Übersetzung für "Carrier holes" in Deutsch
																						According
																											to
																											a
																											preferred
																											realization
																											the
																											bristle
																											carrier
																											has
																											through
																											holes
																											and
																											projections
																											projecting
																											inwards
																											therein,
																											whereby
																											the
																											projections
																											can
																											be
																											constructed
																											as
																											individual
																											or
																											circularly
																											closed
																											noses,
																											as
																											crossbars
																											or
																											as
																											a
																											constriction
																											of
																											the
																											through
																											hole.
																		
			
				
																						In
																											bevorzugter
																											Ausführung
																											weist
																											der
																											Borstenträger
																											Durchgangslöcher
																											und
																											in
																											diesen
																											nach
																											innen
																											ragende
																											Vorsprünge
																											auf,
																											wobei
																											die
																											Vorsprünge
																											als
																											einzelne
																											oder
																											ringförmig
																											geschlossene
																											Nasen,
																											als
																											Querstege
																											oder
																											als
																											Einschnürung
																											des
																											Durchgangsloches
																											ausgebildet
																											sein
																											können.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Because
																											the
																											minority
																											carrier
																											(holes)
																											have
																											a
																											diffusion
																											length
																											in
																											the
																											described
																											material
																											of
																											about
																											4
																											microns
																											and
																											this
																											intermediate
																											region
																											between
																											depletion
																											region
																											boundry
																											21
																											and
																											interface
																											18
																											is
																											about
																											6
																											microns
																											significant
																											recombination
																											occurs
																											for
																											the
																											minority
																											carrier
																											move
																											through
																											this
																											region
																											only
																											by
																											diffusion.
																		
			
				
																						Da
																											die
																											Minoritätsträger
																											(Löcher)
																											eine
																											Diffusionslänge
																											in
																											dem
																											angegebenen
																											Material
																											von
																											ungefähr
																											4,um
																											besitzen
																											und
																											da
																											die
																											Zone
																											zwischen
																											der
																											Grenze
																											25
																											des
																											Verarmungsgebietes
																											und
																											der
																											Grenzfläche
																											18
																											ungefähr
																											6µm
																											dick
																											ist,
																											tritt
																											für
																											die
																											Minoritätsträger
																											bei
																											ihrer
																											Diffusion
																											durch
																											diese
																											Zone
																											eine
																											beträchtliche
																											Rekombination
																											auf.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						It
																											is
																											known
																											from
																											DE
																											36
																											37
																											750
																											A1
																											to
																											form
																											in
																											the
																											bristle
																											carrier
																											blind
																											holes
																											and
																											to
																											heat
																											the
																											plastics
																											material
																											surrounding
																											the
																											blind
																											holes
																											until
																											it
																											becomes
																											flowable.
																		
			
				
																						Aus
																											der
																											DE
																											36
																											37
																											750
																											A1
																											ist
																											es
																											bekannt,
																											in
																											dem
																											Borstenträger
																											Sacklöcher
																											auszubilden
																											und
																											das
																											die
																											Sacklöcher
																											umgebende
																											Kunststoffmaterial
																											bis
																											in
																											den
																											fließfähigen
																											Bereich
																											zu
																											erwärmen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											required
																											electric
																											terminals
																											of
																											the
																											bimetal
																											thermoswitch
																											could
																											be
																											secured
																											on
																											the
																											carrier
																											in
																											that
																											holes
																											are
																											drilled
																											into
																											the
																											carrier,
																											e.g.,
																											by
																											means
																											of
																											a
																											laser
																											beam,
																											and
																											the
																											terminals
																											are
																											screwed
																											or
																											riveted
																											to
																											the
																											carrier
																											at
																											the
																											resulting
																											drilled
																											holes.
																		
			
				
																						Die
																											nötigen
																											elektrischen
																											Anschlußteile
																											des
																											Thermobimetallschalters
																											könnte
																											man
																											dadurch
																											auf
																											dem
																											Träger
																											befestigen,
																											dass
																											man
																											in
																											den
																											Träger
																											Löcher
																											bohrt,
																											z.B.
																											mittels
																											eines
																											Laserstrahls,
																											und
																											die
																											Anschlußteile
																											an
																											den
																											so
																											gebohrten
																											Löchern
																											mit
																											dem
																											Träger
																											verschraubt
																											oder
																											vernietet.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											latter
																											process
																											and
																											also
																											thermal
																											processes
																											generally
																											lead
																											to
																											a
																											completely
																											satisfactory
																											product
																											from
																											the
																											use
																											standpoint,
																											because
																											the
																											bristle
																											carrier
																											has
																											no
																											holes,
																											or
																											at
																											least
																											no
																											open
																											holes
																											and
																											the
																											bristle
																											bundles
																											terminate
																											cleanly
																											with
																											the
																											bristle
																											carrier
																											side,
																											so
																											that
																											such
																											bristle
																											articles
																											are
																											in
																											particular
																											satisfactory
																											hygienically.
																		
