
																											sich,
																											bis
																											zu
																											welcher
																											Grabentiefe
																											die
																											Grabenwand
																											dotiert
																											wird,
																											und
																											damit,
																											welche
																											Kanallänge
																											(nicht-implantierter
																											mittlerer
																											Bereich
																											der
																											Grabenwand)
																											verbleibt.
																		
			
				
																						The
																											implantation
																											angle
																											in
																											combination
																											with
																											the
																											width
																											of
																											the
																											trench
																											determines
																											to
																											what
																											trench
																											depth
																											the
																											trench
																											wall
																											is
																											doped,
																											and
																											thus
																											what
																											channel
																											length
																											(non-implanted
																											middle
																											region
																											of
																											the
																											trench
																											wall)
																											remains.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Obwohl
																											das
																											Ätzverfahren
																											aufwendiger
																											ist
																											und
																											zudem
																											eine
																											Ätzmaske
																											und
																											Lithografieschritte
																											benötigt
																											werden,
																											hat
																											es
																											den
																											Vorteil
																											einer
																											genaueren
																											und
																											gleichmäßigeren
																											Definition
																											der
																											Grabentiefe.
																		
			
				
																						Although
																											the
																											etching
																											method
																											is
																											more
																											involved
																											and
																											requires
																											an
																											etching
																											template
																											and
																											lithographic
																											steps,
																											it
																											has
																											the
																											advantage
																											of
																											a
																											more
																											accurate
																											and
																											more
																											uniform
																											definition
																											of
																											the
																											trench
																											depth.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Die
																											Verwendung
																											einer
																											Hartmaske
																											hat
																											den
																											Vorteil,
																											daß
																											der
																											erste
																											Graben
																											beziehungsweise
																											der
																											zweite
																											Graben
																											mit
																											einer
																											großen
																											Grabentiefe
																											gebildet
																											werden
																											kann.
																		
			
				
																						The
																											use
																											of
																											a
																											hard
																											mask
																											has
																											the
																											advantage
																											that
																											the
																											first
																											trench
																											and/or
																											the
																											second
																											trench
																											can
																											be
																											formed
																											with
																											a
																											large
																											trench
																											depth.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Die
																											Ätzung
																											zur
																											Bildung
																											des
																											ersten
																											Grabens
																											5
																											und
																											des
																											zweiten
																											Grabens
																											7
																											wird
																											beispielsweise
																											anisotrop
																											durchgeführt,
																											um
																											einen
																											Graben
																											mit
																											hohem
																											Aspektverhältnis
																											(Grabentiefe
																											zu
																											Grabendurchmesser)
																											zu
																											bilden.
																		
			
				
																						The
																											etching
																											for
																											forming
																											the
																											first
																											trench
																											5
																											and
																											the
																											second
																											trench
																											7
																											is
																											carried
																											out
																											anisotropically,
																											for
																											example,
																											in
																											order
																											to
																											form
																											a
																											trench
																											having
																											a
																											high
																											aspect
																											ratio
																											(trench
																											depth
																											to
																											trench
																											diameter).
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Der
																											Erfindung
																											liegt
																											deshalb
																											die
																											Aufgabe
																											zugrunde,
																											unter
																											Verwendung
																											der
																											dreidimensionalen
																											Integration
																											der
																											Bauelemente
																											eine
																											1-Transistorzellenanordnung
																											mit
																											beherrschbarer
																											Grabentiefe
																											für
																											dynamische
																											Halbleiterspeicher
																											anzugeben,
																											bei
																											der
																											neben
																											einer
																											Optimierung
																											der
																											elektrischen
																											Parameter,
																											unter
																											anderem
																											bezüglich
																											Unempfindlichkeit
																											gegenüber
																											Herstelltoleranzen,
																											sowie
																											der
																											Minimierung
																											von
																											Degradationseffekten
																											im
																											Langzeitbetrieb,
																											eine
																											weitere
																											Reduzierung
																											der
																											Speicher-Zellfläche
																											möglich
																											ist.
																		
