Übersetzung für "Electron mobility" in Deutsch

Electron mobility is almost always specified in units of cm2/(V·s).
Gewöhnlich wird die Mobilität in cm2/(V·s) angegeben.
WikiMatrix v1
Compared to metal elements, graphene has the advantageous property of anisotropic electron mobility.
Graphen hat gegenüber Metall-Elementen die vorteilhafte Eigenschaft einer anisotropen Elektronenbeweglichkeit.
EuroPat v2
This also results in a significant improvement in the hole and electron mobility.
Das führt auch zu einer bedeutenden Verbesserung der Loch- und Elektronenbeweglichkeit.
EuroPat v2
The charge-carrier mobility, in particular the electron mobility, is inadequate.
Die Ladungsträgermobilität, insbesondere die Elektronenmobilität, ist nicht ausreichend.
EuroPat v2
Furthermore, the material has a low electron mobility and a high hole mobility.
Weiterhin verfügt das Material über eine geringe Elektronenmobilität und eine hohe Löchermobilität.
EuroPat v2
Electron mobility is almost always specified in units of cm2 /(V ·s).
Gewöhnlich wird die Mobilität in cm2 /(V·s) angegeben.
ParaCrawl v7.1
A chip carrier according to the invention is particularly suitable for a HEMT (High electron mobility transistor) component.
Ein Chipträger nach der Erfindung ist insbesondere für ein HEMT(High electron mobility transistor)-Bauelement geeignet.
EuroPat v2
The relatively high doping level leads to a reduced electron mobility and, hence, to relatively high resistance values.
Die relativ hohe Dotierung führt zu einer erniedrigten Elektronenbeweglichkeit und damit zu relativ hohen Widerstandswerten.
EuroPat v2
However, the present invention is not limited to the materials mentioned in the embodiment but is suitable for all semiconductor materials which permit the manufacture of an HEMT (high electron mobility transistor).
Die Erfindung ist jedoch nicht auf die im Ausführungsbeispiel angegebenen Materialien beschränkt, sondern für alle Halbleitermaterialien geeignet, die die Herstellung eines HEMT (High Electron Mobility Transistors) ermöglichen.
EuroPat v2
The layer of the invention exhibits a very high electron mobility, thereby significantly improving the stability of an electroluminescence device constructed with said layer over the known devices of this type since the degradation processes near the cathode caused by local temperature effects or electromigration processes are reduced significantly.
Die erfindungsgemäße Schicht weist eine sehr hohe Elektronenbeweglichkeit auf, wodurch die Stabilität einer mit dieser Schicht aufgebauten Elektrolumineszenzvorrichtung gegenüber den bisher bekannten dieser Art signifikant verbessert werden kann, da die sonst durch lokale Temperatureffekte oder Elektronenwanderungsprozesse entstehenden Degradationsprozesse an der Kathode stark vermindert werden können.
EuroPat v2
A charge transport layer disposed between the active layer and the anode and having a high hole mobility, but only a limited electron mobility, is called a hole transport layer (HTL).
Eine Ladungstransportschicht, die zwischen der aktiven Schicht und der Anode angeordnet ist und hohe Löcher- und nur eingeschränkte Elektronenbeweglichkeit besitzt, wird als Löchertransportschicht (HTL) bezeichnet.
EuroPat v2
The fluorinated oligophenylenes of the invention represent a completely new class of materials distinguished by an especially high electron mobility.
Die erfindungsgemäß fluorierten Oligophenyle stellen eine völlige neue Materialklasse dar, welche sich durch eine besonders hohe Elektronenbeweglichkeit auszeichnet.
EuroPat v2
In this way, it is possible to produce different lateral tension or compression stresses in the semiconductor layer structure of a superlattice so as to influence electron mobility.
Auf diese Art und Weise ist es möglich, in der Halbleiter-Schichtenfolge eines Supergitters unterschiedliche laterale Zug- oder Druckspannungen zu erzeugen, welche die Elektronenbeweglichkeit beeinflussen.
EuroPat v2
Surprisingly, it has been noted that Sb doping in only the Si0.55 Ge0.45 semiconductor layers results in a significant increase in electron mobility in the created superlattice.
Überraschenderweise wurde festgestellt, daß eine Sb-Dotierung lediglich in den Si 0.55 Ge 0.45 -Halbleiterschichten zu einer erheblichen Erhöhung der Elektronenbeweglichkeit in dem entstandenen Supergitter führt.
EuroPat v2
The converters have an output voltage of +6V which is ideal to efficiently switch GaN HEMTs (High Electron Mobility Tranistors) without causing a gate dielectric breakdown.
Die Wandler haben eine Ausgangsspannung von +6V. Sie ist ideal, um GaN-HEMTs (High Electron Mobility Tranistors) effizient zu schalten, ohne einen dielektrischen Durchschlag zu verursachen.
ParaCrawl v7.1
CGH40010 Transistor - Cree's CGH40010 is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT).
Transistor CGH40010 - Der CGH40010 von Cree ist ein unübertroffener GaN-HEMT (Galliumnitrid-Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, High Electron Mobility Transistor).
ParaCrawl v7.1
Said conducting channel now has an electron mobility corresponding to that in direct bandgap semiconductors.
Dieser Leitungskanal weist nun mehr eine Elektronenbeweglichkeit auf, die der Beweglichkeit von Elektronen in Halbleitern mit direkter Bandlücke entspricht.
EuroPat v2

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