Übersetzung für "Ohmic contact" in Deutsch
																						The
																											substrate
																											is
																											connected
																											to
																											an
																											ohmic
																											cathode
																											contact
																											2.
																		
			
				
																						Das
																											Substrat
																											ist
																											mit
																											einem
																											ohmschen
																											Katodenkontakt
																											2
																											verbunden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											lower
																											surface
																											is
																											provided
																											with
																											an
																											ohmic
																											contact
																											3.
																		
			
				
																						Die
																											Unterseite
																											ist
																											mit
																											einem
																											ohmschen
																											Kontakt
																											3
																											versehen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Arranged
																											on
																											this
																											p-type
																											semiconductor
																											region
																											26
																											is
																											an
																											ohmic
																											contact
																											27.
																		
			
				
																						Auf
																											diesem
																											p-leitenden
																											Halbleitergebiet
																											26
																											ist
																											ein
																											ohmscher
																											Kontakt
																											27
																											angeordnet.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						This
																											assures
																											an
																											ohmic
																											contact
																											between
																											the
																											contact
																											regions
																											and
																											the
																											drain
																											terminals.
																		
			
				
																						Dadurch
																											wird
																											ein
																											ohmscher
																											Kontakt
																											zwischen
																											Kontaktregionen
																											und
																											Drainanschlüssen
																											gewährleistet.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											this
																											manner,
																											a
																											good
																											ohmic
																											contact
																											to
																											the
																											cathode
																											contact
																											13
																											is
																											ensured
																											at
																											the
																											same
																											time.
																		
			
				
																						Auf
																											diese
																											Weise
																											ist
																											gleichzeitig
																											ein
																											guter
																											ohmscher
																											Kontakt
																											zum
																											Kathodenkontakt
																											13
																											gewährleistet.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						However,
																											the
																											formation
																											of
																											an
																											ohmic
																											contact
																											is
																											what
																											is
																											wanted.
																		
			
				
																						Gewünscht
																											ist
																											jedoch
																											das
																											Entstehen
																											eines
																											ohmschen
																											Kontaktes.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						In
																											this
																											manner
																											a
																											good
																											ohmic
																											contact
																											is
																											achieved
																											for
																											the
																											electrical
																											contacts.
																		
			
				
																						Damit
																											wird
																											ein
																											guter
																											ohmscher
																											Kontakt
																											für
																											die
																											elektrische
																											Kontaktierung
																											erreicht.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						This
																											promotes
																											the
																											formation
																											of
																											a
																											good
																											ohmic
																											contact
																											on
																											the
																											semiconductor
																											region
																											100
																											.
																		
			
				
																						Dadurch
																											wird
																											die
																											Ausbildung
																											eines
																											guten
																											ohmschen
																											Kontakts
																											auf
																											dem
																											Halbleitergebiet
																											100
																											begünstigt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						If
																											required,
																											however,
																											a
																											complete
																											wafer
																											surface
																											can
																											also
																											undergo
																											ohmic
																											contact-connection.
																		
			
				
																						Bei
																											Bedarf
																											kann
																											jedoch
																											auch
																											eine
																											komplette
																											Waferoberfläche
																											ohmsch
																											kontaktiert
																											werden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Prior
																											to
																											the
																											application
																											of
																											the
																											Schottky
																											contact,
																											the
																											ohmic
																											back-surface
																											contact
																											is
																											produced.
																		
			
				
																						Vor
																											Aufbringen
																											des
																											Schottky-Kontakts
																											wird
																											der
																											ohmsche
																											Rückseitenkontakt
																											hergestellt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						An
																											ohmic
																											p-contact
																											layer
																											120
																											contacts
																											each
																											of
																											the
																											second
																											semiconductor
																											regions
																											201
																											.
																		
			
				
																						Die
																											zweiten
																											Halbleitergebiete
																											201
																											sind
																											jeweils
																											durch
																											eine
																											ohmsche
																											p-Kontaktschicht
																											120
																											kontaktiert.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						These
																											are
																											advantageously
																											suitable
																											for
																											forming
																											an
																											ohmic
																											contact
																											on
																											a
																											III-V
																											nitride
																											compound
																											semiconductor
																											material.
																		
			
				
																						Diese
																											sind
																											vorteilhaft
																											zur
																											Ausbildung
																											eines
																											ohmschen
																											Kontakts
																											auf
																											einem
																											III-V-Nitridverbindungshalbleitermaterial
																											geeignet.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Therefore,
																											the
																											plasma
																											electrode
																											cannot
																											form
																											a
																											real
																											ohmic
																											contact
																											to
																											the
																											microwave
																											plasma.
																		
			
				
																						Die
																											Plasmaelektrode
																											kann
																											deshalb
																											keinen
																											wirklichen
																											ohmschen
																											Kontakt
																											zum
																											Mikrowellenplasma
																											ausbilden.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						A
																											suitable
																											ohmic
																											contact
																											metal
																											is
																											then
																											evaporated
																											or
																											deposited
																											by
																											other
																											means
																											onto
																											the
																											upper
																											surface
																											of
																											the
																											structure.
																		
			
				
																						Schließlich
																											wird
																											eine
																											zur
																											Bildung
																											ohmscher
																											Kontakte
																											geeignete
																											Metallschicht
																											auf
																											die
																											Gesamtoberfläche
																											der
																											Anordnung
																											aufgebracht.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						Aluminum
																											makes
																											good
																											ohmic
																											and
																											mechanical
																											contact
																											to
																											the
																											silicon
																											and
																											to
																											the
																											surrounding
																											insulation
																											layers.
																		
			
				
																						Mit
																											Aluminium
																											lassen
																											sich
																											an
																											Silicium
																											und
																											den
																											umgebenden
																											Isolierschichten
																											gute
																											ohmsche
																											und
																											mechanische
																											Kontakte
																											herstellen.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											aluminum
																											layer
																											adheres
																											well
																											to
																											silicon
																											and
																											forms
																											a
																											perfect
																											ohmic
																											contact,
																											especially
																											with
																											p-doped
																											silicon.
																		
			
				
																						Die
																											Aluminiumschicht
																											haftet
																											gut
																											auf
																											Silizium
																											und
																											bildet
																											insbesondere
																											mit
																											p-dotiertem
																											Silizium
																											einen
																											einwandfreien
																											ohmschen
																											Kontakt.
															 
				
		 EuroPat v2
			
																						The
																											last
																											aforementioned
																											ohmic
																											connection
																											contact
																											is
																											then
																											equivalent
																											to
																											the
																											base
																											connection
																											which
																											is
																											otherwise
																											common
																											to
																											bipolar
																											transistors.
																		
			
				
																						Der
																											letztgenannte
																											ohmsche
																											Anschlußkontakt
																											bildet
																											dann
																											ein
																											Äquivalent
																											zu
																											dem
																											ansonsten
																											bei
																											Bipolartransistoren
																											üblichen
																											Basisanschluß.
															 
				
		 EuroPat v2