Übersetzung für "Lattice matched" in Deutsch
																						The
																											utilized
																											semiconductor
																											materials
																											can
																											only
																											be
																											applied
																											in
																											a
																											lattice
																											matched
																											manner
																											to
																											a
																											GaSb
																											substrate.
																		
			
				
																						Die
																											verwendeten
																											Halbleitermaterialien
																											können
																											nur
																											auf
																											einem
																											GaSb-Substrat
																											gitterangepaßt
																											aufgebracht
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Such
																											a
																											semiconductor
																											layer
																											is
																											lattice-matched
																											to
																											a
																											GaN
																											layer.
																		
			
				
																						Eine
																											solche
																											Halbleiterschicht
																											ist
																											an
																											eine
																											GaN-Schicht
																											gitterangepasst.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Thus,
																											the
																											deposition
																											of
																											lattice-matched,
																											single-crystal
																											layers
																											is
																											possible.
																		
			
				
																						Damit
																											ist
																											die
																											Abscheidung
																											von
																											gitterangepassten,
																											einkristallinen
																											Schichten
																											möglich.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Preferably
																											several
																											layers
																											are
																											lattice
																											matched
																											in
																											order
																											to
																											increase
																											the
																											quantum
																											yield
																											and
																											decrease
																											deformation.
																		
			
				
																						Bevorzugterweise
																											werden
																											mehrere
																											Schichten
																											gitterangepaßt,
																											um
																											die
																											Quantenausbeute
																											zu
																											erhöhen
																											und
																											die
																											Degradation
																											zu
																											verringern.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Depending
																											on
																											the
																											selection
																											of
																											the
																											substrate
																											1,
																											various
																											lattice-matched
																											or
																											lattice-mismatched
																											semiconductor
																											materials
																											are
																											suitable
																											for
																											the
																											collector
																											layer.
																		
			
				
																						Je
																											nach
																											Wahl
																											des
																											Substrates
																											1
																											sind
																											unterschiedliche
																											gitterangepaßte
																											oder
																											gitterfehlangepaßte
																											Halbleitermaterialien
																											für
																											die
																											Kollektorschicht
																											geeignet.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											an
																											embodiment,
																											the
																											solar
																											cells
																											in
																											one
																											of
																											the
																											two
																											solar
																											subcells
																											can
																											have
																											exclusively
																											lattice-matched
																											layers.
																		
			
				
																						In
																											einer
																											Weiterbildung
																											weisen
																											die
																											Solarzellen
																											in
																											einem
																											der
																											beiden
																											Solarzellenteile
																											ausschließlich
																											gitterangepasste
																											Schichten
																											auf.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											cladding
																											layer
																											or
																											at
																											least
																											the
																											partial
																											layer
																											of
																											the
																											cladding
																											layer
																											may
																											furthermore
																											be
																											lattice-matched
																											relative
																											to
																											gallium
																											nitride.
																		
			
				
																						Die
																											Mantelschicht
																											oder
																											zumindest
																											die
																											Teilschicht
																											der
																											Mantelschicht
																											kann
																											weiterhin
																											bezogen
																											auf
																											Galliumnitrid
																											gitterangepasst
																											sein.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											the
																											formation
																											of
																											the
																											mixed-crystal
																											(alloyed
																											crystal)
																											the
																											concentrations
																											of
																											the
																											components
																											can
																											be
																											varied
																											in
																											the
																											direction
																											of
																											growth
																											whereby
																											in
																											a
																											nonideal
																											lattice
																											matched
																											system
																											in
																											the
																											transformed
																											layer,
																											a
																											gradient
																											of
																											the
																											lattice
																											parameter
																											in
																											the
																											growth
																											direction
																											can
																											result.
																		