			
				
																						Die
																											letztgenannten
																											Verfahren,
																											wie
																											auch
																											die
																											thermischen
																											Verfahren
																											führen
																											in
																											der
																											Regel
																											zu
																											einem
																											vor
																											allem
																											in
																											gebrauchstechnischer
																											Hinsicht
																											einwandfreierem
																											Produkt,
																											da
																											der
																											Borstenträger
																											keine
																											Löcher,
																											zumindest
																											aber
																											keine
																											offenen
																											Löcher
																											aufweist
																											und
																											die
																											Borstenbündel
																											sauber
																											mit
																											der
																											Borstenträgerseite
																											abschließen,
																											so
																											daß
																											solche
																											Borstenwaren
																											vor
																											allem
																											in
																											hygienischer
																											Hinsicht
																											eher
																											befriedigen
																											können.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											this
																											embodiment,
																											the
																											recesses
																											on
																											the
																											inside
																											face
																											of
																											the
																											workpiece
																											carrier
																											are
																											holes
																											which
																											completely
																											traverse
																											the
																											relevant
																											workpiece
																											walls.
																		
			
				
																						Die
																											Ausnehmungen
																											an
																											der
																											Innenfläche
																											des
																											Werkstückträgers
																											sind
																											bei
																											dieser
																											Ausführungsform
																											Löcher,
																											welche
																											die
																											jeweilige
																											Werkstückträgerwandung
																											vollständig
																											durchsetzen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Process
																											according
																											to
																											claim
																											1,
																											characterized
																											in
																											that
																											the
																											ends
																											of
																											the
																											bristles
																											are
																											melted
																											to
																											such
																											an
																											extend
																											that,
																											following
																											their
																											introduction
																											into
																											the
																											bristle
																											carrier
																											holes,
																											melt
																											remains
																											on
																											the
																											outside
																											of
																											the
																											bristle
																											carrier,
																											accompanied
																											by
																											the
																											formation
																											of
																											a
																											bead.
																		
			
				
																						Verfahren
																											nach
																											einem
																											der
																											Ansprüche
																											1
																											bis
																											3,
																											dadurch
																											gekennzeichnet,
																											daß
																											die
																											Borsten
																											an
																											ihren
																											Enden
																											so
																											weit
																											aufgeschmolzen
																											werden,
																											daß
																											nach
																											ihrem
																											Einführen
																											in
																											die
																											Löcher
																											des
																											Borstenträgers
																											die
																											Schmelze
																											auf
																											der
																											Außenseite
																											des
																											Borstenträgers
																											unter
																											Bildung
																											eines
																											Wulstes
																											verbleibt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											molecules
																											of
																											the
																											second
																											and
																											third
																											matrix
																											materials
																											preferably
																											transport
																											only
																											one
																											charge
																											carrier
																											type,
																											holes
																											or
																											electrons;
																											thus,
																											no
																											excitons
																											are
																											formed
																											on
																											them.
																		
			
				
																						Die
																											Moleküle
																											des
																											zweiten
																											und
																											dritten
																											Matrixmaterials
																											transportieren
																											bevorzugt
																											nur
																											jeweils
																											eine
																											Ladungsträgersorte,
																											Löcher
																											oder
																											Elektronen,
																											somit
																											bilden
																											sich
																											auf
																											ihnen
																											keine
																											Exzitonen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						To
																											this
																											end,
																											the
																											impeller
																											wheel
																											can
																											have
																											one
																											or
																											more
																											holes
																											in
																											the
																											rib
																											carrier,
																											in
																											which
																											holes
																											a
																											pin
																											is
																											seated
																											which
																											engages
																											into
																											a
																											groove
																											in
																											the
																											adjacent
																											second
																											rotor
																											disk.
																		
