Translation of "Hohlraumfrei" in English
Das
Vlies
wird
satt
im
Harz
eingebettet
und
dabei
falten-
und
hohlraumfrei
angedrückt.
The
fleece
is
embedded
and
saturated
in
the
resin
and
pressed
down
to
remove
all
creases
and
voids.
ParaCrawl v7.1
Bevorzugt
ist
der
Bereich
zwischen
Sensorelement
(3)
und
Trägerelement
(5)
hohlraumfrei.
The
area
between
the
sensor
element
(3)
and
the
carrier
element
(5)
is
preferably
cavity-free.
EuroPat v2
Bevorzugt
ist
der
Bereich
zwischen
Sensorelement
(3)
und
Protektorelement
(4)
hohlraumfrei.
The
area
between
the
sensor
element
(3)
and
the
protector
element
(4)
is
preferably
cavity-free.
EuroPat v2
Salz
greift
die
meisten
Baustoffe
an,
alle
Bauelemente
sind
daher
vollständig
offen
und
hohlraumfrei
ausgeführt.
Salt
is
corrosive
for
most
building
materials,
so
all
components
are
completely
open
to
the
air
and
cavity-free.
ParaCrawl v7.1
Falls
weitere
Leitungselemente
eingebracht
werden,
müßten
diese
entweder
hohlraumfrei
sein
oder
ebenfalls
mit
einer
entsprechenden
Füllmasse
versehen
werden.
If
additional
line
elements
are
introduced,
they
must
either
be
free
of
cavities
or
must
also
be
provided
with
a
corresponding
filling
compound.
EuroPat v2
Der
Prothesenkörper
1
setzt
sich
aus
einer
weich-elastischen
Silikonkautschukmasse
7
und
einem
Beutel
aus
zwei
längs
des
Prothesenrandes
4
dicht
miteinander
verschweißten,
elastisch
dehnbaren
Kunststoffolien
8,
9
zusammen,
wobei
die
Silikonkautschukmasse
7
in
den
Beutel
hohlraumfrei
eingeschlossen
ist.
The
prosthesis
body
1
is
composed
of
a
soft
elastic
silicone
rubber
compound
7
and
a
bag
consisting
of
two
elastically
expandable
plastic
films
8,
9
welded
tightly
together
along
the
prosthesis
edge
4,
with
the
silicone
rubber
compound
7
enclosed
in
the
bag
without
any
voids.
EuroPat v2
Danach
wird
der
Behälter
mit
Übertragungsflüssigkeit
geflutet
und
die
Übertragungsflüssigkeit
dringt
hohlraumfrei
in
die
Räume
21
und
22
sowie
den
Kanal
15
des
Sensorelements
1
ein
und
füllt
diese
aus.
Then,
the
container
is
flooded
with
transfer
fluid
and
the
transfer
fluid
penetrates
void-free
into
the
spaces
21
and
22
as
well
as
the
channel
15
of
the
sensor
element
1
and
completely
fills
them.
EuroPat v2
Nach
dem
Aufbringen
des
dotierten
Silikat-Glases
wird
dann
ein
Hochtemperaturschritt
ausgeführt,
so
dass
das
dotierte
Silikat-Glas
aufgeschmolzen
wird
und
so
die
Gräben
2
im
Wesentlichen
hohlraumfrei
eingeebnet
werden.
After
the
application
of
the
doped
silicate
glass,
a
high-temperature
step
is
then
carried
out,
so
that
the
doped
silicate
glass
is
melted
and
the
trenches
2
are
thus
leveled
essentially
in
a
manner
free
from
cavities.
EuroPat v2
Bei
einer
Temperaturbehandlung
von
BPSG
mit
einem
Bor-
und
Phosphorgehalt
von
jeweils
ca.
4
%
bei
800
bis
850°C
über
20
bis
30
min
lassen
sich
Vertiefungen
bis
zu
einer
Breite
von
0,15
µm
und
einem
Tiefen-Breiten-Verhältnis
von
5:1
hohlraumfrei
ausfüllen.
In
the
case
of
a
temperature
treatment
of
BPSG
with
a
boron
and
phosphorus
content
of
respectively
approximately
4%
at
800
to
850°
C.
for
20
to
30
min,
depressions
having
a
width
of
up
to
0.15
?m
and
a
depth/width
ratio
of
5:1
can
be
filled
in
a
manner
free
from
cavities.
EuroPat v2
Durch
die
Siliziumnitrid-Schicht
wird
jedoch
das
Tiefen-Breiten-Verhältnis
der
Vertiefungen
auf
der
Halbleiteroberfläche,
die
mit
dem
dotierten
Silikat-Glas
hohlraumfrei
ausgefüllt
werden
sollen,
vergrößert.
