Übersetzung für "Hoch dotiert" in Englisch
																						Die
																											eine
																											Oberfläche
																											des
																											Siliziumplättchens
																											wird
																											mit
																											einer
																											p-Leitfähigkeit
																											vermittelnden
																											Verunreinigung
																											hoch
																											dotiert.
																		
			
				
																						One
																											of
																											the
																											silicon
																											wafer
																											surfaces
																											is
																											highly
																											doped
																											with
																											an
																											impurity
																											p-conductivity.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Diese
																											weitere
																											Kontaktschicht
																											11
																											ist
																											in
																											beiden
																											Ausführungsformen
																											hoch
																											n-leitend
																											dotiert.
																		
			
				
																						This
																											further
																											contact
																											layer
																											11
																											is
																											highly
																											n-conductively
																											doped
																											in
																											both
																											embodiments.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Die
																											Hauptkontaktschicht
																											7
																											und
																											die
																											seitliche
																											Kontaktschicht
																											9
																											sind
																											jeweils
																											hoch
																											dotiert.
																		
			
				
																						The
																											main
																											contact
																											layer
																											7
																											and
																											the
																											lateral
																											contact
																											layer
																											9
																											are
																											respectively
																											highly
																											doped.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Da
																											beide
																											Zonen
																											normalerweise
																											hoch
																											dotiert
																											sind,
																											könnte
																											dieser
																											pn-Übergang
																											zerstört
																											werden.
																		
			
				
																						Since
																											both
																											zones
																											are
																											normally
																											highly
																											doped,
																											this
																											p-n
																											junction
																											could
																											be
																											destroyed.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Die
																											miteinander
																											zu
																											verbindenden
																											(Wafer-Bonding)
																											Oberflächen
																											sollten
																											sehr
																											hoch
																											dotiert
																											sein.
																		
			
				
																						The
																											surfaces
																											to
																											be
																											bonded
																											to
																											one
																											another
																											(wafer
																											bonding)
																											should
																											be
																											very
																											highly
																											doped.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Unter
																											den
																											Kontaktflächen
																											ist
																											das
																											Siliziummaterial
																											hoch
																											dotiert.
																		
			
				
																						Underneath
																											the
																											contact
																											areas
																											the
																											silicon
																											material
																											is
																											highly
																											doped.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											einer
																											bevorzugten
																											Ausgestaltung
																											sind
																											die
																											Kontaktschichten
																											6
																											und
																											7
																											hoch
																											dotiert
																											ausgeführt.
																		
			
				
																						In
																											a
																											preferred
																											configuration,
																											the
																											contact
																											layers
																											6
																											and
																											7
																											are
																											embodied
																											in
																											a
																											highly-doped
																											fashion.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						B.
																											InP:Zn)
																											und
																											darauf
																											eine
																											dritte
																											Teil-Kontaktschicht
																											27,
																											die
																											hoch
																											dotiert
																											ist.
																		
			
				
																						InP:Zn),
																											and
																											thereupon
																											a
																											third
																											partial
																											contact
																											layer
																											27,
																											which
																											is
																											doped
																											high.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Um
																											sehr
																											niedrige
																											Kontaktwiderstände
																											zu
																											erhalten,
																											wird
																											unter
																											den
																											Kontaktstellen
																											zuvor
																											hoch
																											dotiert.
																		
			
				
																						In
																											order
																											to
																											obtain
																											very
																											low
																											contact
																											resistance,
																											beforehand
																											high-doping
																											takes
																											place
																											under
																											the
																											contact
																											points.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Zur
																											besseren
																											Kontaktierung
																											sind
																											die
																											Emitterschichten
																											vorzugsweise
																											ausreichend
																											hoch
																											dotiert,
																											um
																											einen
																											ohmschen
																											Metall-Halbleiterkontakt
																											auszubilden.
																		
			
				
																						For
																											the
																											sake
																											of
																											better
																											contacting,
																											the
																											emitter
																											layers
																											are
																											preferably
																											highly
																											enough
																											doped
																											to
																											form
																											an
																											ohmic
																											metal-to-semiconductor
																											contact.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Der
																											mit
																											Silizium
																											gestaltete
																											Träger
																											2
																											ist
																											p-dotiert,
																											die
																											Schicht
																											11
																											hoch
																											p-dotiert.
																		