			
				
																						Dazu
																											kann
																											das
																											Flügelrad
																											im
																											Rippenträger
																											ein
																											oder
																											mehrere
																											Löcher
																											aufweisen,
																											in
																											denen
																											ein
																											Bolzen
																											sitzt,
																											der
																											in
																											die
																											benachbarte
																											zweite
																											Rotorscheibe
																											in
																											eine
																											Nut
																											eingreift.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						As
																											a
																											consequence,
																											it
																											is
																											possible
																											to
																											precisely
																											position
																											and
																											align
																											the
																											at
																											least
																											one
																											semiconductor
																											light
																											source
																											arrangement
																											on
																											the
																											carrier
																											since
																											bore
																											holes
																											may
																											be
																											embodied
																											with
																											a
																											high
																											degree
																											of
																											precision.
																		
			
				
																						Dadurch
																											ist
																											eine
																											genaue
																											Positionierung
																											und
																											Ausrichtung
																											der
																											mindestens
																											einen
																											Halbleiterlichtquellenanordnung
																											auf
																											dem
																											Träger
																											möglich,
																											da
																											Bohrlöcher
																											mit
																											hoher
																											Präzision
																											ausgeführt
																											werden
																											können.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											carrier
																											1
																											exhibits
																											holes
																											4,
																											which
																											coincide
																											with
																											holes
																											5
																											in
																											the
																											insert
																											2
																											.
																		
			
				
																						Der
																											Träger
																											1
																											weist
																											Löcher
																											4
																											auf,
																											welche
																											mit
																											Löcher
																											5
																											in
																											dem
																											Einsatz
																											2
																											kongruieren.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Another
																											advantageous
																											configuration
																											of
																											the
																											invention,
																											by
																											which
																											the
																											marking
																											process
																											can
																											be
																											further
																											reduced,
																											calls
																											for
																											two
																											holes
																											to
																											be
																											arranged
																											in
																											an
																											edge
																											area
																											of
																											the
																											carrier
																											sheet,
																											which
																											holes
																											are
																											used
																											for
																											correct
																											positioning
																											of
																											the
																											carrier
																											sheet
																											in
																											the
																											treatment
																											region
																											of
																											the
																											marking
																											device.
																		
			
				
																						Eine
																											weitere
																											vorteilhafte
																											Ausgestaltung
																											der
																											Erfindung,
																											durch
																											die
																											der
																											Markiervorgangs
																											weiter
																											reduziert
																											werden
																											kann,
																											sieht
																											vor,
																											dass
																											in
																											einem
																											Randbereichen
																											des
																											Trägerbogens
																											zwei
																											Lochungen
																											angeordnet
																											sind,
																											die
																											zur
																											richtigen
																											Positionierung
																											des
																											Trägerbogens
																											im
																											Bearbeitungsraum
																											der
																											Markierungsvorrichtung
																											dienen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											the
																											avalanche
																											breakdown
																											or
																											reverse
																											voltage
																											breakdown,
																											hot
																											charge
																											carriers
																											(electrons
																											and
																											holes)
																											are
																											generated.
																		
			
				
																						Beim
																											Avalanche-
																											oder
																											Sperrspannungsdurchbruch
																											werden
																											heiße
																											Ladungsträger
																											(Elektronen
																											und
																											Löcher)
																											generiert.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Workpiece
																											carriers
																											with
																											holes
																											or
																											frames
																											only
																											must
																											be
																											checked
																											in
																											each
																											individual
																											case.
																		
			
				
																						Werkstückträger
																											mit
																											Löchern
																											oder
																											nur
																											Rahmen
																											sind
																											im
																											Einzelfall
																											zu
																											prüfen.
															 
				
		 CCAligned v1
			
																						Then
																											the
																											positive
																											charge
																											carriers,
																											i.e.
																											holes,
																											are
																											injected
																											from
																											the
																											anode
																											into
																											the
																											adjoining
																											layer.
																		
			
				
																						Dann
																											werden
																											von
																											der
																											Anode
																											positive
																											Ladungsträger,
																											also
																											Löcher,
																											in
																											die
																											benachbarte
																											Schicht
																											injiziert.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						However,
																											an
																											electrical
																											current
																											only
																											flows
																											when
																											minority
																											charge
																											carriers
																											(holes
																											h+)
																											are
																											present.
																		
