Übersetzung für "Carrier mobility" in Deutsch

The membrane contains a proton carrier of high mobility.
Die Membran enthält einen Protonencarrier von hoher Mobilität.
EuroPat v2
The impairment of the charge carrier mobility in the channel becomes particularly apparent in p-channel MOS transistors.
Die Verschlechterung der Ladungsträgerbeweglichkeit im Kanal macht sich besonders bei p-Kanal-MOS-Transistoren bemerkbar.
EuroPat v2
However, sodium exhibits the highest charge carrier mobility.
Allerdings weist Natrium die höchste Ladungsträgerbeweglichkeit auf.
EuroPat v2
A crane mounted on a truck carrier provides the mobility for this type of crane.
Ein Kran auf einem LKW-Träger bietet die Mobilität für diesen Krantyp.
ParaCrawl v7.1
In this way, particularly high levels of charge carrier mobility can be achieved.
Auf diese Weise können besonders hohe Ladungsträgerbeweglichkeiten erzielt werden.
EuroPat v2
In this way, regions having high charge carrier concentration and charge carrier mobility can be produced in a targeted manner.
Auf diese Weise lassen sich gezielt Bereiche mit hoher Ladungsträgerkonzentration und Ladungsträgerbeweglichkeit erzeugen.
EuroPat v2
However, specific limits are encountered in this case on account of a limited charge carrier mobility in semiconductor materials.
Hierbei stößt man jedoch aufgrund einer begrenzten Ladungsträgerbeweglichkeit in Halbleitermaterialien an bestimmte Grenzen.
EuroPat v2
Rubrene holds the distinction of being the organic semiconductor with the highest carrier mobility, reaching 40 cm2/(V·s) for holes.
Rubren weist mit 40 cm2/(V·s) die höchste Ladungsträgerbeweglichkeit für Defektelektronen unter den organischen Halbleitern auf.
Wikipedia v1.0
Preferably, the high-frequency preamplifiers and the switchable high-frequency amplifying arrangements are formed by transistors which have a high charge carrier mobility.
Vorzugsweise sind die Hochfrequenz-Vorverstärker und die schaltbaren Hochfrequenz-Verstärkeranordnungen mit Transistoren mit hoher Ladungsträgerbeweglichkeit ausgebildet.
EuroPat v2
However, certain limits are being reached on account of limited charge carrier mobility in semiconductor materials.
Hierbei stößt man jedoch auch auf Grund einer begrenzten Ladungsträgerbeweglichkeit in Halbleitermaterialien an bestimmte Grenzen.
EuroPat v2
The advantageous properties of a high charge carrier mobility on account of the strained semiconductor material continue to be utilized in this case.
Die vorteilhaften Eigenschaften einer hohen Ladungsträgerbeweglichkeit aufgrund des verspannten Halbleitermaterials werden dabei weiterhin ausgenutzt.
EuroPat v2
Advantageously, the carrier is a cation carrier of high mobility and specific, especially for protons, such as preferably tri-n-dodecyl-amine.
Bevorzugt ist der Carrier ein Kationencarrier von hoher Mobilität und Spezifität, besonders für Protonen, bevorzugt Tri-n-dodecylamin.
EuroPat v2
In addition, semiconductors such as InSb which have a high charge carrier mobility exhibit an increase in their resistance in high magnetic fields in excess of the reduction in mobility.
Auch Halbleiter wie z. B. InSb mit hoher Beweglichkeit der Ladungssträger zeigen in starken Magnetfeldern über die Verkleinerung der Beweglichkeit eine Zunahme ihres Widerstandes.
EuroPat v2
In this material, where clearly fewer than 68% of the carbon atoms exhibit diamond-like, tetrahedral bonds (sp3 -hybridization) and clearly more than 30% exhibit graphitic, trigonal bonds (sp2 -hybridization), which has a hydrogen contents of 10 to 30 atomic percentage, the requirement for a high charge carrier mobility is specifically fulfilled through a fixed concentration of the n and p charge carriers and a fixed specific electrical resistance, to be precise up to an optimum.
