Übersetzung für "Negatively biased" in Deutsch

The detector 4 can be slightly negatively biased, particularly with respect to the flight tube, in order to suppress secondary electrons.
Der Detektor ist insbesondere gegen­über dem Flugrohr geringfügig negativ vorgespannt, um Sekundärelektronen abzuhalten.
EuroPat v2
The base is negatively biased via a resistor 52 to guarantee a high breakdown voltage.
Die Basis ist über einen Widerstand 52 negativ vorgespannt, um eine hohe Durchbruchspannung zu gewährleisten.
EuroPat v2
The electrode, biased negatively, is therefore also regularly referred to here as the "cathode".
Die negativ vorgespannte Elektrode wird daher auch hier regelmäßig als "Katode" bezeichnet.
EuroPat v2
In the container are placed an anode and a cathode, the latter of which is negatively biased relative to the former, e.g., by means of an applied rf signal.
In dem Behälter befinden sich eine Anode und eine Kathode, von denen die letztere gegenüber der ersteren beispielsweise mittels eines angelegten Hochfrequenz-Vorspannsignal negativ vorgespannt ist.
EuroPat v2
When, for example, in a p doped semiconductor substrate, the substrate connection of the MIS capacitor is negatively biased with respect to the electrode, then the (positive) majority carriers of the substrate are stripped from the substrate connection, whereas the optically generated minority carriers are held under the sensor electrode.
Wird nun z. B. bei p-dotiertem Halbleitersubstrat der Substratanschluß des MIS-Kondensators gegenüber der Elektrode negativ vorgespannt, so werden die (positiven) Majoritätsträger des Substrats vom Substratanschluß abgezogen, während die optisch erzeugten Minoritätsträger unter der Sensorelektrode gehalten werden.
EuroPat v2
This is achieved in that its gate terminal is negatively biased in comparison to its source terminal via the voltage divider 6.
Dies wird dadurch erreicht, daß sein Gateanschluß gegenüber seinem Sourceanschluß über den Spannungsteiler 6 negativ vorgespannt wird.
EuroPat v2
For the measurement of the exposure the counter-electrode 2 comprises an amplifier 3 which is also connected to the negative terminal of a direct voltage source 16 via which the counter-electrode 2 is negatively biased.
Zur Messung der Belichtung ist in der Gegenelektrode 2 ein Verstärker 3 vorgesehen, der außerdem mit dem negativen Anschluß einer Gleichspannungsquelle 16 verbunden ist, über die die Gegenelektrode 2 negativ vorgespannt ist.
EuroPat v2
During ionizing cycles the glow plasma-discharge is initiated and material evaporated from a crucible as substantially electrically neutral material is ionized and is accelerated onto the negatively biased workpiece.
In Ionisierungsphasen wird die Glimmentladung gezündet, das von einem Verdampfungstiegel verdampfte, im wesentlichen neutrale Material ionisiert und auf das auf negatives Potential gelegte Werkstück hin beschleunigt.
EuroPat v2
The terminal of C1 connected to the change over means 15' is positively biased in comparison to its terminal connected to R1, whereas the terminal of C2 connected to the switch 15' is negatively biased in comparison to its terminal connected to R3.
Wie hieraus hervorgeht, ist der mit dem Umschalter 15' verbundene Anschluß von C1 gegenüber seinem mit R1 verbundenen Anschluß positiv vorgespannt, während der mit dem Schalter 15' verbundene Anschluß von C2 gegenüber seinem mit R3 verbundenen Anschluß negativ vorgespannt ist.
EuroPat v2
To detect electrons which have been generated in the counting gas by the conversion products, the drift electrode is negatively biased with respect to the readout device.
Für den Nachweis von Elektronen, welche in dem Zählgas durch die Konvertierungsprodukte erzeugt wurden, wird die Driftelektrode bezüglich zu der Ausleseeinrichtung negativ vorgespannt.
EuroPat v2
The voltage/frequency converter 67, formed by an integrated circuit, is negatively biased to a predetermined voltage (about 50 mV) at its corresponding control input via a voltage divider 82, 83.
Der von einem IC gebildete Spannungs-/Frequenz­wandler 67 ist auf seinem entsprechenden Steuer­eingang über einen Spannungsteiler 82, 83 auf eine vorbestimmte Spannung negativ vorgespannt (ca. 50 mV).
EuroPat v2
While the predominantly positive metal ions are attracted by the negatively biased substrate at an accelerating voltage, the neutral vapor particles distribute themselves according to a cosine distribution in the space around the vaporizer and are not affected by the substrate voltage.
Während die vor­wiegend positiven Metallionen vom negativ vorgespannten Substrat als Saugspannung angezogen werden, breiten sich die neutralen Dampfteilchen in einer Cosinus-Verteilung im Raum um den Verdampfer aus und werden von der Substratspannung nicht beeinflußt.
EuroPat v2
The backside of the semiconductor crystal body 3 is located in the dark during the measurement and is positively biased relative to the electrolyte 12 before the measurement for an n-silicon semiconductor and is negatively biased relative to the electrolyte 12 for a p-silicon semiconductor.