			
				
																						Ein
																											elektrischer
																											Strom
																											fließt
																											jedoch
																											nur,
																											wenn
																											Minoritätsladungsträger
																											(Löcher
																											h?)
																											vorhanden
																											sind.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						For
																											good
																											performance
																											data,
																											good
																											mobilities
																											of
																											the
																											charge
																											carriers
																											in
																											the
																											hole-transport
																											layers
																											and
																											good
																											hole-injection
																											properties
																											are
																											particularly
																											crucial.
																		
			
				
																						Für
																											gute
																											Leistungsdaten
																											sind
																											insbesondere
																											gute
																											Mobilitäten
																											der
																											Ladungsträger
																											in
																											den
																											Lochtransportschichten
																											und
																											gute
																											Loch-Injektionseigenschaften
																											entscheidend.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						From
																											this
																											anode
																											in
																											turn,
																											positive
																											charge
																											carriers,
																											so-called
																											holes,
																											migrate
																											in
																											the
																											direction
																											of
																											the
																											cathode.
																		
			
				
																						Von
																											dieser
																											Anode
																											ihrerseits
																											wandern
																											positive
																											Ladungsträger,
																											sogenannte
																											Löcher,
																											in
																											Richtung
																											der
																											Kathode.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											dimension
																											of
																											the
																											optimum
																											length
																											of
																											the
																											umpumped
																											region
																											of
																											the
																											semiconductor
																											body
																											of
																											the
																											laser
																											adjacent
																											to
																											the
																											respective
																											mirror
																											structure
																											is,
																											for
																											example,
																											limited
																											to
																											about
																											three
																											diffusion
																											lengths
																											of
																											the
																											charge
																											carriers,
																											particularly
																											the
																											holes,
																											in
																											the
																											unpumped
																											regions
																											of
																											the
																											active
																											zone.
																		
			
				
																						Das
																											Maß
																											für
																											eine
																											optimale
																											Länge
																											des
																											an
																											den
																											jeweiligen
																											Spiegel
																											sich
																											anschließenden
																											ungepumpten
																											Bereiches
																											des
																											Halbleiterkörpers
																											des
																											Lasers
																											ist
																											auf
																											z.B.
																											ca.
																											drei
																											Diffusionslängen
																											für
																											die
																											Ladungsträger,
																											insbesondere
																											der
																											Löcher,
																											in
																											den
																											ungepumpten
																											Bereichen
																											der
																											aktiven
																											Zone
																											begrenzt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						As
																											a
																											result
																											the
																											internal
																											stresses
																											are
																											at
																											least
																											partly
																											retained
																											and
																											are
																											used
																											as
																											clamping
																											forces
																											for
																											the
																											bristles
																											in
																											the
																											bristle
																											carrier
																											hole.
																		
			
				
																						Hierdurch
																											bleiben
																											die
																											inneren
																											Spannungen
																											zumindest
																											teilweise
																											erhalten,
																											die
																											als
																											Einspannkräfte
																											für
																											die
																											Borsten
																											in
																											dem
																											Loch
																											des
																											Borstenträgers
																											genutzt
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						A
																											thin
																											film
																											solar
																											cell
																											is
																											proposed,
																											in
																											which
																											the
																											surface
																											of
																											the
																											semiconductor
																											layer
																											(20)
																											facing
																											the
																											front
																											contact
																											(28)
																											is
																											designed
																											as
																											an
																											inversion
																											layer,
																											which
																											can
																											be
																											tunnelled
																											through
																											by
																											the
																											charge
																											carriers
																											electrons
																											and
																											holes.
																		
			
				
																						Es
																											wird
																											eine
																											Dünnschicht-Solarzelle
																											(10)
																											vorgeschlagen,
																											bei
																											der
																											die
																											Oberfläche
																											der
																											dem
																											Frontkontakt
																											(28)
																											zugewandten
																											Halbleiterschicht
																											(20)
																											als
																											Halbleiter-Inversionsschicht
																											(24)
																											ausgebildet
																											ist,
																											die
																											von
																											den
																											Ladungsträgern
																											Elektronen
																											und
																											Löchern
																											durchtunnelbar
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						This
																											current
																											consists
																											essentially
																											of
																											minority
																											charge
																											carriers,
																											i.e.
																											holes,
																											injected
																											into
																											layer
																											1
																											from
																											layer
																											12.
																		
