Translation of "Gut dotiert" in English
																						Das
																											neue
																											Kloster
																											wurde
																											von
																											Beginn
																											an
																											gut
																											dotiert.
																		
			
				
																						The
																											memorial
																											has
																											been
																											well
																											received
																											from
																											the
																											outset.
															 
				
		 WikiMatrix v1
			
																						Solche
																											Praktika
																											sind
																											in
																											der
																											Regel
																											schon
																											vor
																											dem
																											Studienabschluss
																											außergewöhnlich
																											gut
																											dotiert.
																		
			
				
																						These
																											placements
																											are
																											usually
																											extremely
																											well
																											paid
																											even
																											before
																											you
																											complete
																											the
																											course.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						Die
																											Aufgabe,
																											die
																											Sie
																											erwartet
																											ist
																											spannend,
																											interessant,
																											abwechslungsreich
																											und
																											entsprechend
																											gut
																											dotiert.
																		
			
				
																						The
																											task
																											that
																											awaits
																											you
																											is
																											exciting,
																											interesting,
																											varied
																											and
																											accordingly
																											well
																											endowed.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						In
																											einer
																											Ausführungsform
																											der
																											Erfindung
																											liegen
																											die
																											Transportenergieniveaulagen
																											(HOMO
																											bzw.
																											LUMO)
																											des
																											transparenten
																											Transportschichtsystems
																											so,
																											dass
																											es
																											gut
																											dotiert
																											werden
																											kann.
																		
			
				
																						In
																											one
																											embodiment
																											of
																											the
																											invention,
																											the
																											transport
																											energy
																											level
																											positions
																											(HOMO
																											and
																											LUMO)
																											of
																											the
																											transparent
																											transport
																											layer
																											system
																											are
																											such
																											that
																											the
																											latter
																											can
																											be
																											well
																											doped.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Während
																											VIP-Mitglieder
																											haben
																											eine
																											Menge
																											zu
																											freue
																											mich
																											auf
																											mehr
																											casual
																											Wettern
																											sind
																											nicht
																											so
																											gut
																											mit
																											Promotions
																											dotiert.
																		
			
				
																						While
																											VIP
																											members
																											have
																											a
																											lot
																											to
																											look
																											forward
																											to,
																											more
																											casual
																											bettors
																											aren't
																											so
																											well
																											endowed
																											with
																											promotions.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						Die
																											Erfindung
																											betrifft
																											einen
																											Feldeffekttransistor
																											mit
																											einer
																											Schichtenfolge
																											aus
																											einem
																											halbisolierenden
																											Substrat,
																											aus
																											einer
																											epitaktisch
																											aufgewachsenen
																											undotierten
																											Gallium-Aluminium-Arsenid-
																											oder
																											Gallium-Arsenid-Buffer-Schicht
																											und
																											aus
																											einer
																											Kanalschicht,
																											aus
																											einem
																											gut
																											leitenden
																											dotierten
																											Gallium-Arsenid,
																											auf
																											der
																											für
																											die
																											Sourceelektrode
																											und
																											Drainelektrode
																											im
																											seitlichen
																											Abstand
																											voneinander
																											metallisch
																											beschichtete
																											Gallium-Arsenid-Deckschichtstreifen
																											aufgebracht
																											sind,
																											zwischen
																											denen
																											sich
																											als
																											Gateelektrode
																											ein
																											unmittelbar
																											auf
																											der
																											Kanalschicht
																											aufgetragener
																											Metallstreifen
																											befindet.
																		
			
				
																						The
																											invention
																											relates
																											to
																											a
																											field
																											effect
																											transistor
																											with
																											a
																											layer
																											sequence
																											of
																											a
																											semi-insulating
																											substrate,
																											of
																											an
																											epitactically
																											grown
																											undoped
																											gallium-aluminum-arsenide
																											or
																											gallium-arsenide
																											buffer
																											layer
																											and
																											of
																											a
																											channel
																											layer,
																											of
																											a
																											well-conducting
																											doped
																											gallium-arsenide,
																											on
																											which
																											for
																											the
																											source
																											electrode
																											and
																											drain
																											electrode
																											there
																											are
																											applied
																											in
																											lateral
																											spacing
																											from
																											one
																											another
																											metallically
																											coated
																											gallium-arsenide
																											cover
																											layer
																											strips,
																											between
																											which
																											as
																											gate
																											electrode
																											there
																											is
																											present
																											a
																											metal
																											strip
																											applied
																											directly
																											to
																											the
																											channel
																											layer.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Weiterhin
																											betrifft
																											die
																											Erfindung
																											ein
																											Verfahren
																											zum
																											Herstellen
																											eines
																											Feldeffekttransistors,
																											bei
																											dem
																											auf
																											einer
																											als
																											Substrat
																											dienenden
																											Gallium-Arsenid-Scheibe
																											epitaktisch
																											eine
																											Buffer-Schicht
																											aus
																											Gallium-Arsenid
																											oder
																											Gallium-Aluminium-Arsenid
																											und
																											anschließend
																											epitaktisch
																											eine
																											leitende
																											Kanalschicht
																											aus
																											mit
																											Silizium
																											dotiertem
																											Gallium-Arsenid
																											aufgebracht
																											wird,
																											bevor
																											für
																											die
																											Source-
																											und
																											Drainelektroden
																											eine
																											Deckschicht
																											aus
																											gut
																											leitendem,
																											dotiertem
																											Gallium-Arsenid
																											mit
																											einer
																											strukturierten
																											metallischen
																											Aufdampfung
																											erzeugt
																											wird,
																											wobei
																											die
																											Deckschicht
																											zwischen
																											der
																											Source-
																											und
																											der
																											Drainelektrode
																											vor
																											dem
																											Aufbringen
																											der
																											Gateelektrode
																											bis
																											zur
																											Kanalschicht
																											abgeätzt
																											wird.
																		
			
				
																						Further,
																											the
																											invention
																											relates
																											to
																											a
																											process
																											for
																											producing
																											a
																											field
																											effect
																											transistor,
																											in
																											which
																											to
																											a
																											gallium-arsenide
																											plate
																											serving
																											as
																											substrate,
																											there
																											is
																											applied
																											a
																											buffer
																											layer
																											of
																											gallium-arsenide
																											or
																											gallium-aluminum-arsenide
																											and
																											thereupon
																											epitactically
																											a
																											conducting
																											channel
																											layer
																											of
																											gallium-arsenide
																											doped
																											with
																											silicon
																											before,
																											for
																											the
																											source-
																											and
																											drain
																											electrodes-
																											there
																											is
																											generated
																											a
																											cover
																											layer
																											of
																											a
																											well-conducting,
																											doped
																											gallium-arsenide
																											with
																											a
																											structured
																											metal
																											vaporizing-on,
																											in
																											which
																											system
																											the
																											cover
																											layer
																											is
																											etched
																											off
																											between
																											the
																											source
																											electrode
																											and
																											the
																											drain
																											electrode
																											up
																											to
																											the
																											channel
																											layer
																											before
																											the
																											applying
																											of
																											the
																											gate
																											electrode.
															 
				
		 EuroPat v2