Übersetzung für "Inside dope" in Deutsch
																						In
																											the
																											main
																											surface,
																											longitudinal
																											trenches
																											that
																											run
																											essentially
																											parallel
																											are
																											etched
																											inside
																											the
																											region
																											doped
																											by
																											the
																											first
																											conductivity
																											type.
																		
			
				
																						In
																											der
																											Hauptfläche
																											werden
																											innerhalb
																											des
																											vom
																											ersten
																											Leitfähigkeitstyp
																											dotierten
																											Gebietes
																											im
																											wesentlichen
																											parallel
																											verlaufende
																											Längsgräben
																											geätzt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						According
																											to
																											the
																											present
																											state
																											of
																											knowledge
																											about
																											the
																											coupling
																											mechanism
																											initiating
																											the
																											local
																											volume
																											oscillations
																											inside
																											the
																											semiconductor
																											sample,
																											it
																											is
																											assumed
																											that
																											the
																											formation
																											of
																											the
																											space
																											charge
																											zone
																											caused
																											by
																											the
																											different
																											Fermi
																											levels
																											between
																											the
																											metal
																											sensor
																											tip
																											and
																											the
																											doped
																											semiconductor
																											material
																											is
																											dependent
																											firstly
																											on
																											the
																											position
																											of
																											the
																											Fermi
																											level,
																											secondly
																											on
																											the
																											dopant
																											concentrations
																											inside
																											the
																											doped
																											semiconductor
																											regions
																											and
																											ultimately
																											also
																											depends
																											on
																											the
																											alternating
																											voltage
																											applied
																											between
																											the
																											sensor
																											tip
																											6
																											and
																											the
																											semiconductor
																											sample
																											3
																											or
																											the
																											doped
																											regions
																											1,
																											2
																											?.
																		
			
				
																						Nach
																											dem
																											derzeitigen
																											Kenntnisstand
																											über
																											den
																											die
																											lokalen
																											Volumenschwingungen
																											innerhalb
																											der
																											Halbleiterprobe
																											initiierenden
																											Kopplungsmechanismus,
																											geht
																											man
																											davon
																											aus,
																											dass
																											die
																											Ausbildung
																											der
																											Raumladungszone
																											bedingt
																											durch
																											die
																											unterschiedlichen
																											Ferminiveaus
																											zwischen
																											der
																											metallischen
																											Sensorspitze
																											und
																											dem
																											dotierten
																											Halbleitermaterial
																											abhängig
																											ist
																											von
																											einerseits
																											der
																											Lage
																											des
																											Ferminiveaus,
																											andererseits
																											von
																											den
																											Dotierstoffdichten
																											innerhalb
																											der
																											dotierten
																											Halbleiterbereiche
																											und
																											letztlich
																											auch
																											von
																											der
																											zwischen
																											der
																											Sensorspitze
																											6
																											und
																											der
																											Halbleiterprobe
																											3
																											bzw.
																											den
																											dotierten
																											Bereichen
																											1,
																											2"
																											anliegenden
																											Wechselspannung
																											abhängt.
															 
				
		 EuroPat v2