			
				
																						Dieser
																											Strom
																											besteht
																											im
																											wesentlichen
																											aus
																											von
																											der
																											Schicht
																											12
																											in
																											die
																											Schicht
																											1
																											injizierten
																											Minoritätsladungsträgern,
																											d.h.
																											Löchern.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											contrast
																											therewith,
																											in
																											a
																											further
																											embodiment
																											of
																											the
																											invention
																											for
																											trapping
																											positive
																											charge
																											carriers
																											(holes)
																											the
																											hole
																											trapping
																											layer
																											contains
																											selenium
																											with
																											a
																											sodium
																											or
																											hydrogen
																											doping
																											of
																											less
																											2000
																											ppm.
																		
			
				
																						Im
																											Gegensatz
																											dazu
																											ist
																											nach
																											einer
																											anderen
																											Ausgestaltung
																											der
																											Erfindung
																											zum
																											Einfangen
																											positiver
																											Ladungsträger
																											(Löcher)
																											vorgesehen,
																											daß
																											die
																											Löcher-Einfangschicht
																											Selen
																											enthält,
																											das
																											eine
																											Natrium-
																											oder
																											eine
																											Wasserstoff-Dotierung
																											von
																											weniger
																											als
																											2000
																											ppm
																											aufweist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											the
																											present
																											case
																											of
																											an
																											n-channel
																											MOSFET,
																											there
																											is
																											flooding
																											in
																											the
																											inner
																											zone
																											2
																											with
																											positive
																											charge
																											carriers
																											(holes)
																											and
																											negative
																											charge
																											carriers
																											(electrons).
																		
			
				
																						Im
																											vorliegenden
																											Fall
																											eines
																											n-Kanal-MOSFETs
																											kommt
																											es
																											in
																											der
																											Innenzone
																											2
																											zu
																											einer
																											Überschwemmung
																											mit
																											positiven
																											Ladungsträger
																											(Löcher)
																											und
																											negativen
																											Ladungsträger
																											(Elektronen).
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						This
																											gives
																											a
																											modified
																											profile
																											in
																											respect
																											of
																											the
																											energy
																											band
																											between
																											the
																											lower
																											limit
																											of
																											the
																											conduction
																											band
																											and
																											the
																											upper
																											limit
																											of
																											the
																											valence
																											band
																											of
																											the
																											correspondingly
																											N-doped
																											silicon
																											atoms
																											between
																											the
																											spaced
																											regions
																											of
																											the
																											outer
																											layer
																											(see
																											FIG.
																											5)
																											so
																											that
																											here—assisted
																											by
																											the
																											potential
																											produced
																											thereby
																											between
																											the
																											spaced
																											regions—the
																											minority
																											carriers
																											(holes)
																											existing
																											in
																											that
																											region
																											are
																											pushed
																											downwardly
																											and
																											thus
																											no
																											or
																											only
																											a
																											slight
																											degree
																											of
																											recombination
																											of
																											electrons
																											and
																											holes
																											can
																											occur.
																		
			
				
																						Es
																											ergibt
																											sich
																											ein
																											verändertes
																											Profil
																											des
																											Energiebandes
																											zwischen
																											der
																											unteren
																											Grenze
																											des
																											Leitungsbandes
																											und
																											der
																											oberen
																											Grenze
																											des
																											Valenzbandes
																											der
																											entsprechend
																											N-dotierten
																											Silizium-Atome
																											zwischen
																											den
																											beabstandeten
																											Bereichen
																											der
																											äusseren
																											Schicht
																											(vgl.
																											Fig.
																											5),
																											so
																											daß
																											hier
																											-
																											unterstützt
																											durch
																											das
																											dadurch
																											erzeugte
																											Potential
																											zwischen
																											den
																											beabstandeten
																											Bereichen
																											-
																											die
																											in
																											diesem
																											Bereich
																											existierenden
																											Minoritätsträger
																											(Löcher)
																											nach
																											unten
																											abgedrängt
																											werden
																											und
																											so
																											keine
																											bzw.
																											nur
																											eine
																											geringfügige
																											Rekombination
																											von
																											Elektronen
																											und
																											Löchern
																											stattfinden
																											kann.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						All
																											that
																											is
																											essential
																											here
																											is
																											that
																											the
																											configuration
																											of
																											the
																											shaded
																											source
																											zone
																											regions
																											9'
																											inside
																											the
																											source
																											zones
																											9
																											in
																											the
																											edge
																											region
																											RB
																											of
																											the
																											cell
																											array
																											prevents
																											a
																											reverse
																											flow
																											I1
																											of
																											charge
																											carriers,
																											of
																											holes
																											in
																											the
																											present
																											case,
																											from
																											inadvertently
																											switching
																											on
																											the
																											pn
																											diode
																											D1,
																											and
																											thus
																											prevents
																											the
																											inadvertent
																											switching
																											on
																											of
																											the
																											parasitic
																											bipolar
																											transistor
																											T1
																											formed
																											from
																											the
																											source
																											zone
																											9,
																											base
																											zone
																											8
																											and
																											inner
																											zone
																											2.
																		