However,
the
silicon
nitride
layer
increases
the
depth/width
ratio
of
the
depressions
on
the
semiconductor
surface,
which
are
intended
to
be
filled
with
the
doped
silicate
glass
in
a
manner
free
from
cavities.
EuroPat v2
Dies
führt
dazu,
dass
bei
einer
weiteren
Miniaturisierung
der
Halbleiterstrukturen
mit
Breiten
unter
0,15
µ
m
das
Tiefen-Breiten-Verhältnis
weit
über
dem
Grenzwert
von
5:1
liegt,
bei
dem
sich
mit
der
bekannten
Reflow-Technik
von
dotierten
Silikat-Gläsern
hohlraumfrei
die
Vertiefungen
der
Halbleiterstrukturen
ausfüllen
lassen.
The
result
of
this
is
that
in
the
event
of
further
miniaturization
of
the
semiconductor
structures
with
widths
of
less
than
0.15
?m,
the
depth/width
ratio
will
be
far
in
excess
of
the
limit
value
of
5:1
at
which
the
depressions
of
the
semiconductor
structures
can
be
filled
in
a
manner
free
from
cavities
using
the
known
reflow
technique
of
doped
silicate
glasses.
EuroPat v2
Aufgabe
der
vorliegenden
Erfindung
ist
es
deshalb,
ein
verbessertes
Auffüllen
von
Vertiefungen
in
der
Oberfläche
einer
Halbleiterstruktur,
insbesondere
unterhalb
der
ersten
Metallebene,
zu
ermöglichen,
mit
dem
sich
auch
bei
Strukturbreiten
von
unter
0,15
µ
m
und
großen
Tiefen-Breiten-Verhältnissen
die
Vertiefungen
hohlraumfrei
ausfüllen
lassen.
In
particular,
it
is
an
object
of
the
invention
to
enable
improved
filling
of
depressions
in
the
surface
of
a
semiconductor
structure,
in
particular
below
the
first
metal
plane,
which
makes
it
possible
for
the
depressions
to
be
filled
in
a
manner
free
from
cavities
even
with
structure
widths
of
less
than
0.15
?m
and
large
depth/width
ratios.
EuroPat v2
Wie
mit
Bezugszeichen
18
angedeutet
ist,
sind
die
beiden
vorgenannten
Räume
21
und
22
sowie
der
Kanal
15
mit
der
Übertragungsflüssigkeit
hohlraumfrei
gefüllt.
As
indicated
by
reference
character
18,
the
two
aforementioned
spaces
21
and
22
as
well
as
the
channel
15
are
filled
void-free
with
the
transfer
fluid.
EuroPat v2
Nachdem
das
Einführungsrohr
3
mit
der
darauf
befindlichen,
auseinandergezogenen
Feder
4
und
dem
in
den
Windungszwischenräumen
der
Feder
befindlichen
Füllmörtel
6
in
der
in
Fig.
1
dargestellten
Weise
in
die
Mauerdurchführungsöffnung
2
eingesetzt
worden
ist,
werden
die
Verstiftungen
5
gelöst,
so
daß
sich
die
Feder
4
zusammenziehen
kann
und
die
sich
unter
der
Federkraft
aufeinanderzu
bewegenden
Federwindungen
den
dazwischen
befindlichen
Füllmörtel
in
dem
Ringspalt
zwischen
der
Wandung
der
Mauerdurchführungsöffnung
2
und
der
Rohraußenwandung
fest
verpressen,
so
daß
der
Füllmörtel
6
diesen
Ringspalt
satt
und
hohlraumfrei
ausfüllt.
After
the
lead-in
tube
3
with
the
stretched
spring
5
disposed
thereon
and
with
the
lean
mortar
6
in
the
air
gaps
between
the
turns
of
the
spring
is
inserted
into
the
opening
2
of
the
lead-in
wall
bushing
in
the
manner
shown
in
FIG.
1,
the
pinned
joints
5
are
removed,
so
that
the
spring
4
can
contract
and
its
turns,
which
move
closer
to
each
other
under
the
thrust
of
the
spring,
firmly
grout
the
lean
mortar
located
between
the
turns
into
the
annular
gap
between
the
wall
with
the
opening
2
of
the
lead-in
wall
bushing
and
the
outer
tube
wall.
Thus,
the
lean
mortar
6
fills
this
annular
gap
tightly
without
leaving
any
spaces.
EuroPat v2
Gemäß
dem
Ausführungsbeispiel
ist
die
Sensorkammer
8
als
massiver
Körper
ausgebildet,
in
dem
hohlraumfrei
die
Leiterplatine
10
und
der
Sensor
11
aufgenommen
sind.
According
to
the
embodiment
example,
the
sensor
chamber
8
is
designed
as
a
solid
body,
in
which
the
circuit
board
10
and
the
sensor
11
are
accommodated,
without
any
hollow
spaces.