			
				
																						Bei
																											dem
																											sich
																											bildenden
																											Mischkristall
																											(Legierungskristall)
																											kann
																											die
																											Konzentration
																											der
																											Komponenten
																											in
																											Wachstumsrichtung
																											sich
																											ändern,
																											wobei
																											in
																											einem
																											nicht
																											ideal
																											gitterangepaßten
																											System
																											in
																											der
																											umgewandelten
																											Schicht
																											ein
																											Gradient
																											im
																											Gitterparameter
																											in
																											Wachstumsrichtung
																											entsteht.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											order
																											to
																											use
																											the
																											quantum
																											layer
																											structure
																											in
																											technically
																											relevant
																											components
																											usually
																											employing
																											GaAs-
																											or
																											InP
																											substrates,
																											at
																											least
																											one
																											layer
																											should
																											be
																											at
																											least
																											partially
																											pseudomorphously
																											or
																											lattice
																											matched.
																		
			
				
																						Zur
																											Verwendung
																											von
																											Quantenschichtstrukturen
																											in
																											technisch
																											relevanten
																											Bauteilen,
																											bei
																											denen
																											typischerweise
																											GaAs-
																											oder
																											InP-Substrate
																											verwendet
																											werden,
																											sollte
																											zumindest
																											eine
																											Schicht
																											mindestens
																											teilweise
																											pseudomorph
																											oder
																											gitterangepaßt
																											sein.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Strained
																											silicon
																											is
																											produced
																											by
																											growing
																											silicon
																											lattice-matched
																											to
																											a
																											substrate
																											having
																											a
																											higher
																											lattice
																											constant.
																		
			
				
																						Derartiges
																											verspanntes
																											Silizium
																											wird
																											dadurch
																											hergestellt,
																											daß
																											Silizium
																											auf
																											einem
																											Substrat
																											mit
																											größerer
																											Gitterkonstante
																											gitterangepaßt
																											aufgewachsen
																											wird.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						A
																											functional
																											solar
																											cell
																											is
																											obtained
																											in
																											combination
																											with
																											a
																											suitable
																											window
																											layer
																											composed
																											of
																											a
																											lattice-matched
																											semiconductor
																											material
																											as
																											the
																											emitter
																											and
																											surface
																											passivation
																											layer.
																		
			
				
																						In
																											Verbindung
																											mit
																											einer
																											geeigneten
																											Fensterschicht
																											aus
																											einem
																											gitterangepaßten
																											Halbleitermaterial
																											als
																											Emitter-
																											und
																											Oberflächenpassivierungsschicht
																											wird
																											eine
																											funktionsfähige
																											Solarzelle
																											erhalten.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						This
																											is
																											advantageous
																											since
																											a
																											buffer
																											layer
																											with
																											a
																											high
																											Al
																											content
																											forms
																											a
																											lattice-matched
																											surface,
																											with
																											good
																											wetting
																											properties,
																											for
																											further
																											layers
																											based
																											on
																											III–V
																											nitride
																											semiconductor
																											material,
																											but
																											has
																											a
																											low
																											conductivity,
																											while
																											a
																											buffer
																											layer
																											with
																											a
																											low
																											Al
																											content
																											has
																											a
																											good
																											electrical
																											conductivity
																											but
																											a
																											lower
																											crystalline
																											quality
																											and
																											surface
																											quality.
																		
			
				
																						Dies
																											ist
																											von
																											Vorteil,
																											da
																											eine
																											Pufferschicht
																											mit
																											hohem
																											Al-Anteil
																											eine
																											gitterangepaßte
																											und
																											gut
																											benetzbare
																											Oberfläche
																											für
																											weitere
																											auf
																											III-V-Nitridhalbleitermaterial
																											basierende
																											Schichten
																											ausbildet,
																											aber
																											eine
																											geringe
																											Leitfähigkeit
																											aufweist,
																											während
																											eine
																											Pufferschicht
																											mit
																											niedrigem
																											Al-Gehalt
																											elektrisch
																											gut
																											leitet,
																											aber
																											eine
																											geringere
																											kristalline
																											Qualität
																											und
																											Oberflächengüte
																											besitzt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						This
																											is
																											advantageous
																											since
																											a
																											buffer
																											layer
																											with
																											a
																											high
																											Al
																											content
																											forms
																											a
																											lattice-matched
																											surface,
																											with
																											good
																											wetting
																											properties,
																											for
																											further
																											layers
																											based
																											on
																											III-V
																											nitride
																											semiconductor
																											material,
																											but
																											has
																											a
																											low
																											conductivity,
																											while
																											a
																											buffer
																											layer
																											with
																											a
																											low
																											Al
																											content
																											has
																											a
																											good
																											electrical
																											conductivity
																											but
																											a
																											lower
																											crystalline
																											quality
																											and
																											surface
																											quality.
																		