			
				
																						The
																											carrier
																											2
																											made
																											of
																											silicon
																											is
																											p-doped,
																											the
																											layer
																											11
																											highly
																											p-doped.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Wenn
																											Modulierung
																											auf
																											alle
																											Achsen
																											angewandt
																											werden
																											muss,
																											so
																											muss
																											man
																											dennoch
																											auch
																											genau
																											sehen,
																											wie
																											hoch
																											die
																											Achsen
																											dotiert
																											sind.
																		
			
				
																						If
																											modulation
																											must
																											be
																											applied
																											to
																											all
																											axes,
																											then
																											we
																											must
																											also
																											pay
																											close
																											attention
																											to
																											the
																											level
																											of
																											their
																											appropriations.
															 
				
		 Europarl v8
			
																						Es
																											wird
																											die
																											Spannungsfestigkeit
																											von
																											passivierten
																											Halbleiter
																											pn-Übergängen,
																											insbesondere
																											für
																											Strahlungsdetektoren,
																											bei
																											denen
																											ein
																											Bereich
																											sehr
																											hoch
																											dotiert
																											und
																											sehr
																											dünn
																											ist,
																											erhöht.
																		
			
				
																						A
																											passivated
																											semiconductor
																											pn
																											junction
																											is
																											provided
																											which
																											has
																											a
																											high
																											electric
																											strength,
																											one
																											area
																											being
																											heavily
																											doped
																											and
																											being
																											very
																											thin,
																											in
																											particular
																											for
																											radiation
																											detectors.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Die
																											thermische
																											Stabilität
																											der
																											Maske
																											und
																											damit
																											der
																											erzielbare
																											Durchsatz
																											lässt
																											sich
																											noch
																											dadurch
																											in
																											vorteilhafter
																											Weise
																											steigern,
																											dass
																											man
																											dafür
																											sorgt,
																											dass
																											die
																											dotierte
																											Schicht
																											hoch
																											mit
																											Bor
																											dotiert
																											ist.
																		
			
				
																						The
																											thermal
																											stability
																											of
																											the
																											mask
																											and
																											thus
																											the
																											output
																											obtainable
																											can
																											be
																											advantageously
																											increased
																											because
																											the
																											doped
																											layer
																											is
																											highly
																											boron-doped.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											dem
																											beschriebenen
																											Ausführungsbeispiel
																											sind
																											das
																											Substrat
																											und
																											die
																											Seitenbereichsschichten
																											40,
																											41
																											n-leitend
																											dotiert,
																											die
																											Zwischenschicht
																											3,
																											die
																											Abstimmschicht
																											7
																											und
																											die
																											Deckschicht
																											8
																											sind
																											p-leitend,
																											die
																											Kontaktschicht
																											9
																											für
																											niederohmigen
																											Übergang
																											vom
																											Halbleitermaterial
																											zum
																											Metall
																											des
																											Kontaktes
																											hinreichend
																											hoch
																											p-leitend
																											dotiert.
																		
			
				
																						In
																											the
																											described
																											exemplary
																											embodiment,
																											the
																											substrate
																											1
																											and
																											the
																											lateral
																											region
																											layers
																											40,
																											41
																											are
																											n-conductively
																											doped,
																											the
																											intermediate
																											layer
																											3,
																											the
																											tuning
																											layer
																											7
																											and
																											the
																											cover
																											layer
																											8
																											are
																											p-conductively
																											doped,
																											and
																											the
																											contact
																											layer
																											9
																											for
																											the
																											low-impedance
																											transition
																											from
																											the
																											semiconductor
																											material
																											to
																											the
																											metal
																											of
																											the
																											contact
																											is
																											highly
																											p-conductively
																											doped.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Dieser
																											Kontaktstreifen
																											10
																											ist
																											so
																											hoch
																											dotiert,
																											daß
																											er
																											den
																											Übergangswiderstand
																											im
																											Bereich
																											des
																											aktiven
																											Streifens
																											3,
																											3'
																											verringert.
																		