			
				
																						The
																											present
																											invention
																											employs
																											a
																											three-dimensional
																											integration
																											of
																											the
																											component
																											parts,
																											whereby
																											there
																											is
																											provided
																											a
																											1
																											transistor
																											cell
																											arrangement
																											comprising
																											a
																											manageable
																											trench
																											depth
																											for
																											dynamic
																											semiconductor
																											memories
																											where,
																											in
																											addition
																											to
																											an
																											optimization
																											of
																											the
																											electrical
																											parameters
																											with
																											respect
																											to,
																											among
																											other
																											things,
																											a
																											lower
																											dependence
																											on
																											manufacturing
																											tolerances
																											as
																											well
																											as
																											a
																											minimization
																											of
																											degradation
																											effects
																											in
																											long
																											term
																											operation,
																											a
																											further
																											reduction
																											of
																											the
																											memory
																											cell
																											area
																											is
																											possible.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Die
																											Folge
																											dieser
																											Massnahme
																											ist
																											jedoch,
																											dass
																											das
																											erreichbare
																											Verhältnis
																											von
																											Grabentiefe
																											zu
																											Grabenbreite
																											sich
																											noch
																											weiter
																											verkleinert.
																		
			
				
																						However,
																											the
																											consequence
																											of
																											the
																											latter
																											action
																											is
																											further
																											degradation
																											of
																											the
																											groove
																											depth
																											to
																											groove
																											width
																											ratio.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Sie
																											erfüllt
																											ihre
																											Funktion
																											erst,
																											wenn
																											gemäß
																											der
																											Erfindung
																											eine
																											zweite
																											Verbauvorrichtung
																											in
																											die
																											zuvor
																											beschriebene
																											erste
																											Verbauvorrichtung
																											eingesetzt
																											und
																											durch
																											diese
																											hindurch
																											in
																											eine
																											größere
																											Grabentiefe
																											eingebaut
																											wird.
																		
			
				
																						It
																											performs
																											its
																											function
																											only
																											when,
																											in
																											accordance
																											with
																											the
																											invention,
																											a
																											second
																											shoring
																											device
																											is
																											inserted
																											into
																											the
																											above-described
																											first
																											shoring
																											device
																											and
																											is
																											installed
																											therethrough
																											to
																											a
																											greater
																											trench
																											depth.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Insbesondere
																											erhält
																											man
																											mit
																											dem
																											hier
																											beschriebenen
																											Verfahren
																											einwandfreie
																											Ränder
																											der
																											M
																											usterelemente
																											und
																											das
																											Verhältnis
																											von
																											Grabentiefe
																											zur
																											Grabenbreite
																											kann
																											hoch
																											sein.
																		
			
				
																						The
																											method
																											described
																											here
																											permits
																											in
																											particular
																											perfect
																											edges
																											of
																											the
																											pattern
																											elements,
																											and
																											the
																											ratio
																											of
																											groove
																											depth
																											to
																											groove
																											width
																											can
																											be
																											high.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Ein
																											ähnlich
																											ungünstiger
																											Konzentrationsgradient
																											wird
																											bei
																											der
																											Diffusion
																											aus
																											PSG-Schichten
																											nach
																											dem
																											oben
																											erwähnten
																											Verfahren
																											als
																											Folge
																											einer
																											mit
																											zunehmender
																											Grabentiefe
																											dünner
																											werdenden
																											PSG-Schicht
																											erzielt.
																		
			
				
																						A
																											similarly
																											unfavorable
																											concentration
																											gradient
																											occurs
																											when
																											PSG
																											layers
																											are
																											diffused
																											in
																											accordance
																											with
																											the
																											above
																											described
																											process
																											due
																											to
																											the
																											fact
																											that
																											the
																											PSG
																											layer
																											becomes
																											thinner
																											with
																											increasing
																											trench
																											depth.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Dreidimensionale
																											1-Transistorzellenanordnung
																											nach
																											Anspruch
																											1,
																											dadurch
																											gekennzeichnet,
																											daß
																											die
																											Tiefe
																											der
																											asymmetrischen
																											Erweiterung
																											(3)
																											der
																											Grabenöffnung
																											auf
																											maximal
																											20
																											%
																											der
																											Grabentiefe
																											und
																											die
																											Erweiterung
																											auf
																											maximal
																											50
																											%
																											des
																											Grabenquerschnittes
																											eingestellt
																											wird.
																		