EuroPat v2
Falls
z.B.
durch
Elektronenmikroskopie
oder
eine
sonstige
Werkstoffprüfung
festgestellt
wird,
dass
die
Metallmatrix
nach
Einwirkung
der
Wärmequelle
und
Abkühlen
nicht
vollständig
hohlraumfrei
ist
oder
nicht
ausreichend
an
der
Oberfläche
des
hochwärmeleitfähigen
Materials
haftet,
wird
eine
anschließende
Wärmebehandlung
bei
Atmosphärendruck
oder
unter
Vakuum
oder
ein
wie
oben
beschriebenes
heißisostatisches
Pressen
durchgeführt.
If
it
is
found,
for
example,
by
electron
microscopy
or
by
some
other
materials
test
that
the
metal
matrix
is
not
completely
free
of
cavities
after
exposure
to
the
heat
source
and
then
cooling,
or
if
it
does
not
adhere
adequately
to
the
surface
of
the
highly
heat-conducting
material,
then
a
subsequent
heat
treatment
is
performed
at
atmospheric
pressure
or
in
vacuo
or
hot
isostatic
pressing
as
described
above
is
performed.
EuroPat v2
Vor
der
querschnittsreduzierenden
Umformung
des
noch
nicht
verformten
Halbzeugdrahts
("Vor-Halbzeugdraht")
kann
so
das
Innere
des
Außenmantels
mittels
der
Vor-Füllelemente
und
der
Vor-PIT-Elemente
praktisch
hohlraumfrei
befüllt
werden.
Prior
to
cross-section-reducing
shaping
of
the
not
yet
deformed
semifinished
wire
(“pre-semifinished
wire”),
the
inside
of
the
outer
jacket
can
then
be
filled
practically
free
of
voids
by
means
of
the
pre-filler
elements
and
the
pre-PIT
elements.
EuroPat v2
Selbst
wenn
konventionelle
Feststoffisolationen
hohlraumfrei
und
TE-akzeptabel
gefertigt
werden
könnten,
können
im
späterem
Betrieb
Ablösungen
von
den
starren
Leitern
stattfinden,
was
zur
Folge
hat,
dass
steigende
TE-Intensitäten
früher
oder
später
zu
elektrische
Durchschlägen
führen.
Even
if
conventional
solid
matter
insulations
are
void
of
hollow
spaces,
and
can
be
produced
so
as
to
be
acceptable
with
respect
to
the
partial
discharge,
delamination
from
the
rigid
conductors
may
occur
during
later
operation,
thus
resulting
in
increasing
PI)
intensities,
or
later
in
electrical
disruptive
discharges.
EuroPat v2
Um
auch
bei
Halbleiterstrukturen
mit
Breiten
von
unter
0,15
µ
m,
wie
sie
sich
aufgrund
der
fortschreitenden
Miniaturisierung
der
integrierten
Schaltungen
ergeben,
Gräben
hohlraumfrei
ausfüllen
zu
können
wird
gemäß
der
Erfindung
die
Siliziumnitrid-Diffusionsbarriereschicht
so
auf
der
Halbleiterstruktur
abgeschieden,
dass
die
Abscheiderate
auf
waagerechten
Oberflächen
wesentlich
größer
ist,
als
die
auf
senkrechten
Oberflächen.
Semiconductor
structures
having
widths
of
less
than
0.15
?m
are
emerging
on
account
of
the
progressive
miniaturization
of
integrated
circuits.
In
order
to
be
able
to
fill
trenches
in
a
manner
free
from
cavities
even
in
the
case
of
these
semiconductor
structures
having
smaller
widths,
the
present
method
enables
the
silicon
nitride
diffusion
barrier
layer
to
be
deposited
on
the
semiconductor
structure
in
such
a
way
that
the
deposition
rate
on
horizontal
surfaces
is
significantly
higher
than
that
on
vertical
surfaces.
EuroPat v2
Auf
der
Siliziumnitridschicht
4
mit
reduzierter
Seitenwandstärke
in
den
Gräben
2
lassen
sich
dann
auch
mit
der
herkömmlichen
Reflow-Technik
dotierte
Silikat-Gläser
aufbringen,
die
die
Gräben
2
hohlraumfrei
ausfüllen,
wie
in
Figur
3
gezeigt
ist.
On
the
silicon
nitride
layer
4
having
reduced
side
wall
thickness
in
the
trenches
2,
it
is
then
also
possible
to
apply
silicate
glasses
which
are
doped
using
the
conventional
reflow
technique
and
which
fill
the
trenches
2
in
a
manner
free
from
cavities,
as
is
shown
in
FIG.
3
.
EuroPat v2