			
				
																						This
																											contact
																											stripe
																											10
																											is
																											so
																											highly
																											doped
																											that
																											it
																											reduces
																											the
																											contact
																											resistance
																											in
																											the
																											region
																											of
																											the
																											active
																											stripe
																											3,
																											3'.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Diese
																											weitere
																											Kontaktschicht
																											11
																											ist
																											ausreichend
																											hoch
																											dotiert,
																											so
																											daß
																											diese
																											Kontaktschicht
																											11
																											eine
																											ausreichend
																											hohe
																											Leitfähigkeit
																											aufweist
																											und
																											den
																											großen
																											Abstand
																											des
																											seitlich
																											aufgebrachten
																											Kontaktes
																											von
																											der
																											streifenförmigen
																											Schichtstruktur
																											kompensiert.
																		
			
				
																						This
																											further
																											contact
																											layer
																											11
																											is
																											sufficiently
																											highly
																											doped,
																											so
																											that
																											this
																											contact
																											layer
																											11
																											has
																											sufficiently
																											high
																											conductivity
																											and
																											compensates
																											for
																											the
																											great
																											distance
																											of
																											the
																											laterally
																											applied
																											contact
																											from
																											the
																											stripe-shaped
																											layer
																											structure.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Die
																											der
																											Stromregelung
																											dienenden
																											Widerstände
																											R4,
																											R5,
																											R8
																											sind
																											als
																											integrierte,
																											durch
																											Ionenimplantation
																											erzeugte
																											Widerstände
																											ausgebildet
																											und
																											vorzugsweise
																											unterschiedlich
																											hoch
																											dotiert,
																											so
																											daß
																											sich
																											unterschiedliche
																											Temperaturkoeffizienten
																											bezüglich
																											ihrer
																											Widerstandswerte
																											ergeben.
																		
			
				
																						The
																											resistances
																											R4,
																											R5
																											and
																											R8
																											serving
																											for
																											current
																											regulation
																											are
																											constituted
																											as
																											integrated
																											resistors
																											produced
																											by
																											ion
																											implantation
																											and
																											are
																											preferably
																											doped
																											through
																											different
																											levels
																											in
																											the
																											implantation,
																											so
																											that
																											different
																											temperature
																											coefficients
																											referring
																											to
																											their
																											resistance
																											values
																											result.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Anschliessend
																											wird
																											das
																											Substrat
																											1
																											von
																											der
																											Vorderseite
																											her
																											mit
																											einer
																											eine
																											P
																											+
																											-Leitfähigkeit
																											vermittelnden
																											Verunreinigung
																											hoch
																											dotiert.
																		
			
				
																						Subsequently,
																											substrate
																											1
																											is
																											highly
																											doped
																											from
																											the
																											front
																											with
																											an
																											impurity
																											causing
																											a
																											P+
																											-conductivity.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Ist
																											die
																											polykristalline
																											Siliciumschicht
																											15
																											hoch
																											dotiert,
																											so
																											wird
																											der
																											darunterliegende
																											Basiskontaktbereich
																											16
																											der
																											Epitaxieschicht
																											2
																											auf
																											Grund
																											der
																											Ausdiffusion
																											von
																											Störstellen
																											aus
																											der
																											polykristallinen
																											Siliciumschicht
																											ausreichend
																											leitend.
																		
			
				
																						If
																											the
																											silicon
																											15
																											is
																											heavily
																											doped,
																											the
																											underlying
																											base
																											contact
																											area
																											16
																											will
																											become
																											sufficiently
																											conductive
																											as
																											a
																											result
																											of
																											outdiffusion
																											from
																											polysilicon
																											15
																											during
																											subsequent
																											high
																											temperature
																											processing.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Wesentlich
																											dabei
																											ist,
																											daß
																											der
																											Bulkbereich
																											ausreichend
																											hoch
																											dotiert
																											ist,
																											um
																											eine
																											niederohmige
																											Verbindung
																											zwischen
																											Scheibenvorderseite
																											und
																											Scheibenrückseite
																											zu
																											gewährleisten.
																		