			
				
																						The
																											three-dimensional,
																											one-transistor
																											cell
																											arrangement
																											of
																											claim
																											1
																											wherein
																											the
																											depth
																											of
																											the
																											asymmetrical
																											expansion
																											of
																											the
																											trench
																											opening
																											is
																											less
																											than
																											or
																											equal
																											to
																											approximately
																											20%
																											of
																											the
																											trench
																											depth
																											and
																											the
																											expansion
																											is
																											less
																											than
																											or
																											equal
																											to
																											approximately
																											50%
																											of
																											the
																											trench
																											cross-section.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Dreidimensionale
																											1-Transistorzellenanordnung
																											nach
																											einem
																											der
																											Ansprüche
																											1
																											bis
																											3,
																											dadurch
																											gekennzeichnet,
																											daß
																											die
																											asymmetrische
																											Erweiterung
																											(3)
																											der
																											Grabenöffnung
																											im
																											Substrat
																											(1)
																											auf
																											ca.
																											0,4
																											µm
																											und
																											ca.
																											1
																											µm
																											Tiefe
																											bei
																											einer
																											Grabentiefe
																											(2)
																											im
																											Bereich
																											von
																											4
																											bis
																											6
																											µm
																											eingestellt
																											wird.
																		
			
				
																						The
																											three-dimensional,
																											one-transistor
																											cell
																											arrangement
																											of
																											claim
																											1
																											wherein
																											the
																											asymmetrical
																											expansion
																											of
																											the
																											trench
																											opening
																											in
																											the
																											substrate
																											is
																											approximately
																											0.4
																											?m
																											and
																											having
																											a
																											depth
																											of
																											approximately
																											1
																											?m
																											given
																											a
																											trench
																											depth
																											between
																											approximately
																											4
																											to
																											about
																											6
																											?m.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						An
																											der
																											Unterseite
																											des
																											hergestellten
																											Grabentiefe
																											von
																											25-30
																											cm
																											ist
																											notwendig,
																											eine
																											Tonschicht
																											(ca.
																											10
																											cm)
																											zu
																											bringen.
																		
			
				
																						At
																											the
																											bottom
																											of
																											the
																											prepared
																											trench
																											depth
																											of
																											25-30
																											cm
																											is
																											necessary
																											to
																											put
																											a
																											layer
																											of
																											clay
																											(about
																											10
																											cm).
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						Tecnoagri
																											vorschlagt
																											eine
																											weite
																											Auswahlmodelle
																											(E
																											/
																											F)
																											mit
																											ein
																											Grabentiefe
																											von
																											150
																											bis
																											360
																											cm.
																		
			
				
																						Tecnoagri
																											offers
																											you
																											a
																											wide
																											range
																											of
																											models
																											(E/F)
																											with
																											digging
																											depths
																											from
																											150
																											to
																											360
																											cm.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						Wichtig:
																											Die
																											Tiefe
																											des
																											Grabens
																											ist
																											abhängig
																											von
																											der
																											Bodenart:
																											für
																											Sandstein
																											Aquifer
																											mit
																											der
																											Tiefe
																											mehr
																											als
																											2
																											Meter
																											ausreichen,
																											um
																											eine
																											Grabentiefe
																											von
																											30-40
																											cm
																											zu
																											graben,
																											und
																											in
																											anderen
																											Fällen
																											wird
																											auf
																											einen
																											angemessenen
																											Abstand
																											zu
																											gehen.
																		