			
				
																						Dies
																											ist
																											von
																											Vorteil,
																											da
																											eine
																											Pufferschicht
																											mit
																											hohem
																											Al-Anteil
																											eine
																											gitterangepaßte
																											und
																											gut
																											benetzbare
																											Oberfläche
																											für
																											weitere
																											auf
																											III-V-Nitridhalbleitermaterial
																											basierende
																											Schichten
																											ausbildet,
																											aber
																											eine
																											geringe
																											Leitfähigkeit
																											aufweist,
																											während
																											eine
																											Pufferschicht
																											mit
																											niedrigem
																											Al-Gehalt
																											elektrisch
																											gut
																											leitet,
																											aber
																											eine
																											geringere
																											kristalline
																											Qualität
																											und
																											Oberflächengüte
																											besitzt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						With
																											this
																											approach
																											the
																											experimentally
																											achieved
																											polarization
																											degrees
																											are
																											nearly
																											100%
																											and
																											the
																											used
																											magnetic
																											semiconductors
																											can
																											be
																											lattice-matched
																											grown
																											on
																											a
																											non-magnetic
																											semiconductor
																											lattice.
																		
			
				
																						Die
																											mit
																											diesem
																											Ansatz
																											experimentell
																											erreichten
																											Polarisationsgrade
																											liegen
																											bei
																											nahezu
																											100
																											%,
																											und
																											die
																											verwendeten
																											magnetischen
																											Halbleiter
																											können
																											gitterangepasst
																											auf
																											nichtmagnetische
																											Halbleiter
																											aufgewachsen
																											werden.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						The
																											material
																											composition
																											of
																											all
																											or
																											at
																											least
																											some
																											of
																											the
																											phosphidic
																											semiconductor
																											layers
																											may
																											be
																											selected
																											such
																											that
																											they
																											are
																											lattice-matched
																											or
																											at
																											least
																											largely
																											lattice-matched
																											to
																											the
																											arsenidic
																											tunnel
																											regions.
																		
			
				
																						Die
																											Materialzusammensetzung
																											aller
																											oder
																											zumindest
																											einiger
																											phosphidischen
																											Halbleiterschichten
																											kann
																											so
																											gewählt
																											sein,
																											dass
																											diese
																											gitterangepasst
																											oder
																											zumindest
																											weitgehend
																											gitterangepasst
																											zu
																											den
																											arsenidischen
																											Tunnelbereichen
																											sind.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Under
																											these
																											conditions
																											the
																											gallium
																											concentration
																											1-x-y,
																											e.g.,
																											may
																											vary
																											from
																											0
																											to
																											0.9,
																											which
																											also
																											includes
																											AlInN,
																											for
																											example,
																											which
																											is
																											lattice-matched
																											with
																											respect
																											to
																											gallium
																											nitride.
																		
			
				
																						Unter
																											diesen
																											Bedingungen
																											kann
																											die
																											Galliumkonzentration
																											1-x-y
																											z.B.
																											von
																											0
																											bis
																											0,9
																											variieren,
																											was
																											beispielsweise
																											auch
																											AlInN
																											einschließt,
																											das
																											bezüglich
																											Galliumnitrid
																											gitterangepasst
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Lattice-matched
																											in
																											this
																											context
																											means,
																											for
																											example,
																											that
																											the
																											natural
																											lattice
																											constants
																											of
																											the
																											materials
																											are
																											the
																											same
																											or
																											almost
																											the
																											same.
																		