Bei diesem Material, bei dem deutlich weniger als 68 % der Kohlenstoffatome diamantgleiche tetraedrische Bindungen (sp³-Hybridisierung) und deutlich mehr als 30 % graphitische trigonale Bindungen (sp²-Hybridisierung) aufweisen und das einen Wasserstoffgehalt von 10 bis 30 Atom-% besitzt, wird die Forderung nach einer hohen Ladungsträgerbeweglichkeit über eine bestimmte Konzentration der n- und p-Ladungsträger und einen bestimmten spezifischen elektrischen Widerstand gezielt erfüllt, und zwar bis zu einem Optimum.
EuroPat v2
Although these effects can be compensated for, in part, by an increased doping of the substrate, such a high doping of the substrate leads, inter alia, to impairment of the charge carrier mobility in the channel.
Diese können zwar teilweise durch eine erhöhte Dotierung des Substrats ausgeglichen werden, eine derartige hohe Dotierung des Substrats führt jedoch unter anderem zu einer Verschlechterung der Ladungsträgerbeweglichkeit im Kanal.
EuroPat v2
For these types of applications, perovskite electrode materials are known which, however, by modification of their oxygen stoichiometry, have a considerable charge carrier mobility.
Es sind für derartige Anwendungen perowskitische Elektrodenmaterialien bekannt, die jedoch durch Änderung ihrer Sauerstoffstöchiometrie eine beachtliche Ladungsträgerbeweglichkeit aufweisen.
EuroPat v2
These effects can in fact be partially compensated by an increased doping of the substrate, but the required high doping of the substrate results in, among other things, a deterioration of the charge carrier mobility in the channel.
Diese können zwar teilweise durch eine erhöhte Dotierung des Substrats ausgeglichen werden, eine derartige hohe Dotierung des Substrats führt jedoch unter anderem zu einer Verschlechterung der Ladungsträgerbeweglichkeit im Kanal.
EuroPat v2
The present invention is based on the problem of providing an integrated CMOS circuit arrangement and a method for the manufacture thereof in which short-channel effects and punch effects are prevented and high charge carrier mobility is assured.
Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, eine integrierte CMOS-Schaltungsanordnung und ein Verfahren zu deren Herstellung anzugeben, in der Kurzkanaleffekte und Puncheffekte vermieden werden und eine hohe Ladungsträgerbeweglichkeit sichergestellt wird.
EuroPat v2
The disadvantage there is that the interference pulses are often unacceptably high and a data loss occurs because the on resistance of the transistors cannot be reduced as desired owing to the very large transistor width or very high charge carrier mobility which this requires.
Nachteilig ist hierbei, daß die Störimpulse oftmals unzulässig hoch sind und ein Datenverlust auftritt, weil der On-Widerstand der Transistoren, wegen der hierfür erforderlichen sehr großen Transistorweite bzw. sehr hohen Ladungsträgerbeweglichkeit, nicht beliebig gesenkt werden kann.
EuroPat v2
In such field-effect transistors the channel provided between the source electrode and the drain electrode must have a length in the range below 10 ?m, since the organic semiconductor materials introduced into the channel have low charge carrier mobility.
Bei derartigen Feldeffekt-Transistoren muß der zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode vorgesehene Kanal eine Länge im Bereich unterhalb von 10 µm haben, da die in den Kanal eingebrachten organischen Halbleitermaterialien geringe Ladungsträgerbeweglichkeiten aufweisen.
EuroPat v2
The high-frequency preamplifier 11, 12 respectively, is formed in the present exemplary embodiment by field effect transistors which have a high charge carrier mobility, so-called "HEMT" transistors.
Die Hochfrequenz-Vorverstärker 11 bzw. 12 werden im vorliegenden Ausführungsbeispiel durch Feldeffekttransistoren mit hoher Ladungsträgerbeweglichkeit gebildet, sogenannte "HEMT"-Transistoren.
EuroPat v2
A first advantage of the MODFET according to the invention is that there is high charge carrier mobility so that a transistor can be produced which has a high limit frequency.
Ein erster Vorteil der Erfindung besteht darin, daß eine hohe Ladungsträgerbeweglichkeit vorhanden ist, so daß ein Transistor mit einer hohen Grenzfrequenz herstellbar ist.
EuroPat v2

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