			
				
																						Important:
																											The
																											depth
																											of
																											the
																											trench
																											depends
																											on
																											the
																											type
																											of
																											soil:
																											for
																											sandstone
																											aquifer
																											with
																											depth
																											more
																											than
																											2
																											meters
																											will
																											be
																											enough
																											to
																											dig
																											a
																											trench
																											depth
																											of
																											30-40
																											cm,
																											and
																											in
																											other
																											cases
																											will
																											have
																											to
																											go
																											to
																											a
																											decent
																											distance.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						Um
																											zu
																											bestimmen,
																											haften
																											der
																											Neigungswinkel
																											der
																											folgenden
																											Regel:
																											je
																											zehn
																											Meter
																											von
																											der
																											Route
																											der
																											Grabentiefe
																											erhöht
																											werden
																											sollte,
																											um
																											einen
																											halben
																											Meter.
																		
			
				
																						To
																											determine
																											the
																											slope
																											angle
																											adhere
																											to
																											the
																											following
																											rule:
																											for
																											every
																											ten
																											meters
																											of
																											the
																											route
																											of
																											the
																											trench
																											depth
																											should
																											be
																											increased
																											by
																											half
																											a
																											meter.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						So
																											graben
																											eine
																											Grabentiefe
																											von
																											0,7
																											m
																											bis
																											1
																											m
																											(unter
																											dem
																											Gefrierpunkt
																											Boden),
																											eine
																											Breite
																											von
																											0,5
																											-.
																		
			
				
																						So
																											dig
																											a
																											trench
																											depth
																											of
																											0.7
																											m
																											to
																											1
																											m
																											(below
																											freezing
																											soil),
																											a
																											width
																											of
																											0.5
																											-.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						Jedoch
																											wird
																											die
																											Aussparung
																											für
																											den
																											Drainbereich
																											zunächst
																											nur
																											bis
																											zur
																											gleichen
																											Tiefe
																											geätzt
																											wie
																											die
																											Aussparungen
																											für
																											die
																											Gatebereiche
																											136,
																											138,
																											d.h.
																											weniger
																											als
																											die
																											halbe
																											Grabentiefe
																											des
																											Grabens
																											134
																											tief.
																		
			
				
																						However,
																											the
																											cutout
																											for
																											the
																											drain
																											region
																											is
																											first
																											etched
																											only
																											to
																											the
																											same
																											depth
																											as
																											the
																											cutouts
																											for
																											the
																											gate
																											regions
																											136,
																											138,
																											i.e.
																											to
																											a
																											depth
																											of
																											less
																											than
																											half
																											the
																											trench
																											depth
																											of
																											the
																											trench
																											134
																											.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Um
																											ein
																											Maximum
																											an
																											Homogenität
																											der
																											Grabentiefe
																											und
																											zugleich
																											eine
																											minimale
																											Rauhigkeit
																											der
																											Grabenböden
																											(27)
																											zu
																											erzielen,
																											kann
																											für
																											den
																											Formwafer
																											21
																											anstelle
																											des
																											Standard
																											Siliziumwafers
																											ein
																											SOI-Wafer
																											(Silicon
																											on
																											insulator
																											-
																											Wafer)
																											entsprechender
																											Dicke
																											verwendet
																											werden,
																											wobei
																											die
																											Gräben
																											23
																											bis
																											auf
																											die
																											verborgene
																											Oxidschicht
																											geätzt
																											werden.
																		
			
				
																						To
																											maximize
																											homogeneity
																											of
																											groove
																											depth
																											and
																											at
																											the
																											same
																											time
																											to
																											minimize
																											roughness
																											on
																											the
																											groove
																											bottoms
																											(27),
																											an
																											SOI
																											wafer
																											(silicon
																											on
																											insulator
																											wafer)
																											of
																											equivalent
																											thickness
																											can
																											be
																											used
																											for
																											the
																											patterned
																											wafer
																											21
																											instead
																											of
																											the
																											standard
																											silicon
																											wafer,
																											the
																											grooves
																											23
																											being
																											etched
																											up
																											to
																											the
																											concealed
																											oxide
																											layer.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Die
																											Grabentiefe
																											geht
																											somit
																											zumindest
																											durch
																											die
																											beiden
																											n-
																											und
																											p-dotierten
																											Teilschichten
																											sowie
																											die
																											aktive
																											Schicht
																											der
																											Schichtenfolge.
																		