			
				
																						Wesentlich
																											ist
																											hierbei
																											lediglich,
																											daß
																											durch
																											die
																											Anordnung
																											der
																											abgeschatteten
																											Sourcezonenbereiche
																											9'
																											innerhalb
																											der
																											Sourcezonen
																											9
																											im
																											Randbereich
																											RB
																											des
																											Zellenfeldes
																											vermieden
																											wird,
																											daß
																											durch
																											einen
																											Rückstrom
																											I1
																											von
																											Ladungsträgern,
																											im
																											vorliegenden
																											Fall
																											von
																											Löchern,
																											das
																											unbeabsichtigte
																											Einschalten
																											der
																											pn-Diode
																											D1
																											somit
																											das
																											unbeabsichtigte
																											Einschalten
																											des
																											parasitären
																											Bipolartransistors
																											T1
																											gebildet
																											aus
																											Sourcezone
																											9,
																											Basiszone
																											8
																											und
																											Innenzone
																											2
																											unterdrückt
																											wird.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						For
																											the
																											case
																											that,
																											contrary
																											to
																											the
																											present
																											example,
																											a
																											negative
																											voltage
																											is
																											applied
																											to
																											the
																											bias
																											electrode
																											so
																											that
																											negative
																											charge
																											carriers
																											(electrons)
																											migrate
																											to
																											the
																											collecting
																											electrode
																											during
																											X-ray
																											exposure,
																											the
																											layers
																											exhibiting
																											suitable
																											conductivity
																											for
																											positive
																											charge
																											carriers
																											(holes)
																											and
																											poor
																											conductivity
																											for
																											electrons
																											are
																											to
																											be
																											interchanged,
																											and
																											vice
																											versa.
																		
			
				
																						Für
																											den
																											Fall,
																											daß
																											-
																											entgegen
																											diesem
																											Beispiel
																											-
																											an
																											die
																											Vorspannungselektrode
																											eine
																											negative
																											Spannung
																											angelegt
																											wird,
																											so
																											daß
																											bei
																											Röntgenbelichtung
																											negative
																											Ladungsträger
																											(Elektronen)
																											zur
																											Sammelelektrode
																											wandern,
																											sind
																											die
																											Schichten
																											mit
																											guter
																											Leitfähigkeit
																											für
																											positive
																											Ladungsträger
																											(Löcher)
																											und
																											schlechter
																											Leitfähigkeit
																											für
																											Elektronen
																											zu
																											vertauschen
																											und
																											umgekehrt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						On
																											the
																											layer
																											32
																											there
																											is
																											provided
																											a
																											semiconductor
																											layer
																											33
																											which
																											is
																											doped,
																											so
																											that
																											it
																											does
																											not
																											conduct
																											positive
																											charge
																											carriers,
																											i.e.
																											holes,
																											but
																											conducts
																											the
																											negative
																											charge
																											carriers
																											(electrons)
																											so
																											much
																											the
																											better.
																		
			
				
																						Auf
																											die
																											Schicht
																											32
																											wird
																											eine
																											Halbleiterschicht
																											33
																											aufgebracht,
																											die
																											so
																											dotiert
																											ist,
																											daß
																											sie
																											positive
																											Ladungsträger,
																											also
																											Löcher
																											(holes)
																											nicht
																											leitet,
																											dafür
																											umso
																											besser
																											die
																											negativen
																											Ladungsträger
																											(Elektronen).
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											majority
																											charge
																											carriers,
																											i.e.,
																											holes
																											in
																											the
																											p-doped
																											silicon
																											body
																											(6),
																											diffuse
																											towards
																											the
																											ohmic
																											contacts
																											(10).
																		
			
				
																						Die
																											Majoritätsladungsträger,
																											also
																											Löcher
																											im
																											p-Siliziumkörper
																											(6)
																											diffundieren
																											zu
																											den
																											Ohm'schen
																											Kontakten
																											(10).
															 
				
		 EuroPat v2