			
				
																						Gitterangepasst
																											bedeutet
																											in
																											dem
																											Zusammenhang
																											beispielsweise,
																											dass
																											die
																											natürlichen
																											Gitterkonstanten
																											der
																											Materialien
																											gleich
																											oder
																											annähernd
																											gleich
																											sind.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Deviations
																											from
																											lattice-matched
																											conditions,
																											in
																											which
																											x/y
																											is
																											outside
																											of
																											the
																											range
																											between
																											4.5
																											and
																											5,
																											may
																											also
																											be
																											used
																											to
																											adjust
																											the
																											threshold
																											voltage,
																											for
																											example.
																		
			
				
																						Abweichungen
																											von
																											den
																											gitterangepassten
																											Bedingungen,
																											bei
																											denen
																											x/y
																											außerhalb
																											des
																											Bereichs
																											zwischen
																											4,5
																											und
																											5
																											liegt,
																											können
																											dazu
																											verwendet
																											werden
																											z.B.
																											die
																											Schwellenspannung
																											einzustellen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						However,
																											such
																											lattice-matched
																											compounds
																											are
																											not
																											of
																											a
																											comparable
																											quality,
																											or
																											hardly
																											of
																											the
																											same
																											quality
																											as
																											AlGaN,
																											for
																											example.
																		
			
				
																						Allerdings
																											können
																											solche
																											gitterangepasste
																											Verbindungen
																											nur
																											schwer
																											oder
																											gar
																											nicht
																											in
																											vergleichbarer
																											Qualität,
																											wie
																											zum
																											Beispiel
																											AlGaN,
																											hergestellt
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Lattice-matched
																											structures
																											have
																											the
																											advantages
																											of
																											a
																											greater
																											robustness,
																											among
																											other
																											things,
																											which
																											are
																											beneficial
																											in
																											an
																											application
																											under
																											hostile
																											conditions,
																											for
																											example,
																											at
																											high
																											temperatures
																											or
																											under
																											high
																											inertial
																											and
																											vibrational
																											stress,
																											for
																											example,
																											with
																											systems
																											in
																											air.
																		
			
				
																						Gitterangepasste
																											Strukturen
																											weisen
																											u.a.
																											den
																											Vorteil
																											einer
																											höheren
																											Robustheit
																											auf,
																											was
																											bei
																											einer
																											Verwendung
																											unter
																											widrigen
																											Bedingungen,
																											beispielsweise
																											bei
																											hohen
																											Temperaturen
																											oder
																											bei
																											hoher
																											Trägheits-
																											und
																											Erschütterungsbeanspruchung,
																											wie
																											z.B.
																											bei
																											in
																											der
																											Luft
																											befindlichen
																											Systemen,
																											von
																											Nutzen
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											photonic
																											crystal
																											best
																											achieves
																											its
																											effect
																											if
																											the
																											lattice
																											constant
																											is
																											matched
																											to
																											a
																											wavelength
																											of
																											the
																											radiation
																											generated
																											by
																											the
																											semiconductor
																											body.
																		
			
				
																						Der
																											photonische
																											Kristall
																											erzielt
																											seine
																											Wirkung
																											am
																											besten,
																											wenn
																											die
																											Gitterkonstante
																											an
																											eine
																											Wellenlänge
																											der
																											von
																											dem
																											Halbleiterkörper
																											erzeugten
																											Strahlung
																											angepasst
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						With
																											this
																											composition,
																											the
																											in-plane
																											lattice
																											constant
																											of
																											AlInN
																											is
																											the
																											same
																											as
																											that
																											of
																											GaN,
																											so
																											that
																											an
																											AlInN/GaN
																											heterostructure
																											is
																											lattice-matched
																											and
																											stress-free.
																		
			
				
																						Bei
																											dieser
																											Zusammensetzung
																											ist
																											die
																											in-Ebene
																											vorliegende
																											Gitterkonstante
																											von
																											AlInN
																											dieselbe
																											wie
																											von
																											GaN,
																											so
																											dass
																											eine
																											AlInN/GaN-Heterostruktur
																											gitterangepasst
																											und
																											frei
																											von
																											Spannungen
																											ist.
															 
				
		 EuroPat v2