Übersetzung für "Lithographing" in Deutsch
																						She
																											inscribes
																											as
																											a
																											master
																											student
																											in
																											the
																											graphics
																											class
																											of
																											Franz
																											Herberth
																											"to
																											be
																											able
																											to
																											continue
																											lithographing
																											at
																											the
																											University"
																											and
																											starts
																											to
																											take
																											artistic
																											black
																											and
																											white
																											photographs
																											autodidactically.
																		
			
				
																						Inskribiert
																											als
																											Meisterschülerin
																											in
																											der
																											Graphikklasse
																											von
																											Franz
																											Herberth
																											"um
																											weiterhin
																											an
																											der
																											Hochschule
																											lithographieren
																											zu
																											können"
																											und
																											beginnt
																											autodidaktisch
																											künstlerisch
																											schwarz-weiß
																											zu
																											fotografieren
																											und
																											richtet
																											sich
																											eine
																											eigene
																											Dunkelkammer
																											in
																											ihrem
																											Atelier
																											ein.
															 
				
		 ParaCrawl v7.1
			
																						According
																											to
																											an
																											eighteenth
																											aspect
																											when
																											referring
																											back
																											to
																											at
																											least
																											one
																											of
																											the
																											first
																											to
																											seventeenth
																											aspects,
																											in
																											the
																											method
																											of
																											producing
																											a
																											cap
																											substrate
																											1
																											said
																											providing
																											of
																											the
																											mold
																											substrate
																											2
																											may
																											further
																											include
																											removing,
																											in
																											the
																											step
																											of
																											lithographing
																											the
																											passivation
																											layer
																											10,
																											the
																											passivation
																											layer
																											10
																											from
																											the
																											surface
																											3
																											where
																											channel
																											structures
																											40
																											are
																											provided
																											within
																											the
																											first
																											and
																											second
																											island
																											regions
																											5,
																											6,
																											and,
																											during
																											etching
																											of
																											the
																											surface
																											3
																											of
																											the
																											semiconductor
																											wafer
																											2
																											with
																											regard
																											to
																											the
																											lithographic
																											regions,
																											additionally
																											etching
																											channels
																											42
																											into
																											the
																											mold
																											substrate
																											2
																											within
																											the
																											first
																											and
																											second
																											island
																											regions
																											5,
																											6
																											.
																		
			
				
																						Gemäß
																											einem
																											achtzehnten
																											Aspekt
																											unter
																											Rückbezug
																											auf
																											zumindest
																											einen
																											des
																											ersten
																											bis
																											siebzehnten
																											Aspekts
																											kann
																											das
																											Bereitstellen
																											des
																											Form-Substrats
																											2
																											ferner
																											folgende
																											Schritte
																											umfassen:
																											wobei
																											bei
																											dem
																											Lithographieren
																											der
																											Passivierungsschicht
																											10
																											die
																											Passivierungsschicht
																											10
																											ferner
																											dort
																											von
																											der
																											Oberfläche
																											3
																											entfernt
																											wird,
																											wo
																											Kanalstrukturen
																											40
																											innerhalb
																											der
																											ersten
																											und
																											zweiten
																											Inselbereiche
																											5,
																											6
																											vorgesehen
																											sind,
																											wobei
																											bei
																											dem
																											Ätzen
																											der
																											Oberfläche
																											3
																											des
																											Halbleiterwafers
																											2
																											hinsichtlich
																											der
																											lithographischen
																											Bereiche
																											ferner
																											Kanäle
																											42
																											in
																											das
																											Form-Substrat
																											2
																											innerhalb
																											der
																											ersten
																											und
																											zweiten
																											Inselbereiche
																											5,
																											6
																											geätzt
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											accordance
																											with
																											one
																											embodiment,
																											the
																											first
																											method
																											includes
																											the
																											following
																											steps
																											with
																											regard
																											to
																											the
																											provision
																											of
																											the
																											mold
																											substrate:
																											providing
																											a
																											semiconductor
																											wafer
																											comprising
																											a
																											passivation
																											layer
																											on
																											a
																											surface,
																											lithographing
																											the
																											passivation
																											layer
																											so
																											that
																											the
																											passivation
																											layer
																											will
																											remain
																											on
																											the
																											surface
																											wherever
																											the
																											first
																											island
																											regions
																											and
																											the
																											second
																											island
																											regions
																											are
																											provided,
																											etching
																											the
																											surface
																											of
																											the
																											semiconductor
																											wafer
																											with
																											regard
																											to
																											the
																											lithographed
																											regions,
																											so
																											that
																											a
																											thickness
																											of
																											the
																											semiconductor
																											wafer
																											is
																											reduced
																											perpendicularly
																											to
																											the
																											lithographed
																											regions
																											of
																											the
																											surface
																											so
																											as
																											to
																											structure
																											the
																											surface
																											region
																											and
																											to
																											thus
																											specify
																											positions
																											for
																											the
																											first
																											island
																											regions
																											and
																											the
																											second
																											island
																											regions,
																											and
																											completely
																											removing
																											the
																											passivation
																											layer.
																		
			
				
																						Gemäß
																											einem
																											Ausführungsbeispiel
																											umfasst
																											das
																											erste
																											Verfahren
																											hinsichtlich
																											des
																											Bereitstellens
																											des
																											Formsubstrats
																											folgende
																											Schritte:
																											Bereitstellen
																											eines
																											Halbleiterwafers
																											mit
																											einer
																											Passivierungsschicht
																											auf
																											einer
																											Oberfläche,
																											Lithographieren
																											der
																											Passivierungsschicht,
																											sodass
																											die
																											Passivierungsschicht
																											dort
																											auf
																											der
																											Oberfläche
																											verbleibt,
																											wo
																											die
																											ersten
																											Inselbereiche
																											und
																											die
																											zweiten
																											Inselbereiche
																											vorgesehen
																											sind,
																											Ätzen
																											der
																											Oberfläche
																											des
																											Halbleiterwafers
																											hinsichtlich
																											der
																											lithographierten
																											Bereiche,
																											sodass
																											eine
																											Dicke
																											des
																											Halbleiterwafers
																											senkrecht
																											zu
																											den
																											lithographierten
																											Bereichen
																											der
																											Oberfläche
																											verringert
																											wird,
																											um
																											den
																											Oberflächenbereich
																											zu
																											strukturieren
																											und
																											somit
																											Positionen
																											für
																											die
																											ersten
																											Inselbereiche
																											und
																											die
																											zweiten
																											Inselbereiche
																											vorzugeben
																											und
																											vollständiges
																											Entfernen
																											der
																											Passivierungssicht.
															 
				
		 EuroPat v2