Übersetzung für "Molecular beam epitaxy" in Deutsch

The semiconductor layer sequence may be grown for example by molecular beam epitaxy or gas phase epitaxy.
Die Halbleiterschichtenfolge kann zum Beispiel über Molekularstrahlepitaxie oder Gasphasenepitaxie aufgewachsen sein.
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Said layers can be fabricated using molecular beam epitaxy, for example.
Die Herstellung der genannten Schichten kann beispielsweise mittels einer Molekularstrahlepitaxie erfolgen.
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In this case, the values for semiconductor structures fabricated by means of molecular beam epitaxy are shown as circles.
Hierbei sind die Werte für mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellte Halbleiterstrukturen als Kreise dargestellt.
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Such transistors can be fabricated by means of metalorganic vapor phase epitaxy or molecular beam epitaxy, for example.
Solche Transistoren können beispielsweise durch metallorganische Gasphasenepitaxie oder Molekularstrahlepitaxie hergestellt werden.
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In particular, the layer structure is vapor deposited or deposited by means of molecular beam epitaxy (MBE).
Insbesondere ist die Schichtstruktur aufgedampft oder mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) aufgebracht.
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An MBE (molecular beam epitaxy) or MOCVD (metal-organic gas-phase epitaxy) serves as a growth-procedure.
Als Wachstumsverfahren dient MBE (Molekularstrahlepitaxie) oder MOCVD (metallorganische Gasphasenepitaxie).
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Epitaxial methods and in particular molecular beam epitaxy may once again be used in this case.
Wiederum können hierbei epitaktische Verfahren und insbesondere die Molekularstrahlepitaxie verwendet werden.
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The layer growth is effected preferably with gas phase epitaxy or with molecular beam epitaxy.
Das Schichtwachstum erfolgt vorzugsweise mit Gasphasenepitaxie oder mit Molekularstrahlepitaxie.
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The deposition method used is preferably an epitaxial method, and in particular so-called molecular beam epitaxy.
Als Abscheideverfahren wird vorzugsweise ein epitaktisches Verfahren und insbesondere die sogenannte Molekularstrahlepitaxie verwendet.
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This two-dimensional arrangement of switching elements was realized by means of MBE (molecular beam epitaxy).
Diese zweidimensionale Anordnung von Schaltelementen wurde mittels MBE (molecular beam epitaxy) realisiert.
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The entire layer structure including doping of the base region with boron is fabricated by molecular beam epitaxy.
Der gesamte Schichtaufbau des Transistors inklusive Dotierung des Basisgebiets mit Bor wird mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellt.
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In molecular beam epitaxy, uniform layers having a minimum thickness on the order of one layer of atoms can be manufactured in a controlled fashion.
Bei der Molekularstrahlepitaxie können kontrolliert homogene Schichten mit einer minimalen Dicke um eine Atomlage hergestellt werden.
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Uniform layers having a minimal thickness of around 1 atom layer can be produced in controlled fashion in molecular beam epitaxy.
Bei der Molekularstrahlepitaxie können kontrolliert homogene Schichten mit einer minimalen Dicke um eine Atomlage hergestellt werden.
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The circuit structure is manufactured by epitaxal definition of the layer sequences, such as by molecular beam epitaxy.
Die Schaltungsstruktur wird durch epitaktisches Abscheiden der Schichtenfolgen, insbesondere mit Hilfe von Molekularstrahlepitaxie, hergestellt.
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The semiconductor cylinder is preferably grown on the seed surface by means of an MBE method (MBE: molecular beam epitaxy).
Bevorzugt wird der Halbleiterzylinder auf der Keimfläche mittels eines MBE-Verfahrens (MBE: Molekularstrahlepitaxie) aufgewachsen.
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The present invention relates to a method for manufacturing abrupt boundary surfaces between ternary nitrides in molecular beam epitaxy.
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung abrupter Grenzflachen zwischen ternären Nitriden bei der Molekularstrahlepitaxie.
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Also, instead of an MOCVD method, an MBE method (Molecular Beam Epitaxy) can also be used.
Weiterhin kann anstelle eines MOCVD-Verfahren auch ein MBE-Verfahren (Molecular Beam Epitaxie) eingesetzt werden.
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New synthetic skills being involved in the context of materials science (e.g. metal-organic chemical vapour deposition, molecular beam epitaxy and ion implementation) are likely to find increasing use in catalyst preparation.
Neue Syntheseverfahren in der Werkstoffkunde (z. B. metallorganische chemische Dampfabscheidung, Molekularstrahlepitaxie und Ionenimplantation) dürften bei der Katalysatorenherstellung zunehmende Verwendung finden.
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The established processes such as "metal organic vapor phase epitaxy" and, most recently, "metal organic molecular beam epitaxy" have also been used in this connection.
Dabei werden die etablierten Verfahren "Metal Organic Vapor Phase Epitaxy" und als neuestes auch "Metal Organic Molecular Beam Epitoxy" verwendet.
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In manufacturing the Schottky diode, the substrate 5, which is a flat gallium arsenide disk, is mounted in a molecular beam epitaxy system (MBE system) on a heated disk holder.
Zur Herstellung der Schottky-Diode wird das Substrat 5, bei dem es sich um eine ebene Gallium-Arsenid-Scheibe handelt, in einer Molekularstrahl-Epitaxieanlage (MBE-Anlage) auf einen beheizten Scheibenhalter montiert.
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Preferably, erbium arsenide or ytterbium arsenide is used as the monopnictide, which is applied using the same molecular beam epitaxy system as for the thin gallium arsenide layer.
Vorzugsweise wird als Lanthanid Erbium oder Ytterbium verwendet das in der gleichen Molekularstrahl-Epitaxieanlage aufgebracht wird wie die dünne Gallium-Arsenid-Schicht.
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The Schottky diode is manufactured using a molecular beam epitaxy system and a process in which the component need not be introduced in a separate apparatus during its manufacture.
Die Herstellung der Schottky-Diode erfolgt in einer Molekularstrahl-Epitaxieanlage in einem Prozeß, ohne daß das Bauelement während seiner Herstellung in eine getrennte Apparatur eingeführt zu werden braucht.
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Achieving that the active layer 30 grows as described above on the basis of a suitable selection of the growth parameters is possible in gas phase epitaxy, in molecular beam epitaxy as well as in liquid phase epitaxy.
Durch geeignete Wahl der Wachstumsparameter zu erreichen, daß die aktive Schicht 30 wie oben beschrieben aufwächst, ist bei der Gasphasenepitaxie, der Molekularstrahlepitaxie wie bei der Flüssigphasenepitaxie. möglich.
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