Übersetzung für "Leitungszone" in Englisch
Die
Struktur
aus
Gate-Elektrode
60
und
umgebender
Isolationsschicht
70
erstreckt
sich
nach
unten
bis
an
eine
n-dotierte
Zone
54,
die
zusammen
mit
einer
daran
anschließenden
stark
n-dotierten
Zone
56
eine
zweite
Leitungszone
(Drain-Zone)
des
dargestellten
MOSFET
bildet.
The
structure
comprising
gate
electrode
60
and
surrounding
insulation
layer
70
extends
downward
as
far
as
an
n-doped
zone
54
which,
together
with
an
adjoining
heavily
n-doped
zone
56,
forms
a
second
conduction
zone
(drain
zone)
of
the
MOSFET
illustrated.
EuroPat v2
Das
erfindungsgemäße
Halbleiterschaltelement
weist
einen
Halbleiterkörper
100
mit
einer
stark
n-dotierten
zweiten
Anschlusszone
112
und
einer
benachbart
zu
der
zweiten
Anschlusszone
112
angeordneten
n-dotierten
zweiten
Übergangzone
114,
die
schwächer
als
die
zweite
Anschlusszone
112
dotiert
ist,
auf,
wobei
die
zweite
Anschlusszone
112
und
die
zweite
Übergangszone
114
eine
zweite
Leitungszone
(Drain-Zone)
des
Halbleiterschaltelements
bilden.
The
semiconductor
switching
element
according
to
the
invention
has
a
semiconductor
body
100
having
a
heavily
n-doped
second
terminal
zone
112
and
an
n-doped
second
transition
zone
114,
which
is
arranged
adjacent
to
the
second
terminal
zone
112
and
is
doped
more
weakly
than
the
second
terminal
zone
112,
the
second
terminal
zone
112
and
the
second
transition
zone
114
forming
a
second
conduction
zone
(drain
zone)
of
the
semiconductor
switching
element.
EuroPat v2
Bei
dieser
Ausführungsform,
bei
welcher
jede
Leitungszone
eine
schwächer
dotierte
Übergangszone
aufweist,
kann
durch
die
Dicke
und
die
Dotierung
der
Übergangszonen
eine
in
Vorwärtsrichtung
und
in
Rückwärtsrichtung
etwa
gleiche
Spannungsfestigkeit
des
Halbleiterschaltelements
eingestellt
werden.
In
this
embodiment,
wherein
each
conduction
zone
has
a
more
weakly
doped
transition
zone,
a
dielectric
strength
of
the
semiconductor
switching
element
that
is
approximately
identical
in
the
forward
direction
and
in
the
reverse
direction
can
be
set
by
means
of
the
thickness
and
the
doping
of
the
transition
zones.
EuroPat v2
Durch
geeignete
Wahl
des
Materials
und
der
geometrischen
Struktur
des
Rekombinationsbereichs
19
kann
die
Durchbruchspannung
des
MOSFET
so
weit
gesteigert
werden,
wie
sie
sich
bei
einem
Kurzschluss
zwischen
der
ersten
Leitungszone
(Source-Zone)
12
und
der
Kanalzone
18,
d.h.
bei
kurzgeschlossener
Basis-Emitter-Strecke
des
parasitären
Bipolartransistors,
ergeben
würde,
ohne
jedoch
die
nachteilige
Wirkung
eines
solchen
Kurzschlusses,
nämlich
die
mangelnde
Spannungsfestigkeit
in
Rückwärtsrichtung
(Source-Drain-Richtung),
in
Kauf
nehmen
zu
müssen.
Through
a
suitable
choice
of
the
material
and
the
geometrical
structure
of
the
recombination
region
19,
the
breakdown
voltage
of
the
MOSFET
can
be
increased
to
the
extent
that
would
result
in
the
event
of
a
short
circuit
between
the
first
conduction
zone
(source
zone)
12
and
the
channel
zone
18,
i.e.
in
the
event
of
a
short-circuited
base-emitter
junction
of
the
parasitic
bipolar
transistor,
but
without
having
to
accept
the
disadvantageous
effect
of
such
a
short
circuit,
namely
the
lack
of
dielectric
strength
in
the
reverse
direction
(source-drain
direction).
EuroPat v2
Für
regionale
Spezialfälle
läßt
sich
darüber
hinaus
die
Verbaubreite
bei
der
Leitungszone
und
bei
der
Wiederverfüllung
berücksichtigen.
For
regional
special
cases
the
sheeting
width
can
be
considered
beyond
that
with
the
conduit
zone
and
during
the
rebackfilling.
ParaCrawl v7.1
Das
integrierte
Design
der
Klemm-
und
Leitungszone
des
HZCR9000B
H
/
L
Voltage
Clamp
Meters
gewährleistet
eine
ununterbrochene
ganzjährige
hohe
Präzision,
hohe
Zuverlässigkeit
und
einen
hohen
Stabilitätstest.
The
integrated
design
of
clamp
and
lead
zone
of
HZCR9000B
H/L
Voltage
Clamp
Meter
ensures
uninterrupted
year-round
high
precision,
high
reliability
and
high
stability
test.
ParaCrawl v7.1