			
				
																						The
																											trench
																											depth
																											therefore
																											passes
																											at
																											least
																											through
																											the
																											two
																											n-doped
																											and
																											p-doped
																											sublayers
																											as
																											well
																											as
																											the
																											active
																											layer
																											in
																											the
																											layer
																											sequence.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Aufgrund
																											der
																											höhenmodulierten
																											Oberseite
																											6
																											weist
																											die
																											Mehrschichtstruktur
																											7
																											erste
																											Abschnitte
																											11,
																											die
																											in
																											den
																											Gräben
																											4
																											gebildet
																											sind,
																											sowie
																											zweite
																											Abschnitte
																											12,
																											die
																											auf
																											den
																											Stegen
																											5
																											gebildet
																											sind,
																											auf,
																											die
																											zueinander
																											in
																											einer
																											Modulationsrichtung
																											P2
																											senkrecht
																											zur
																											ersten
																											Richtung
																											P1
																											jeweils
																											um
																											die
																											Grabentiefe
																											t,
																											die
																											auch
																											als
																											Modulationstiefe
																											bezeichnet
																											werden
																											kann,
																											versetzt
																											sind.
																		
			
				
																						Due
																											to
																											the
																											height-modulated
																											upper
																											side
																											6
																											the
																											multilayer
																											structure
																											7
																											has
																											first
																											portions
																											11
																											which
																											are
																											formed
																											in
																											the
																											trenches
																											4
																											as
																											well
																											as
																											second
																											portions
																											12
																											which
																											are
																											formed
																											on
																											the
																											bars
																											5,
																											which
																											portions
																											are
																											disposed
																											mutually
																											offset
																											in
																											a
																											modulation
																											direction
																											P
																											2
																											perpendicular
																											to
																											the
																											first
																											direction
																											P
																											1,
																											in
																											each
																											case
																											by
																											the
																											trench
																											depth
																											t
																											which
																											can
																											also
																											be
																											referred
																											to
																											as
																											the
																											modulation
																											depth.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Wie
																											in
																											der
																											Schnittdarstellung
																											in
																											der
																											nicht
																											unter
																											die
																											Erfindung
																											fallenden
																											Figur
																											2
																											zu
																											entnehmen
																											ist,
																											die
																											vergrößert
																											einen
																											Teil
																											des
																											Sicherheitselementes
																											1
																											entlang
																											der
																											Schnittlinie
																											A-A
																											von
																											Figur
																											1
																											zeigt,
																											umfasst
																											das
																											Sicherheitselement
																											1
																											einen
																											Träger
																											3,
																											in
																											dessen
																											Oberseite
																											6
																											in
																											einer
																											ersten
																											Richtung
																											P1
																											periodisch
																											angeordnete
																											Gräben
																											4
																											mit
																											einer
																											Grabentiefe
																											t
																											ausgebildet
																											sind.
																		
			
				
																						As
																											can
																											be
																											inferred
																											from
																											the
																											sectional
																											view
																											in
																											FIG.
																											2,
																											which
																											shows
																											in
																											an
																											enlarged
																											fashion
																											a
																											part
																											of
																											the
																											security
																											element
																											1
																											along
																											the
																											sectional
																											line
																											A-A
																											of
																											FIG.
																											1,
																											the
																											security
																											element
																											1
																											comprises
																											a
																											carrier
																											3
																											in
																											whose
																											upper
																											side
																											6
																											there
																											are
																											formed
																											in
																											a
																											first
																											direction
																											P
																											1
																											periodically
																											disposed
																											trenches
																											4
																											with
																											a
																											trench
																											depth
																											t.
															 
				
		 EuroPat v2