			
				
																						An
																											important
																											feature
																											in
																											this
																											case
																											is
																											that
																											the
																											bulk
																											region
																											is
																											doped
																											highly
																											enough
																											to
																											assure
																											a
																											low-impedance
																											connection
																											between
																											the
																											front
																											side
																											of
																											the
																											wafer
																											and
																											the
																											rear
																											side
																											of
																											the
																											wafer.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Insbesondere
																											wird
																											die
																											obere
																											Ohm-Kontaktschicht
																											6
																											so
																											hoch
																											dotiert,
																											daß
																											das
																											Halbleitermaterial
																											einen
																											guten
																											niederohmigen
																											Kontakt
																											zu
																											einer
																											aufzubringenden
																											Metallisierung
																											bildet.
																		
			
				
																						In
																											particular,
																											the
																											upper
																											ohmic
																											contact
																											layer
																											6
																											is
																											so
																											highly
																											doped
																											that
																											the
																											semiconductor
																											material
																											forms
																											a
																											good
																											low-impedance
																											contact
																											to
																											a
																											metallization
																											to
																											be
																											applied.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Wichtig
																											dabei
																											ist,
																											daß
																											die
																											Sourcezone
																											3,
																											die
																											im
																											wesentlichen
																											aus
																											dem
																											Halbleiterkörper
																											1
																											gebildet
																											wird,
																											ausreichend
																											hoch
																											dotiert
																											ist,
																											um
																											eine
																											niederohmige
																											Verbindung
																											zur
																											Scheibenrückseite
																											10
																											zu
																											gewährleisten.
																		
			
				
																						What
																											is
																											important
																											in
																											this
																											case
																											is
																											that
																											the
																											source
																											region
																											3,
																											which
																											is
																											formed
																											essentially
																											of
																											the
																											semiconductor
																											body
																											1,
																											be
																											adequately
																											highly
																											doped,
																											in
																											order
																											to
																											assure
																											a
																											low-impedance
																											connection
																											with
																											the
																											rear
																											side
																											10
																											of
																											the
																											wafer.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Um
																											bei
																											kurzer
																											Kanallänge
																											Leckströme
																											aufgrund
																											von
																											Punch-Through
																											zu
																											vermeiden,
																											sollte
																											die
																											Kanalschicht
																											hoch
																											dotiert
																											werden.
																		
			
				
																						In
																											order
																											to
																											avoid
																											leakage
																											currents
																											due
																											to
																											punch-through
																											given
																											a
																											short
																											channel
																											length,
																											the
																											channel
																											layer
																											should
																											be
																											highly
																											doped.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Die
																											vergrabene
																											Schicht
																											und
																											die
																											Anschlußzonen
																											sind
																											um
																											den
																											Anforderungen
																											eines
																											sehr
																											hohen
																											Leitwertes
																											Genüge
																											zu
																											leisten,
																											sehr
																											hoch
																											dotiert.
																		
			
				
																						The
																											buried
																											layer
																											and
																											the
																											connection
																											zones
																											are
																											very
																											heavily
																											doped
																											in
																											order
																											to
																											satisfy
																											the
																											requirements
																											of
																											a
																											very
																											high
																											conductance.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Die
																											vergrabene
																											Schicht
																											ist
																											dabei
																											über
																											eine
																											Anschlußzone,
																											die
																											aus
																											Gründen
																											einer
																											guten
																											Leitfähigkeit
																											möglichst
																											hoch
																											dotiert
																											ist,
																											mit
																											dem
																											Anschlußpad
																											verbunden.
																		
			
				
																						The
																											buried
																											layer,
																											in
																											this
																											configuration,
																											is
																											connected
																											to
																											the
																											terminal
																											pad
																											via
																											a
																											connection
																											zone,
																											which
																											is
																											doped
																											as
																											heavily
																											as
																											possible
																											for
																											reasons
																											of
																											good
																											conductivity.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Die
																											Wortleitungen
																											40
																											bestehen
																											aus
																											einem
																											leitfähigen
																											Material,
																											beispielsweise
																											aus
																											einem
																											Halbleitermaterial,
																											das
																											hoch
																											dotiert
																											ist,
																											beispielsweise
																											aus
																											polykristallinem
																											Silizium.
																		
			
				
																						The
																											word
																											lines
																											40
																											are
																											composed
																											of
																											a
																											conductive
																											material,
																											for
																											example
																											of
																											a
																											semiconductor
																											material,
																											which
																											is
																											highly
																											doped,
																											for
																											example
																											of
																											polycrystalline
																											silicon.
															 
				
		 EuroPat v2