Die Rückseite des Halbleiterkristallkörpers 3 befindet sich im Dunkeln bei der Messung und wird vor der Messung bei n-Silizium positiv und bei p-Silizium negativ gegenüber dem Elektrolyten 12 vorgespannt.
EuroPat v2
If the gate 13 of the field effect transistor 12 is, for example, negatively biased in the n-doped channel and the polarity of the sampling signal is selected to be positive, the drain-source section is low-resistance only during the interval of the short pulses of the sampling signal, and thus, is high-resistance averaged over time, here, in the range of several Kohms.
Wird das Gate 13 des Feldeffekttransistors 12 bei einem n-dotierten Kanal beispielsweise negativ vorgespannt und wird die Polarität des Abtastsignals positiv gewählt, so ist die Drain-Source-Strecke nur während der Dauer der kurzen Impulse des Abtastsignals niederohmig und damit im zeitlichen Mittel hochohmig, und zwar vorliegend im Bereich von einigen Kiloohm.
EuroPat v2
The principle of sputter deposition works such that an inert gas plasma, preferably argon plasma, is produced in a vacuum chamber at low pressure, the positively charged inert gas ions from the plasma are accelerated towards the negatively biased target, consisting of the material to be deposited, as a result of an electric field and the material is ejected from the target by the impact of the inert gas ions, which is deposited on the opposing surface of the substrate to be coated.
Das Prinzip des Aufsputterns funktioniert derart, dass in einer Vakuumkammer bei niedrigem Druck ein Edelgasplasma, bevorzugt Argonplasma, erzeugt wird, die positiv geladenen Edelgasionen aus dem Plasma zu dem auf negativem Potential liegenden Target, welches aus dem abzuscheidenden Material besteht, aufgrund des elektrischen Feldes beschleunigt werden, und durch das Auftreffen der Edelgasionen aus dem Target das Material herausgeschlagen wird, das sich auf der gegenüberliegenden Oberfläche auf dem zu beschichtenden Substrat abscheidet.
EuroPat v2
In the recipient a plasma burns wherein positively charged ions are accelerated towards the target 17 —the cathode—, with the target being negatively biased.
In dem Rezipienten brennt ein Plasma, in welchem positiv geladene Ionen auf das Target 17 - die Kathode - beschleunigt werden, wobei sich das Target auf einem negativen Potential befindet.
EuroPat v2
In the case of a value of less than 20% of the field strength on the front side, the negatively biased electrode 205 practically has no effect.
Bei einem Wert von weniger als 20% der Feldstärke auf der Vorderseite ist die negativ vorgespannte Elektrode 205 praktisch wirkungslos.
EuroPat v2
To this end use is preferably made of an inert gas plasma ignited by means of a high current/low voltage discharge between one or more negatively biased filaments arranged in an ionization chamber adjacent to the process and the positively biased holder devices with the parts.
Dazu wird bevorzugt ein Edelgas - Plasma mittels einer Hochstrom/Niedervoltentladung zwischen einem oder mehreren, in einer an die Prozesskammer angrenzenden Ionisationskammer angeordneten, auf negatives Potential gelegten Filamenten und den auf positives Potential gelegten Halterungsvorrichtungen mit den Teilen gezündet.
EuroPat v2
This low-frequency voltage ensures that the wafer 103 is negatively biased with respect to the positively charged plasma 113 .
Diese niederfrequente Spannung sorgt dafür, dass der Wafer 103 gegenüber dem positiv geladenem Plasma 113 negativ vorgespannt wird.
EuroPat v2
It is also preferred to connect an inductivity L 3 in parallel to the diode D, the inductivity being sized such that it forms a parallel resonance circuit with a cutoff capacity of the diode D when same is operated in the reverse direction, i.e. negatively biased, with a resonant frequency equaling the mean operating frequency of the HF signal applying at the input 3 .
Ferner wird es bevorzugt, parallel zu der Diode D eine Induktivität L3 zu schalten, die so dimensioniert ist, daß sie mit einer Sperrkapazität der Diode D, wenn dieselbe in Sperrichtung betrieben, also negativ vorgespannt ist, einen Parallelresonanzkreis zu bilden, und zwar mit einer Resonanzfrequenz, die gleich der mittleren Betriebsfrequenz des an dem Eingang 3 anliegenden HF-Signals ist.
EuroPat v2
Field studies have shown that the TCO degradation is much more pronounced when the modules are surrounded by metallic frames and the most destructive condition exists when the cell is biased negatively relative to ground.
Feldstudien haben gezeigt, daß die durch TCO-Korrosion bedingte Qualitätsminderung deutlich ausgeprägter ist, wenn die Module von Metallrahmen umgeben sind, und daß die Beeinträchtigung am größten ist, wenn die Zelle negativ gegen Masse vorgespannt ist.
ParaCrawl v7.1
It is an in-situ method in which the substrate is either negatively or positively biased with respect to the filament.
Es ist eine In-situ-Verfahren, bei dem das Substrat ist entweder negativ oder positiv voreingenommen Filament in Bezug auf die.
ParaCrawl v7.1

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